Hydride Vapor-Phase Epitaxy of a Semipolar AlN(10(1)over-bar2) Layer on a Nanostructured Si(100) Substrate

Web of Science®
ФТИ в 2000–24 гг.
Статей	25425
Цитируемость
суммарная	326761
на статью	12,9
Индекс Хирша	169
G-индекс	286

Scopus®
ФТИ в 2000–24 гг.
Статей	28655
Цитируемость
суммарная	364193
на статью	12,7
Индекс Хирша	180
G-индекс	304

Hydride Vapor-Phase Epitaxy of a Semipolar AlN(10(1)over-bar2) Layer on a Nanostructured Si(100) Substrate
2020 , Tech. Phys. Lett., v.46, 1
ISSN: 1063-7850

Страницы: 59 - 61
Авторы:Bessolov,VN; Kompan,ME; Konenkova,EV; Panteleev,VN
Авторы (ФТИ):Bessolov,VN; Kompan,ME; Konenkova,EV; Panteleev,VN
Подразделения:

лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)
лаб. спиновых и оптических явлений в полупроводниках (Кусраева,ЮГ)

DOI:http://dx.doi.org/10.1134/S1063785020010174 Scopus® times cited:7 Scopus® ID:2-s2.0-85084003778 Web of Science® times cited:5 Web of Science® ID:WOS:000529756000016
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1134/S1063785020010174