Страницы: 815 - 821
Авторы:Компан,МЕ; Малышкин,ВГ; Бойко,МЕ; Шарков,МД; Сапурина,ИЮ; Шишов,МА
Авторы (ФТИ):Компан,МЕ; Малышкин,ВГ; Бойко,МЕ; Шарков,МД
Подразделения:

• лаб. физики профилированных кристаллов (Николаева,ВИ)
• лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН)
• лаб. спиновых и оптических явлений в полупроводниках (Кусраева,ЮГ)
• лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)

DOI:http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2022.06.52510.319-21
Полный текст:http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2022.06.52510.319-21