Deformation of Semipolar and Polar Gallium Nitride Synthesized on a Silicon Substrate

Web of Science®
ФТИ в 2000–24 гг.
Статей	25425
Цитируемость
суммарная	326761
на статью	12,9
Индекс Хирша	169
G-индекс	286

Scopus®
ФТИ в 2000–24 гг.
Статей	28655
Цитируемость
суммарная	364193
на статью	12,7
Индекс Хирша	180
G-индекс	304

Deformation of Semipolar and Polar Gallium Nitride Synthesized on a Silicon Substrate
2022 , Bull. Russ. Acad. Sci. Phys., v.86, 7
ISSN: 1062-8738

Страницы: 817 - 819
Авторы:Bessolov,VN; Kompan,ME; Konenkova,EV; Rodin,SN
Авторы (ФТИ):Bessolov,VN; Kompan,ME; Konenkova,EV; Rodin,SN
Подразделения:

лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ)
лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)
лаб. спиновых и оптических явлений в полупроводниках (Кусраева,ЮГ)

DOI:http://dx.doi.org/10.3103/S1062873822070103 Scopus® times cited:1 Scopus® ID:2-s2.0-85134432933
Полный текст:http://dx.doi.org/10.3103/S1062873822070103