Radiationless recombination mechanisms in GaN surface layers determined from photoluminescence
2003 , Phys. Status Solidi A-Appl. Res., v.195, 1 Spec.
ISSN: 0031-8965

Страницы: 106 - 111
Авторы:Bessolov,VN; Evstropov,VV; Fradkov,AL; Fedirko,VA; Kompan,ME; Konenkova,EV; Zhilyaev,YV
Авторы (ФТИ):Bessolov,VN; Evstropov,VV; Kompan,ME; Konenkova,EV; Zhilyaev,YV
Подразделения:
DOI:http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200306279 Scopus® times cited:0 Scopus® ID:2-s2.0-0037275067 Web of Science® times cited:0 Web of Science® ID:WOS:000180796700016
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200306279