Номер статьи: #052101
Авторы:Ankudinov,AV; Bert,NA; Dunaevskiy,MS; Galimov,AI; Kalyuzhnyy,NA; Mintairov,SA; Myasoedov,AV; Pavlov,NV; Rakhlin,MV; Salii,RA; Toropov,AA; Vlasov,AS; Pirogov,EV; Zhukovskyi,MA; Mintairov,AM
Авторы (ФТИ):Ankudinov,AV; Bert,NA; Dunaevskiy,MS; Galimov,AI; Kalyuzhnyy,NA; Mintairov,SA; Myasoedov,AV; Pavlov,NV; Rakhlin,MV; Salii,RA; Toropov,AA; Vlasov,AS; Mintairov,AM
Подразделения:

• лаб. физико-химических свойств полупроводников (Терукова,ЕИ)
• лаб. квантовой фотоники (Жмерика,ВН)
• лаб. дифракционных методов исследования реальной структуры кристаллов (Аргуновой,ТС)
• лаб. наногетероструктурных излучателей и фотоприёмников (Шарова,ВА)
• лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
• лаб. спиновых и оптических явлений в полупроводниках (Кусраева,ЮГ)
• лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
• сектор теоретических основ микроэлектроники (Зегри,ГГ)
• лаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ)

DOI:https://doi.org/10.1063/5.0172579 Scopus® times cited:1 Scopus® ID:2-s2.0-85184000226 Web of Science® times cited:1 Web of Science® ID:WOS:001153143400006
Полный текст:https://doi.org/10.1063/5.0172579