Газофазная эпитаксия слоев AlN на наноструктурированном темплейте AlN/Si(100), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления
2024
, ЖТФ, т.94, 6
ISSN: 0044-4642
Страницы:
944 - 947
Авторы:Бессолов,ВН; Компан,МЕ; Коненкова,ЕВ; Орлова,ТА; Родин,СН; Соломникова,АВ
Авторы (ФТИ):Бессолов,ВН; Компан,МЕ; Коненкова,ЕВ; Орлова,ТА; Родин,СН
Подразделения: DOI:https://doi.org/10.61011/JTF.2024.06.58135.296-23
Полный текст:https://doi.org/10.61011/JTF.2024.06.58135.296-23
Авторы:Бессолов,ВН; Компан,МЕ; Коненкова,ЕВ; Орлова,ТА; Родин,СН; Соломникова,АВ
Авторы (ФТИ):Бессолов,ВН; Компан,МЕ; Коненкова,ЕВ; Орлова,ТА; Родин,СН
Подразделения: DOI:https://doi.org/10.61011/JTF.2024.06.58135.296-23
Полный текст:https://doi.org/10.61011/JTF.2024.06.58135.296-23















