| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
Ferroelectric properties of (Al,Ga)InP2 alloys
2025
, Semiconductors, v.59, 3
XXIX Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”; Nizhny Novgorod, Russia; 10-14 March 2025
ISSN: 1063-7826
Страницы:
125 - 129
Авторы:Vlasov,AS; Axenov,VYu; Ankudinov,AV; Bert,NA; Kalyuzhnyy,NA; Pavlov,NV; Pirogov,EV; Salii,RA; Soshnikov,IP; Schenin,AS; Mintairov,AM
Авторы (ФТИ):Vlasov,AS; Axenov,VYu; Ankudinov,AV; Bert,NA; Kalyuzhnyy,NA; Pavlov,NV; Salii,RA; Soshnikov,IP; Schenin,AS; Mintairov,AM
Подразделения:
Полный текст:https://doi.org/10.61011/SC.2025.03.61555.7740
Авторы:Vlasov,AS; Axenov,VYu; Ankudinov,AV; Bert,NA; Kalyuzhnyy,NA; Pavlov,NV; Pirogov,EV; Salii,RA; Soshnikov,IP; Schenin,AS; Mintairov,AM
Авторы (ФТИ):Vlasov,AS; Axenov,VYu; Ankudinov,AV; Bert,NA; Kalyuzhnyy,NA; Pavlov,NV; Salii,RA; Soshnikov,IP; Schenin,AS; Mintairov,AM
Подразделения:
- лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ)
- лаб. физико-химических свойств полупроводников (Терукова,ЕИ)
- лаб. наногетероструктурных излучателей и фотоприёмников (Шарова,ВА)
- лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
- лаб. спиновых и оптических явлений в полупроводниках (Кусраева,ЮГ)
- лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
- сектор теоретических основ микроэлектроники (Зегри,ГГ)
Полный текст:https://doi.org/10.61011/SC.2025.03.61555.7740