| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
Effect of Al concentration on the pyroelectric properties of AlGaInP2 alloys
2025
, St. Petersburg. State. Polytech. Univ. J. Phys. Math., v.18, 3.2
12th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, SPb OPEN-2025; St. Petersburg, Russia; 20-25 May 2025
ISSN: 2304-9782
В книге (сборнике):
12th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, SPb OPEN-2025
Страницы:
53 - 56
Авторы:Shchenin,AS; Axenov,VYu; Ankudinov,AV; Bert,NA; Kalyuzhnyy,NA; Pirogov,EV; Salii,RA; Soshnikov,IP; Vlasov,AS; Mintairov,AM
Авторы (ФТИ):Shchenin,AS; Axenov,VYu; Ankudinov,AV; Bert,NA; Kalyuzhnyy,NA; Salii,RA; Soshnikov,IP; Vlasov,AS; Mintairov,AM
Подразделения:
Полный текст:https://doi.org/10.18721/JPM.183.209
Авторы:Shchenin,AS; Axenov,VYu; Ankudinov,AV; Bert,NA; Kalyuzhnyy,NA; Pirogov,EV; Salii,RA; Soshnikov,IP; Vlasov,AS; Mintairov,AM
Авторы (ФТИ):Shchenin,AS; Axenov,VYu; Ankudinov,AV; Bert,NA; Kalyuzhnyy,NA; Salii,RA; Soshnikov,IP; Vlasov,AS; Mintairov,AM
Подразделения:
- лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ)
- лаб. физико-химических свойств полупроводников (Терукова,ЕИ)
- лаб. наногетероструктурных излучателей и фотоприёмников (Шарова,ВА)
- лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
- лаб. спиновых и оптических явлений в полупроводниках (Кусраева,ЮГ)
- лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
Полный текст:https://doi.org/10.18721/JPM.183.209