Semipolar aluminum nitride: the epitaxy of bulk material on a nanostructured silicon substrate

Web of Science®
ФТИ в 2000–24 гг.
Статей	25425
Цитируемость
суммарная	326761
на статью	12,9
Индекс Хирша	169
G-индекс	286

Scopus®
ФТИ в 2000–24 гг.
Статей	28655
Цитируемость
суммарная	364193
на статью	12,7
Индекс Хирша	180
G-индекс	304

Semipolar aluminum nitride: the epitaxy of bulk material on a nanostructured silicon substrate
2026 , Tech. Phys. Lett., v.52, 2
ISSN: 1063-7850

Страницы: 69 - 72
Авторы:Bessolov,VN; Kompan,ME; Konenkova,EV; Sharofidinov,ShSh; Solomnikova,AV; Scheglov,MP
Авторы (ФТИ):Bessolov,VN; Kompan,ME; Konenkova,EV; Sharofidinov,ShSh; Scheglov,MP
Подразделения:

лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
лаб. дифракционных методов исследования реальной структуры кристаллов (Аргуновой,ТС)
лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)
лаб. спиновых и оптических явлений в полупроводниках (Кусраева,ЮГ)

DOI:https://doi.org/10.61011/TPL.2026.02.63044.20500
Полный текст:https://doi.org/10.61011/TPL.2026.02.63044.20500