Elementary magnetic poles in InN/GaN monolayer heterostructure nanowires
2026
, Phys. Rev. B, v.113, 23
ISSN: 2469-9950
Номер статьи:
#235303
Авторы:Mintairov,AM; Axenov,VYu; Davydov,VYu; Eliseyev,IA; Vlasov,AS; Brichkin,AS; Golishkov,GM; Chernenko,AV; Barettin,D; Blundell,SA; Cirlin,GE; Kirilenko,DA; Kotlyar,KP; Reznik,RR; Shugabaev,T; Gridchin,VO
Авторы (ФТИ):Mintairov,AM; Axenov,VYu; Davydov,VYu; Eliseyev,IA; Vlasov,AS
Подразделения: DOI:https://doi.org/10.1103/l3rg-fzc8 Scopus® times cited:0 Scopus® ID:2-s2.0-inp_2467
Полный текст:https://doi.org/10.1103/l3rg-fzc8
Авторы:Mintairov,AM; Axenov,VYu; Davydov,VYu; Eliseyev,IA; Vlasov,AS; Brichkin,AS; Golishkov,GM; Chernenko,AV; Barettin,D; Blundell,SA; Cirlin,GE; Kirilenko,DA; Kotlyar,KP; Reznik,RR; Shugabaev,T; Gridchin,VO
Авторы (ФТИ):Mintairov,AM; Axenov,VYu; Davydov,VYu; Eliseyev,IA; Vlasov,AS
Подразделения: DOI:https://doi.org/10.1103/l3rg-fzc8 Scopus® times cited:0 Scopus® ID:2-s2.0-inp_2467
Полный текст:https://doi.org/10.1103/l3rg-fzc8















