| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
Bulk GaN layers grown on oxidized silicon by vapor-phase epitaxy in a hydride-chloride system
2005
, Tech. Phys. Lett., v.31, 5
ISSN: 1063-7850
Страницы:
367 - 369
Авторы:Zhilyaev,YV; Raevskii,SD; Grabko,DZ; Leu,DS; Kompan,ME; Yusupova,SA; Shcheglov,MP
Авторы (ФТИ):Zhilyaev,YV; Kompan,ME; Yusupova,SA; Shcheglov,MP
Подразделения: DOI:http://dx.doi.org/10.1134/1.1931770 Scopus® times cited:2 Scopus® ID:2-s2.0-20844456565 Web of Science® times cited:1 Web of Science® ID:WOS:000229749600004
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1134/1.1931770
Авторы:Zhilyaev,YV; Raevskii,SD; Grabko,DZ; Leu,DS; Kompan,ME; Yusupova,SA; Shcheglov,MP
Авторы (ФТИ):Zhilyaev,YV; Kompan,ME; Yusupova,SA; Shcheglov,MP
Подразделения: DOI:http://dx.doi.org/10.1134/1.1931770 Scopus® times cited:2 Scopus® ID:2-s2.0-20844456565 Web of Science® times cited:1 Web of Science® ID:WOS:000229749600004
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1134/1.1931770