| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
Nanorelief of a GaN surface: The effect of sulfide treatment
2000
, Semiconductors, v.34, 11
ISSN: 1063-7826
Страницы:
1301 - 1304
Авторы:Bessolov,VN; Zhilyaev,YV; Zavarin,EE; Kompan,ME; Konenkova,EV; Usikov,AS; Fedirko,VA
Авторы (ФТИ):Bessolov,VN; Zhilyaev,YV; Zavarin,EE; Kompan,ME; Konenkova,EV; Usikov,AS
Подразделения: DOI:http://dx.doi.org/10.1134/1.1325427 Scopus® times cited:1 Scopus® ID:2-s2.0-0034310851 Web of Science® times cited:1 Web of Science® ID:WOS:000090017000012
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1134/1.1325427
Авторы:Bessolov,VN; Zhilyaev,YV; Zavarin,EE; Kompan,ME; Konenkova,EV; Usikov,AS; Fedirko,VA
Авторы (ФТИ):Bessolov,VN; Zhilyaev,YV; Zavarin,EE; Kompan,ME; Konenkova,EV; Usikov,AS
Подразделения: DOI:http://dx.doi.org/10.1134/1.1325427 Scopus® times cited:1 Scopus® ID:2-s2.0-0034310851 Web of Science® times cited:1 Web of Science® ID:WOS:000090017000012
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1134/1.1325427