| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
Anisotropy of optical and electron transport properties of atomic ordering in CdGeAs2
2000
, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., v.607
Symposium on Infrared Applications of Semiconductors III held at the 1999 MRS Fall Meeting Location: BOSTON, MA Date: NOV 29-DEC 02, 1999
ISSN: 0272-9172 ISBN: 1-55899-515-3
В книге (сборнике):
INFRARED APPLICATIONS OF SEMICONDUCTORS III
Страницы:
397 - 402
Авторы:Bairamov,BH; Fernelius,N; Irmer,G; Monecke,J; Polushina,IK; Pandey,R; Yu Rud`,V; Rud,YV; Schunemann,PG; Ohmer,MC
Авторы (ФТИ):Bairamov,BH; Polushina,IK; Rud,YV
Подразделения: Scopus® times cited:1 Scopus® ID:2-s2.0-0033712222 Web of Science® times cited:1 Web of Science® ID:WOS:000089140500056
Авторы:Bairamov,BH; Fernelius,N; Irmer,G; Monecke,J; Polushina,IK; Pandey,R; Yu Rud`,V; Rud,YV; Schunemann,PG; Ohmer,MC
Авторы (ФТИ):Bairamov,BH; Polushina,IK; Rud,YV
Подразделения: Scopus® times cited:1 Scopus® ID:2-s2.0-0033712222 Web of Science® times cited:1 Web of Science® ID:WOS:000089140500056