Web of Science®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 17179
Цитируемость
суммарная 176741
на статью 10.3
Индекс Хирша 131
G-индекс 215
Scopus®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 18680
Цитируемость
суммарная 183678
на статью 9.8
Индекс Хирша 133
G-индекс 222
 

Защиты диссертаций

О советах Предстоящие защиты Состоявшиеся защиты Сводка

Состоявшиеся защиты диссертаций

Диссертант
Руководитель
 
Месяц

Год

Всего записей: 461
Четверг, 04 октября 2001
    
Смирнов,АН, ФТИ
 Лаб. twin
Исследование широкозонных полупроводников GaN, AlN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика конденсированного состояния (01.04.07), совет: К 002.205.01
Руководитель(и): Давыдов,ВЮ
Утверждена ВАК: 11 января 2002, протокол: 2к/39
Четверг, 28 июня 2001
    
Галль,НР, ФТИ
 Лаб. Галля,НР
Поверхностные процессы и соединения при взаимодействии атомов металлов с тугоплавкими металлами
Диссертация на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук по специальности физическая электроника (01.04.04), совет: Д 002.205.03
Утверждена ВАК: 08 февраля 2002, протокол: 7д/29
Четверг, 28 июня 2001
    
Дьяконова,ЕА, ФТИ
 Лаб. Кузнецова,ВИ
Развитие ионизационной неустойчивости при взаимодействии потока неравновесной плазмы с магнитным полем
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика плазмы (01.04.08), совет: Д 002.205.03
Руководитель(и): Васильева,РВ
Утверждена ВАК: 12 октября 2001, протокол: 42к/41
Вторник, 26 июня 2001
    
Сресели,ОМ, ФТИ
 Лаб. Белькова,ВВ
Полупроводники с модифицированной поверхностью-регулярный рельеф и квантово-размерные нанокристаллиты
Диссертация на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 002.205.02
Утверждена ВАК: 09 ноября 2001, протокол: 47д/22
Понедельник, 25 июня 2001
    
Воловик,БВ, ФТИ
 Лаб. Иванова,СВ
Оптические свойства структур с квантовыми точками в системе (In, Ga, Al) As
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: К 002.205.02
Руководитель(и): Леденцов,НН
Утверждена ВАК: 09 ноября 2001, протокол: 47к/54
Понедельник, 25 июня 2001
    
Солдатенков,ФЮ, ФТИ
 Лаб. Андреева,ВМ
Субнаносекундные коммутато-ры на основе гетеропереходов в системе GaAs (InGaAs)-AlGaAs
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: К 002.205.02
Руководитель(и): Корольков,ВИ
Утверждена ВАК: 12 октября 2001, протокол: 42к/40
Понедельник, 25 июня 2001
    
Сорокин,СВ, ФТИ
 Лаб. twin
Полупроводниковые слои и гетероструктуры на основе халькогенидов цинка, кадмия и бериллия, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: К 002.205.02
Руководитель(и): Иванов,СВ
Утверждена ВАК: 09 ноября 2001, протокол: 47к/49
Четверг, 21 июня 2001
    
Брюшинин,МА, ИПМ
 Лаб. Кумзерова,ЮА
Нестационарная фото-ЭДС в фоторефрактивных кристаллах со сложной структурой примесных уровней
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика конденсированного состояния (01.04.07), совет: К 002.205.01
Руководитель(и):
Утверждена ВАК: 09 ноября 2001, протокол: 47к/50
firstback10prev 51 52 53 54 55 56 57 58nextlast
© 2005-17 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Яндекс.Метрика