Web of Science®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 17179
Цитируемость
суммарная 176741
на статью 10.3
Индекс Хирша 131
G-индекс 215
Scopus®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 18680
Цитируемость
суммарная 183678
на статью 9.8
Индекс Хирша 133
G-индекс 222
 

Защиты диссертаций

О советах Предстоящие защиты Состоявшиеся защиты Сводка

Состоявшиеся защиты диссертаций

Диссертант
Руководитель
 
Месяц

Год

Всего записей: 461
Четверг, 22 июня 2000
    
Бурсиан,ВЭ, ФТИ
 Лаб. Феофилова,СП
Процессы переноса заряда и оптическое выстраивание дефектов в виртуальных сегнетоэлектриках
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика конденсированного состояния (01.04.07), совет: К 002.205.01
Руководитель(и):
Утверждена ВАК: 08 декабря 2000, протокол: 50к/26
Четверг, 22 июня 2000
    
Василевская,ТН, ИХС РАН
 Лаб. Феофилова,СП
Исследование кинетики начальных стадий фазового распада в неорганических стеклах методом рассеяния рентгеновских лучей под малыми углами
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика конденсированного состояния (01.04.07), совет: К 002.205.01
Руководитель(и):
Утверждена ВАК: 10 ноября 2000, протокол: 45к/150
Четверг, 22 июня 2000
    
Чеканов,ВА, ПИЯФ
 
Электрические и рекомбинационные свойства нейтронно-легированных твердых растворов Si1-xGex со стороны кремния
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: К 002.205.01
Руководитель(и):
Утверждена ВАК: 10 ноября 2000, протокол: 45к/152
Четверг, 15 июня 2000
    
Иванов,СВ, ФТИ
 Лаб. Иванова,СВ
Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры на основе широкозонных соединений А2В3 (основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств)
Диссертация на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 002.205.02
Утверждена ВАК: 10 ноября 2000, протокол: 45д/44
Четверг, 08 июня 2000
    
Кусраев,ЮГ, ФТИ
 Лаб. Кусраева,ЮГ
Фото- и магнитоиндуцированные эффекты в полумагнитных полупроводниках и квантовых структурах
Диссертация на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук по специальности физика конденсированного состояния (01.04.07), совет: Д 002.205.01
Утверждена ВАК: 10 ноября 2000, протокол: 54д/43
Понедельник, 05 июня 2000
    
Лешко,АЮ, ОАО Рефлектор
 Лаб. Тарасова,ИС
Разработка, исследование свойств и оптимизация характеристик мощных InGaAsP/InP лазеров
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: К 002.205.02
Руководитель(и):
Утверждена ВАК: 13 октября 2000, протокол: 40к/135
Четверг, 25 мая 2000
    
Елизарова,МВ, СПб ГТУ
 
Особенности электронных явлений переноса и механизма трансформации зонного спектра под действием легирования в ВТСП-cоединениях различных систем
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика конденсированного состояния (01.04.07), совет: К 002.205.01
Руководитель(и):
Утверждена ВАК: 13 октября 2000, протокол: 40к/69
Четверг, 25 мая 2000
    
Смирнов,ИЮ, ФТИ
 Лаб. Волкова,МП
Взаимодействие поверхностных акустических волн с двумерными электронами в гетероструктурах GaAs/AlGaAs в режиме целочисленного квантового эффекта Холла
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика конденсированного состояния (01.04.07), совет: К 002.205.01
Руководитель(и):
firstback10prev 51 52 53 54 55 56 57 58nextlast
© 2005-17 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Яндекс.Метрика