Web of Science®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 18293
Цитируемость
суммарная 195769
на статью 10.7
Индекс Хирша 138
G-индекс 225
Scopus®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 20069
Цитируемость
суммарная 211601
на статью 10.5
Индекс Хирша 144
G-индекс 238
 

Защиты диссертаций

О советах Предстоящие защиты Состоявшиеся защиты Сводка

Состоявшиеся защиты диссертаций

Диссертант
Руководитель
 
Месяц

Год

Всего записей: 482
Понедельник, 20 ноября 2000
    
Бланк,ТВ, СПб ГЭТУ
 Лаб. Самсонова,АМ
Горячий фотоэффект в поверхностно-барьерных структурах на основе фосфида и арсенида галлия
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: К 002.205.02
Руководитель(и):
Утверждена ВАК: 09 февраля 2001, протокол: 7к/5
Понедельник, 20 ноября 2000
    
Лифшиц,ДА, ФТИ
 
Исследование свойств, разрабо-тка и оптимизация мощных лазеров (l=0,78-1,3 мкм) на основе гетероструктур на подложках GaAs
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: К 002.205.02
Руководитель(и):
Понедельник, 26 июня 2000
    
Розов,АЕ, ФТИ
 Лаб. Иванова,СВ
Исследование магнитотранспорта на гетерогранице II типа в системе GaInAs
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: К 002.205.02
Руководитель(и): Михайлова,МП
Утверждена ВАК: 08 декабря 2000, протокол: 50к/29
Понедельник, 26 июня 2000
    
Стародубцев,АН, ФТИ
 Лаб. Забродского,АГ
Нелинейные эффекты при распаде полупроводниковых твердых растворов в эпитаксиальных пленках
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: К 002.205.02
Руководитель(и): Щукин,ВА
Утверждена ВАК: 08 декабря 2000, протокол: 50к/26
Четверг, 22 июня 2000
    
Байдакова,МВ, ФТИ
 Лаб. Конникова,СГ
Рентгенография алмазных нанокластеров
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: К 002.205.01
Руководитель(и):
Утверждена ВАК: 10 ноября 2000, протокол: 45к/148
Четверг, 22 июня 2000
    
Бурсиан,ВЭ, ФТИ
 Лаб. Феофилова,СП
Процессы переноса заряда и оптическое выстраивание дефектов в виртуальных сегнетоэлектриках
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика конденсированного состояния (01.04.07), совет: К 002.205.01
Руководитель(и):
Утверждена ВАК: 08 декабря 2000, протокол: 50к/26
Четверг, 22 июня 2000
    
Василевская,ТН, ИХС РАН
 Лаб. Феофилова,СП
Исследование кинетики начальных стадий фазового распада в неорганических стеклах методом рассеяния рентгеновских лучей под малыми углами
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика конденсированного состояния (01.04.07), совет: К 002.205.01
Руководитель(и):
Утверждена ВАК: 10 ноября 2000, протокол: 45к/150
Четверг, 22 июня 2000
    
Чеканов,ВА, ПИЯФ
 
Электрические и рекомбинационные свойства нейтронно-легированных твердых растворов Si1-xGex со стороны кремния
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: К 002.205.01
Руководитель(и):
Утверждена ВАК: 10 ноября 2000, протокол: 45к/152
firstback10prev 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 nextlast
© 2005-18 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Яндекс.Метрика