Web of Science®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 18293
Цитируемость
суммарная 195769
на статью 10.7
Индекс Хирша 138
G-индекс 225
Scopus®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 20069
Цитируемость
суммарная 211601
на статью 10.5
Индекс Хирша 144
G-индекс 238
 

Защиты диссертаций

О советах Предстоящие защиты Состоявшиеся защиты Сводка

Состоявшиеся защиты диссертаций

Диссертант
Руководитель
 
Месяц

Год

Всего записей: 482
Четверг, 18 мая 2000
    
Ушаков,АА, СПб ГТУ
 
Структура электрических полей и токов вблизи заряженного электрода в сильноионизированной замагниченной плазме
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика плазмы (01.04.08), совет: Д 002.205.03
Руководитель(и): Рожанский,ВА
Утверждена ВАК: 15 сентября 2000, протокол: 35к/4
Четверг, 18 мая 2000
    
Фараджев,НС, ФТИ
 Лаб. Голубева,ОЛ
Структурный анализ поверхности методом дифракции квазиупругого рассеянных электронов
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физическая электроника (01.04.04), совет: Д 002.205.03
Руководитель(и): Пронин,ИИ
Утверждена ВАК: 14 июля 2000, протокол: 30к/93
Четверг, 27 апреля 2000
    
Астахов,ГВ, ФТИ
 Лаб. Кусраева,ЮГ
Экситон-электронное заимодействие в модулировано-легированных квантовых ямах на основе полупроводников А2В6
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: К 002.205.01
Руководитель(и):
Утверждена ВАК: 14 июля 2000, протокол: 30к/92
Четверг, 27 апреля 2000
    
Егоров,СВ, ФТИ
 Лаб. Забродского,АГ
Проявление эффектов электронного взаимодействия в низкотемпературных транспортных свойствах нейтронно-легированного Ge:Ga при переходе из изоляторного состояния в металлическое
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика конденсированного состояния (01.04.07), совет: К 002.205.01
Руководитель(и):
Утверждена ВАК: 14 июля 2000, протокол: 30к/96
Понедельник, 17 апреля 2000
    
Каманин,АВ, ФТИ
 Лаб. Иванова,СВ
Исследование диффузии цинка из полимерных диффузантов в полупроводники А3В5 (на примере InP)
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: К 002.205.02
Руководитель(и):
Утверждена ВАК: 14 июля 2000, протокол: 30к/94
Понедельник, 17 апреля 2000
    
Пихтин,НА, ФТИ
 Лаб. Тарасова,ИС
Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработ-ка на их основе перестраивоемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода (l=1,3-1,55 мкм)
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: К 002.205.02
Руководитель(и): Тарасов,ИС
Утверждена ВАК: 14 июля 2000, протокол: 30к/96
Понедельник, 20 марта 2000
    
Кудряшов,ИВ, ФТИ
 Лаб. Тарасова,ИС
Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: К 002.205.02
Руководитель(и):
Утверждена ВАК: 09 июня 2000, протокол: 25к/91
Вторник, 14 марта 2000
    
Бобыль,АВ, СПб ГТУ
 Лаб. Терукова,ЕИ
Дефекты эпитаксиальных YBa2Cu3O7 пленок как источник фликкер шума
Диссертация на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук по специальности физика конденсированного состояния (01.04.07), совет: Д 002.205.01
Утверждена ВАК: 09 июня 2000, протокол: 25д/38
firstback10prev 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 nextlast
© 2005-18 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Яндекс.Метрика