• Год:2022
    Авторы:Лихачев,КВ; Бреев,ИД; Анисимов,АН; Кидалов,СВ; Нагалюк,СС; Анкудинов,АВ; Баранов,ПГ
    Подразделения:

    Продемонстрирован эффективный процесс изготовления датчиков магнитного поля на основе наночастиц 6H-SiC с вакансионными центрами кремния, совмещенных с зондами атомно-силового микроскопа. Измерение магнитного поля такими датчиками происходит с помощью метода оптически детектируемого магнитного резонанса и эффекта антипересечения глубоких уровней со спином 3/2. Наночастица 6H-SiC устанавливалась на острие кантилевера. Преимущество таких сенсоров по сравнению с промышленными аналогами заключается в отсутствии у наночастиц SiC собственного магнитного поля. Исключение необходимости в дополнительной радиочастотной накачке за счет использования эффекта антипересечения уровней и фотолюминесценция в ближней инфракрасной области открывает возможность регистрировать распределение магнитного поля в биологических средах.

    Иллюстрации

    Рисунок. (а) — АСМ-топография участка Si пластины с наночастицами 6H-SiC, облученными ионами гелия. (b) — Конфокальное изображение сигнала ФЛ того же участка (ФЛ на длине волны 900 нм, возбуждение 532 нм). (с) — Схематическое изображение процесса захвата одной наночастицы SiC с вакансионными центрами (VSi) острием коммерческого АСМ-зонда. (d) — Контрольные СЭМ-изображения модифицированного АСМ-зонда.

    Работа выполнена в рамках гранта РФФИ № 20-52-76010.

    Направление ПФНИ 1.3.2.12.

    Публикации

    1. К.В. Лихачев и др., Письма в ЖЭТФ, 116, 11, 810 (2022)