Общая информация

Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе является одним из крупнейших научных центров России, в котором широким фронтом ведутся как фундаментальные, так и прикладные исследования в важнейших областях современной физики и технологии.

Институт был основан в 1918 году Абрамом Федоровичем Иоффе, который затем возглавлял его в течение нескольких десятилетий. С 1960 года институт носит имя этого выдающегося ученого и организатора науки.

До конца декабря 2013 года институт являлся учреждением Российской академии наук и входил в состав Отделения физических наук. 30 декабря 2013 в соответствии с распоряжением Правительства РФ № 2591-р институт был передан в ведение Федерального агентства научных организаций России.

27 июня 2018 г. распоряжением Правительства РФ № 1293-р Институт был передан в ведение Министерства науки и высшего образования РФ.

 

 


Из событий последних месяцев

  • Награждения сотрудников

    18 декабря 2025 года в преддверии новогодних праздников и в торжественной обстановке состоялось вручение благодарностей директора Института.

    За безупречный труд и добросовестное выполнение служебных обязанностей благодарностями отмечены:

    слесарь-ремонтник вентиляционного участка В.Н. Абрамичев, заместитель ученого секретаря А.Ю. Азбель, нач. сектора отдела информационного обеспечения и телекоммуникаций М.В. Андрейко, нач. материального отдела Е.А. Атяшкина, ведущий инженер отдела капитального строительства А.В. Баскаев, водитель транспортного отдела А.Н. Ермолаев, уборщик помещений общего отдела Р.А. Иванова, нач. отдела мобилизационной подготовки В.А. Кабацюра, нач. транспортного отдела В.В. Калашников, ведущий экономист по прямым расходам планово-производственного отдела М.Г. Клименко, нач. сантехнического участка А.М. Кудрявцев, секретарь-референт отдела документационного обеспечения управления А.П. Олесова, нач. службы заказчика по строительству и техническому перевооружению НИОКР-центра Д.В. Рогальчук, уборщик территории общего отдела В.М. Самохин, нач. отдела по защите гос. тайны А.М. Смородин, бухгалтер финансового отдела С.О. Трошкина, ведущий экономист по прямым расходам планово-производственного отдела И.В. Трушкина, главный энергетик В.Н. Тушенцов, ведущий экономист по прямым расходам планово-производственного отдела Н.М. Цапкина, ведущий специалист общего отдела П.С. Эполетов.

  • На границе микромира

    Под таким заголовком вышло интервью доктора физ.-мат. наук Юрия Георгиевича Кусраева к столетию открытия нового физического свойства электрона — спина. Как из этого открытия родилось перспективное научное направление — спинтроника и чем она может быть полезна, читайте на портале журнала «Наука и жизнь».

  • Избрание почетных членов ФТИ

    31 октября 2025 года состоялось заседание ученого совета ФТИ, на котором тайным голосованием из числа представленных номинаторами выдающихся ученых почетными членами института были избраны академик РАН, научный руководитель Государственного астрономического института им. П.К. Штернберга Анатолий Михайлович Черепащук (Россия) и профессор Университета Монпелье Алексей Николаевич Баранов (Франция).

  • 145 лет со дня рождения академика А.Ф. Иоффе

    Сегодня, 29 октября 2025 года, исполняется 145 лет со дня рождения выдающегося российского и советского учёного, организатора науки, обыкновенно именуемого «отцом советской физики», академика, вице-президента АН СССР, Героя Социалистического Труда, Лауреата Сталинской и Ленинской премий, одного из создателей отечественной школы физиков, пионера исследований полупроводников и инициатора исследований атомного ядра, основателя нашего Института — академика Абрама Фёдоровича Иоффе!

    Подробнее...

  • Выставка Иосифа Зисмана «Форма цвета»

    Приглашаем Вас на открытие выставки работ художника Иосифа Зисмана «Форма цвета», которое состоится завтра, во вторник, 28 октября, в 17:30 в читальном зале Библиотеки.

Основные научные достижения

  • Быстродействующие p-i-n и лавинные фотодиоды на основе узкозонных гетероструктур полупроводников А3В5 для среднего ИК-диапазона
  • Металлоорганический перовскитный перезаписываемый мемристор для нейроморфных операций
  • Оптическая ориентация ионов марганца в GaAs:Mn
  • Деформационная инженерия экситонных и экситон-поляритонных состояний в наноструктурах на основе слоистых полупроводников
  • Достижение субтермоядерных температур в компактном сферическом токамаке Глобус М2
  • Радиометрический метод среднего ИК диапазона определения пироэлектрических и электрокалорических характеристик материалов
  • Рост гексагонального нитрида бора (hBN) на подложках карбида кремния методом сублимации
  • Эффекты квантового электронного храповика в графене
  • Переход металл-полупроводник в нанопленках иттербия, индуцированный адсорбированными молекулами кислорода
  • Межоболочечное взаимодействие в изолированных атомах и эндоэдралах – атомах, помещённых внутрь фуллеренов
  • Микроквазары и двойные гамма-источники как ускорители петавольтных частиц
  • Высокоточный позиционно-чувствительный датчик с подвижной апертурой (Мультискан)