В рамках круглого стола «Широкозонные полупроводниковые и родственные материалы», проводившегося на форуме «Микроэлектроника 2025» директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе,  член-корреспондент РАН С.В. Иванов выступил с докладом о текущих разработках нашего Института в области широкозонной фотоники и электроники на основе перспективных материалов: нитрида галлия, карбида кремния и оксида галлия.

Подробнее в материале пресс-службы РАН