| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 25019 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 323311 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 285 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 28146 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 347747 |
| на статью | 12,4 |
| Индекс Хирша | 177 |
| G-индекс | 296 |
Академик РАН
Р.А. Сурис
1936-2024
15 марта 2018 года ФТИ им. А.Ф. Иоффе и международная Организация ИТЭР (ITER Organization — консорциум по созданию первого в мире экспериментального термоядерного реактора) заключили рамочное Соглашение о сотрудничестве.
Основная цель Соглашения — поддержка совместных работ и академического обмена, а также содействие обучению молодых специалистов.
Подробнее см. в пресс-релизе.
ФТИ им. А.Ф. Иоффе — активный участник проекта ИТЭР, до последнего времени работы по этому международному проекту проводились в рамках соглашений с Государственной Корпорацией «Росатом», которая представляет Россию в проекте ИТЭР. Подписанное соглашение — шаг к ещё более тесному сотрудничеству в одном из наиболее амбициозных проектов современности.
C 1 по 5 марта 2018 года прошла традиционная XXIII Международная зимняя Школа по физике полупроводников, приуроченная к 100-летнему юбилею ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
Основной тематикой научной программы Школы-2018 была физика двумерных полупроводниковых систем. Также было уделено существенное внимание применению двумерных структур в различных областях физики, в химии и биологии. Лекции для студентов, аспирантов и молодых ученых читали ведущие российские специалисты и зарубежные физики из Франции, Германии, Великобритании, Белоруссии.
В работе Школы приняли участие 150 человек из 21 научной организации. На сессии молодых ученых было представлено 12 устных и 18 стендовых докладов.
Школа была организована ФТИ им. А.Ф. Иоффе для студентов, аспирантов и молодых ученых при поддержке Правительства РФ, Российского фонда фундаментальных исследований, ООО «ИоффеЛЕД», Innolume GmbH.
Победителями конкурсной сессии с устными докладами стали:
I место F. Passman (Technical University of Dortmund, Germany) «Anisotropic spin diffusion and spin helix dynamics in CdTe quantum wells»;
II место А.А. Добрецова (Институт физики полупроводников СО РАН, НГУ, Новосибирск) «Электронный газ зоны проводимости широкой (20 nm) HgTe квантовой ямы в магнитном поле»;
III место И.Д. Тофтул (Академический университет, Санкт-Петербург) «Эффект оптического связывания наночастиц над поверхностью нановолокна».
На стендовой секции лучший доклад «Особенности нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней при исследовании облученного кремния» был представлен Д.Д. Митиной (Академический университет, Санкт-Петербург).
С программой Международной зимней школы по физике полупроводников можно ознакомиться на сайте http://www.ioffe.ru/winter_school/programme.html.
С 27 февраля по 2 марта 2018 года в Москве состоялась 13-я международная специализированная выставка лазерной, оптической и оптоэлектронной техники «Фотоника. Мир лазеров и оптики-2018».
В ее работе приняли активное участие лаборатории инфракрасной оптоэлектроники (И.А. Андреева), полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Н.А. Пихтина), квантоворазмерных гетероструктур (С.В. Иванова) и ЦКП «Материаловедение и диагностика в передовых технологиях».
8 февраля отмечается День российской науки.
С поздравлением к научным работникам обратился руководитель ФАНО России Михаил Котюков. В своем поздравлении он обратил внимание на особую роль науки в современном мире и ее исключительную важность для безопасности, суверенитета государства, его экономического и социального развития и для возможности будущего мирового лидерства.
28 декабря 2017 года в Большом актовом зале института по традиции состоялся новогодний праздник для детей, внуков и правнуков сотрудников. Детская музыкальная филармония дала спектакль «Новогодние затеи домовенка Тимоши», который привел в восторг детей и взрослых.
Праздник был организован профкомом и дирекцией ФТИ.
27 октября 2017 года состоялось заседание ученого совета ФТИ, на котором тайным голосованием из числа представленных номинаторами выдающихся ученых почетными членами института были избраны научный руководитель Казанского физико-технического института, академик Кев Минуллинович Салихов (Россия) и лауреат Нобелевской премии по физике (2014 года), профессор Хироси Амано (Hiroshi Amano) (Director, Center for Integrated Research of Future Electronics, Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University).
20 октября 2017 года в рамках Всемирного фестиваля молодежи и студентов (г. Сочи, 14-21 октября) состоялась панельная дискуссия «Наука без границ / наука без барьеров». Одним из лидеров дискуссии выступила старший научный сотрудник лаборатории физики ферроиков Александра Калашникова. Полные фотоотчеты на сайтах фотобанка «Росконгресс» и ТАСС-фото.
Дискуссия была организована Координационным советом по делам молодежи в научной и образовательной сферах при Совете по науке и образованию при Президенте РФ. Лидерами дискуссии выступили Андрей Егоров (Сколково), Камилла Пагани (МГИМО), Александра Калашникова (ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН), Никита Марченков (НИЦ «Курчатовский институт»), Максим Никитин и Дмитрий Зубцов (МФТИ), Жан-Кристоф Модуи (Флетчеровская школа права и дипломатии, Университет Тафтса). В рамках дискуссии докладчики представили аудитории свое видение того, с какими нефинансовыми барьерами приходится сталкиваться молодым ученым в России, рассказали о роли академической мобильности, о важности международных коллабораций, сравнили модели построения взаимоотношений внутри научных групп в российских и зарубежных исследовательских центрах.
С 12 по 14 сентября 2017 года в МВЦ «Крокус-Экспо» прошла 3-я международная специализированная выставка «Импортозамещение».
Одним из участников выставки стал ФТИ. На его стенде были представлены разработки лабораторий инфракрасной оптоэлектроники (И.А. Андреева) и полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Н.С. Пихтина), а также технологические возможности ФЦКП «Материаловедение и диагностика в передовых технологиях».
ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН объявляет дополнительный осенний приём в аспирантуру (10 бюджетных мест) по специальностям:
Прием заявлений и документов проводится c 1 июля по 15 сентября 2017 г.
Сдача экзаменов — с 18 по 30 сентября 2017 г.
Информация о готовности подразделений Института принять аспирантов в таблице.
Подробная информация и список документов для поступления.
19 июня 2017 года ФТИ им. А.Ф. Иоффе посетила делегация Индии, возглавляемая Секретарем Департамента науки и технологии Правительства Индии, профессором Ашутош Шарма (Ashutosh Sharma). Особенный интерес был проявлен в области работ ФТИ по направлению «Солнечная энергетика» под руководством В.М. Андреева.
Делегация также посетила лаб. квантоворазмерных гетероструктур (лаб. С.В. Иванова) и музеи ФТИ.
C 15 по 17 марта 2017 года в ФТИ им. А.Ф. Иоффе прошла Международная научная школа «Эпитаксиальные технологии новых материалов и наноструктур», участие в которой приняли более 90 человек.
Лекции для участников школы читались 5 ведущими иностранными экспертами из Германии, Франции и Финляндии и 10 российскими учеными из передовых технологических центров, таких как ИФП СО РАН (Новосибирск), НИЯУ МИФИ (Москва) и ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
C 19 по 22 марта 2017 года в парк-отеле «Золотая Долина» (Коробицыно, Лен. область) прошел 19 Европейский симпозиум по молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) (EuroMBE19), собравший 130 участников из 15 стран.
В рамках симпозиума состоялась выставка оборудования МПЭ и сопутствующих технологий и материалов, в которой приняли участие 11 ведущих иностранных и российских компаний, среди которых RIBER, Veeco, Wafer Technology, SemiTEq, Azelis и др.
С программой и тезисами докладов симпозиума можно ознакомиться на сайте.
О симпозиуме
Этому мероприятию предшествовали симпозиумы в Л’Алп д’Юэз (Франция, 2011), Леви (Финляндия, 2013) и Канацей (Италия, 2015) в серии, начавшейся в 1981.
В симпозиуме приняло участие более 130 участников из 13 стран Европы, а также США и Китая, которые представили 15 приглашенных, 32 устных и около 60 стендовых докладов. Число участников из РФ превысило 40 человек. В выставке оборудования МПЭ и сопутствующих технологий и материалов симпозиума приняли участие 11 ведущих иностранных и российских компаний, среди которых RIBER, Veeco, Wafer Technology, SemiTEq, Azelis и др.
Симпозиум проводился при частичной поддержке РНФ (грант 15-12-30022) и РФФИ.
О школе
Круг рассмотренных в рамках Школы технологий включал молекулярно-пучковую и газофазную эпитаксии из металлорганических соединений, а также сублимационные, лазерные и химические методы осаждения.
Среди новых материалов, помимо низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур на основе классических соединений А3В5, выращиваемых на гомоэпитаксиальных подложках и на Si, рассматривались наноструктуры на основе нитридов III группы, гетероструктуры широкозонных и узкозонных соединений А2В6, оксидов железа, наноструктуры на основе Si-Ge, эпитаксиальные пленки графена, пленки органических соединений и композитов на их основе.
Школа также проводилась при поддержке гранта РНФ 15-12-30022.
10 марта 2017 года ФТИ посетил замминистра образования и науки Г. В. Трубников. В рамках знакомства с научной инфраструктурой института он посетил сферическй токамак «Глобус-М», где о проводимой модернизации ему рассказали директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе А.Г. Забродский, С.В. Лебедев, а также руководитель В.К. Гусев и сотрудники установки Н.В. Сахаров и В.Б. Минаев. Замминистра также посетил лабораторию Е.И. Терукова и ряд других лабораторий.
6 марта 2017 г. завершила работу очередная Международная зимняя школа по физике полупроводников.
Школа была посвящена полупроводниковой микро- и оптомеханике и последним достижениям в области полупроводниковых композитных структур для диагностики социально значимых заболеваний.
В работе Школы приняли участие 130 человек из 15 научных организаций. На конкурсной молодежной сессии были представлены 12 устных докладов молодых ученых-физиков по материалам собственных оригинальных работ. С 23 сообщениями молодых ученых можно было ознакомиться на стендовой сессии.
В рамках Школы состоялся круглый стол «Есть ли фундаментальные проблемы в современной физике?», который провели директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе, академик А.Г. Забродский и проф. Е.Л. Ивченко.
Традиционно в программу Школы была включена лекция, посвященная работам, отмеченным Нобелевской премией по физике предшествующего, 2016 года. Победителями конкурсной сессии стали:
I место А.А. Жихорева (ФТИ им. А.Ф. Иоффе, СПбПУ Петра Великого);
II место П.Д. Курилович (МФТИ);
III место М.С. Котова (МГУ им. М.В. Ломоносова) и А.С. Шепелев (Академический университет).
Также в рамках молодежной сессии проводилась оценка работ, имеющих инновационную перспективу, для участия в программе «У.М.Н.И.К.». Школа была организована ФТИ им. А.Ф. Иоффе для студентов, аспирантов и молодых ученых при поддержке РФФИ, ФАНО России, ООО «ИоффеЛЕД».
17 ноября 2016 года состоялось заседание Совета РАН по космосу, на котором был заслушан доклад д.ф.-м.н. А.М. Гальпера (НИЯУ «МИФИ») «Результаты 10-летней реализации российско-итальянского проекта «РИМ-Памела» с использованием КА «Ресурс-ДК» N 1».
В решении Совета отмечен вклад ФТИ им. А.Ф. Иоффе в успешную реализацию проекта.
27 декабря 2016 года в актовом зале института состоялось традиционное новогоднее представление для детей, внуков и правнуков сотрудников. Детская музыкальная филармония дала спектакль «Осторожно, Шапокляк!», который привел в восторг всех детей и их родителей.
Праздник был организован профкомом и дирекцией ФТИ.
18-19 ноября 2016 года ФТИ им. А.Ф. Иоффе принял участие в международной выставке «Санкт-Петербургский образовательный форум 2016», организованной Комитетом по науке и высшему образованию Правительства Петербурга.
Стенд посетили зам. министра образования и науки РФ В.Ш. Каганов и председатель Комитета по науке и высшему образованию Правительства Петербурга А.С. Максимов. Разработки представил директор ФТИ А.Г. Забродский.
Институт представил свои разработки мощных полупроводниковых лазеров, сверхярких светодиодов, а также результаты работы над Приоритетной научной задачей «Исследования и разработка принципов и технических решений эффективной и безопасной гибридной ядерной энергетики» — о сооружении сферического токамака Глобус-М2.
18 ноября 2016 года ФТИ посетила постоянный секретарь Академии наук Франции профессор Катрин Брешиньяк. Визит был организован УВС РАН, в связи с празднованием 50-летия юбилея визита Президента Французской республики Шарля де Голля в СССР, в результате которого было подписано первое соглашение о научно-техническом и экономическом сотрудничестве между двумя государствами.
21 октября 2016 года состоялось заседание ученого совета ФТИ, на котором тайным голосованием из числа представленных номинаторами выдающихся ученых почетными членами института были избраны вице-президент РАН, директор Института космических исследований, академик Лев Матвеевич Зелёный (Россия) и профессор Феликс Агаронян (Felix Aharonian, Dublin Institute for Advanced Studies).
28 октября 2016 года завершилось Общее собрание Российской академии наук, на котором состоялись выборы новых членов Академии.
Действительным членом РАН (академиком) избран А.Г. Забродский.
Членами-корреспондентами РАН избраны В.М. Андреев, М.М. Глазов и А.В. Иванчик.
Иностранными членами РАН избраны почетный член ФТИ им. А.Ф. Иоффе с 2008 г. Манфред Байер и почетный член ФТИ им. А.Ф. Иоффе с 1996 г. Фридрих Вагнер.
Академик РАН:
Члены-корреспонденты РАН:
Иностранные члены РАН:
11–16 сентября 2016 в институте проходила Первая российская конференция «Физика — наукам о жизни».
По предварительным данным, общее количество участников конференции более 160 человек. На конференции были представлены 29 приглашенных докладов (включая 4 пленарных). С программой и тезисами докладов конференции можно ознакомиться на ее сайте.