Впервые предложены, реализованы и исследованы оптические решетки экситонов в системах квантовых ям InGaN с барьерами GaN. Впервые удалось наблюдать формирование суперизлучательной экситон-поляритонной моды при комнатной температуре. Для увеличения резонансного оптического отклика системы был разработан и реализован новый дизайн структур с двумя квантовыми ямами в периодической сверхячейке. Для структур с 60 периодами получено резонансное отражение величиной 40% при комнатной температуре.