• Год:2021
    Авторы:Аруев,ПН; Белик,ВП; Забродский,ВВ; Николаев,АВ; Шерстнёв,ЕВ
    Подразделения:

    Представлен новый кремниевый лавинный фотодиод для регистрации вакуумного ультрафиолета в режиме «back-illuminated». Впервые продемонстрирована эффективность регистрации фотонов больше 0.65 электронов на фотон во всём спектральном диапазоне 114 –170 нм. Впервые достигнуты значения внешнего квантового выхода до 7000 электронов на фотон на длине волны 116 нм при обратном смещении 315 В.

    Фотодиод является комбинацией текстурированной поверхности и p++-p- изотипного перехода на основе твёрдого раствора силицида бора, глубиной меньше 30 нм, на обратной стороне кремниевого лавинного фотодиода, с диаметром активной области 1.5 мм. Изотипный переход глубиной меньше 30 нм обеспечивает регистрацию УФ квантов с глубиной поглощения в кремнии порядка 10 нм. Уменьшение потерь на отражение за счёт текстурирования приводит к увеличению эффективности регистрации фотонов без использования диэлектрических покрытий. Совокупность этих особенностей конструкции лавинного фотодиода позволила получить квазипостоянное значение эффективности регистрации фотонов в диапазоне 114-170 нм, а также продемонстрировать рекордные значения эффективности регистрации фотонов в спектральном диапазоне 114-130 нм, в сопоставлении с известными в мировой литературе данными [1].

    Иллюстрации

    Направление ПФНИ 1.3.5.6. Тема Госзадания ФТИ им. А.Ф. Иоффе 0040-2019-0001.

    Публикации

    1. Pavel Aruev et al., Silicon avalanche photodiode with photon detection efficiency superior to 0.65 electrons/photon in the wavelength range of 114 to 170nm, Optical Engineering, 60(7), 077103 (2021).