Web of Science® | |
---|---|
ФТИ в 200022 гг. | |
Статей | 24970 |
Цитируемость | |
суммарная | 322232 |
на статью | 12,9 |
Индекс Хирша | 168 |
G-индекс | 284 |
Scopus® | |
---|---|
ФТИ в 200022 гг. | |
Статей | 28000 |
Цитируемость | |
суммарная | 345495 |
на статью | 12,3 |
Индекс Хирша | 177 |
G-индекс | 295 |
Предсказан новый эффект - генерация поперечного электрического тока при туннелировании спин-поляризованных электронов через нецентросимметричные полупроводниковые барьеры. Направление этого тока определяется спиновой ориентацией электронов и симметрийными свойствами барьера; в частности, ток меняет направление на противоположное, если спин носителей меняет знак. Микроскопическая природа такого «туннельного спин-гальванического эффекта» связана с зависимостью туннельной прозрачности барьера от электронного спина и волнового вектора. Показано, что возможен и обратный эффект - спиновая поляризация электронов, наклонно прошедших через барьер. Построена теория резонансного спин-зависимого туннелирования через двухбарьерные структуры, в которых спиновые эффекты значительно усиливаются. Такие туннельные структуры могут быть использованы в качестве спиновых фильтров и инжекторов.