| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
⇤ первая
« предыдущая
…
1
2
3
4
5
6
7
…
следующая »
последняя ⇥
Всего записей: 434
-
Название: Радиофотонное фотоэлектрическое устройство Патент РФ: #2823170 от 18 июля 2024 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Калиновский,ВС; Контрош,ЕВ; Малевская,АВ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Калиновский,ВС; Контрош,ЕВ; Малевская,АВ Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
- лаб. наногетероструктурных излучателей и фотоприёмников (Шарова,ВА)
-
Название: Вертикально излучающее лазерное устройство Патент РФ: #2823169 от 18 июля 2024 г. Тип: Изобретение Авторы: Капитонов,ВА; Бахвалов,КВ; Шувалова,НВ; Рудова,НА; Лешко,АЮ; Бондарев,АД; Кириченко,ЮК; Пихтин,НА; Слипченко,СО; Шашкин,ИС Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Капитонов,ВА; Бахвалов,КВ; Шувалова,НВ; Рудова,НА; Лешко,АЮ; Бондарев,АД; Кириченко,ЮК; Пихтин,НА; Слипченко,СО; Шашкин,ИС Подразделения: - лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА)
- лаб. полупроводниковых лазерных диодов (Слипченко,СО)
-
Название: Способ получения полимерного диэлектрика Патент РФ: #2821113 от 17 июня 2024 г. Тип: Изобретение Авторы: Пахотин,ВА; Семенов,СЕ; Сударь,НТ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Пахотин,ВА; Семенов,СЕ Подразделения: - лаб. физики прочности (Кадомцева,АГ)
-
Название: Устройство для определения работы выхода электрона Патент РФ: #2821217 от 18 июня 2024 г. Тип: Изобретение Авторы: Кузьмин,МВ; Митцев,МА; Сорокина,СВ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Кузьмин,МВ; Сорокина,СВ Подразделения: - лаб. физики элементарных структур на поверхности (Кузьмина,МВ)
- лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Способ изготовления омического контакта Патент РФ: #2821299 от 19 июня 2024 г. Тип: Изобретение Авторы: Микушкин,ВМ; Маркова,ЕА; Новиков,ДА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Микушкин,ВМ; Маркова,ЕА; Новиков,ДА Подразделения: - лаб. атомных столкновений в твердых телах (Зиновьева,АН)
-
Название: Полупроводниковый электролюминесцентный источник света Патент РФ: #2819316 от 17 мая 2024 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ; Калюжный,НА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ; Калюжный,НА Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
- лаб. наногетероструктурных излучателей и фотоприёмников (Шарова,ВА)
-
Название: Фотоэлектрический концентраторный модуль Патент РФ: #2818993 от 8 мая 2024 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Программа для описания насыщения неустойчивости рассеяния пучка СВЧ волн в результате истощения и стохастического затухания нижнегибридной дочерней волны Свидетельство РФ: #2024619156 от 19 апреля 2024 г. Тип: Программы для ЭВМ Авторы: Попов,АЮ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Попов,АЮ Подразделения: - лаб. теоретического моделирования плазменных процессов (Попова,АЮ)
-
Название: Времяпролетный масс-спектрометр Патент РФ: #225173 от 15 апреля 2024 г. Тип: Полезная модель Авторы: Аруев,НН; Пилюгин,ИИ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Пилюгин,ИИ Подразделения: - лаб. масс-спектрометрии (Павлова,АК)
-
Название: Фотоэлектрический оптоволоконный СВЧ модуль Патент РФ: #2817550 от 16 апреля 2024 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Калиновский,ВС; Контрош,ЕВ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Калиновский,ВС; Контрош,ЕВ Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Солнечный фотоэлектрический модуль с концентратором излучения Патент РФ: #2817554 от 16 апреля 2024 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Малевский,ДА; Давидюк,НЮ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Малевский,ДА; Давидюк,НЮ Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
- лаб. высокоэффективных солнечных фотоэнергосистем (Маричева,АЕ)
-
Название: Вертикально-излучающий лазер Патент РФ: #225254 от 16 апреля 2024 г. Тип: Полезная модель Авторы: Блохин,СА; Малеев,НА; Бобров,МА; Блохин,АА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Блохин,СА; Малеев,НА; Бобров,МА; Блохин,АА Подразделения: - лаб. лазерных излучателей для компактных атомных сенсоров (Блохина,СА)
- лаб. квантовой фотоники (Жмерика,ВН)
-
Название: Полихроматор Патент РФ: #2816250 от 27 марта 2024 г. Тип: Изобретение Авторы: Курскиев,ГС; Коваль,АН; Мухин,ЕЕ; Толстяков,СЮ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Курскиев,ГС; Коваль,АН; Мухин,ЕЕ; Толстяков,СЮ Подразделения: - лаб. физики высокотемпературной плазмы (Гусакова,ЕЗ)
- лаб. лазерной диагностики плазмы и взаимодействия плазмы с поверхностью (Мухина,ЕЕ)
- лаб. методов нагрева и генерации тока плазмы (Гусакова,ЕЗ)
-
Название: Способ выращивания полупроводниковой пленки Патент РФ: #2814063 от 21 февраля 2024 г. Тип: Изобретение Авторы: Жмерик,ВН; Нечаев,ДВ; Семенов,АН Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Жмерик,ВН; Нечаев,ДВ; Семенов,АН Подразделения: - лаб. оптики кристаллов и гетероструктур с экстремальной двумерностью (Торопова,АА)
-
Название: Газоаналитический мультисенсорный чип на основе фосфорилированного графена и способ его изготовления Патент РФ: #2814054 от 21 февраля 2024 г. Тип: Изобретение Авторы: Рабчинский,МК; Сысоев,ВВ; Рыжков,СА; Стручков,НС; Соломатин,МА; Варежников,АС; Савельев,СД; Габрелян,ВС; Столярова,ДЮ; Кириленко,ДА; Саксонов,АА; Павлов,СИ; Брунков,ПН Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Рыжков,СА; Савельев,СД; Кириленко,ДА; Саксонов,АА; Павлов,СИ; Брунков,ПН Подразделения: - лаб. двумерных материалов для устройств микроэлектроники (Прасолова,НД)
- лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
-
Название: Газоаналитический мультисенсорный чип на основе графена, модифицированного наночастицами благородных металлов, и способ его изготовления Патент РФ: #2814586 от 1 марта 2024 г. Тип: Изобретение Авторы: Рабчинский,МК; Сысоев,ВВ; Рыжков,СА; Стручков,НС; Соломатин,МА; Варежников,АС; Червякова,ПД; Габрелян,ВС; Столярова,ДЮ; Полукеева,АВ; Кириленко,ДА; Байдакова,МВ; Петухов,ВА; Павлов,СИ; Брунков,ПН Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Рыжков,СА; Червякова,ПД; Полукеева,АВ; Кириленко,ДА; Байдакова,МВ; Павлов,СИ; Брунков,ПН Подразделения: - лаб. двумерных материалов для устройств микроэлектроники (Прасолова,НД)
- лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
-
Название: Газоаналитический мультисенсорный чип на основе аминированного графена, модифицированного наночастицами гидроксидов и оксидов никеля, и способ его изготовления Патент РФ: #2814613 от 1 марта 2024 г. Тип: Изобретение Авторы: Рабчинский,МК; Сысоев,ВВ; Рыжков,СА; Стручков,НС; Соломатин,МА; Варежников,АС; Червякова,ПД; Савельев,СД; Габрелян,ВС; Улин,НВ; Кириленко,ДА; Павлов,СИ; Брунков,ПН Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Рыжков,СА; Червякова,ПД; Савельев,СД; Улин,НВ; Кириленко,ДА; Павлов,СИ; Брунков,ПН Подразделения: - лаб. двумерных материалов для устройств микроэлектроники (Прасолова,НД)
- лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
-
Название: Single crystal diamond containing detonation diamond, polycrystalline diamond particles with single crystalline diamond containing detonation diamond, and method for producing polycrystalline diamond particles having single crystalline diamond containing Патент М: #JP7382692 от 9 ноября 2023 г. Тип: Изобретение Авторы: Шахов,ФМ; Вуль,АЯ; Осима,Рюдзи; Иидзука,Кандзи Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН; DISCO CORPORATION Авторы - сотрудники ФТИ: Шахов,ФМ; Вуль,АЯ Подразделения: - лаб. физики кластерных структур (Дидейкина,АТ)
-
Название: Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя на основе GaInAsSb Патент РФ: #2813746 от 16 февраля 2024 г. Тип: Изобретение Авторы: Сорокина,СВ; Хвостиков,ВП; Васильев,ВИ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Сорокина,СВ; Хвостиков,ВП; Васильев,ВИ Подразделения: - лаб. интегральной оптики на гетероструктурах (Соколовского,ГС)
- лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Способ изготовления нанопорошка никель-цинкового феррита Патент РФ: #2813525 от 12 февраля 2024 г. Тип: Изобретение Авторы: Мартинсон,КД; Сахно,ДД; Беляк,ВЕ; Попков,ВИ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Мартинсон,КД; Сахно,ДД; Попков,ВИ Подразделения: - лаб. материалов и процессов водородной энергетики (Попкова,ВИ)
⇤ первая
« предыдущая
…
1
2
3
4
5
6
7
…
следующая »
последняя ⇥