Название:	Пайерлсовское спиновое взаимодействие примесных электронов и фазовый переход изолятор - металл в легированных полупроводниках
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ
Научная дисциплина:	02-208 Магнитные явления 02-210 Низкие температуры и сверхпроводимость
Ключевые слова:	спин-спиновое взаимодействие, спиновый эффект Пайерлса, электронный низкотемпературный транспорт, электронный парамагнитный резонанс, фазовый переход изолятор-металл, легированный полупроводник
Время действия проекта:	2010-2012
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Забродский,АГ
Подразделения:	лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН)
Код проекта:	10-02-00629
Финансирование 20 г.:	950000
Исполнители:	Алексеенко,МВ: лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН) Вейнгер,АИ: лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН) Жуков,АК: лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН) Ионов,ЛН: лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН) Королева,НА: лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН) Плиско,ЛП: лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН) Семенихин,ПВ: лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН) Тиснек,ТВ: лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН)

Проект направлен на исследование обнаруженного при выполнении предшествующего проекта РФФИ нового фундаментального явления: искажения решетки немагнитного легированного полупроводника Ge:As в результате обменного взаимодействия электронных спинов примесей As. Явление имеет место в изоляторном состоянии в непосредственной близости от критической точки фазового перехода изолятор-металл. Предполагается, что оно характерно и для других полупроводников, содержащих мелкие примеси с взаимодействующими спинами. Поэтому, в ходе выполнения проекта будут решены методические вопросы экспериментального исследования этого явления, как для модельной структуры Ge:As, так и для систем Si:P и SiC:N. С этой целью будут использованы и другие методы исследования эффекта: измерение статической магнитной восприимчивости и рентгеновский анализ. Будет изучено влияние искажения решетки на низкотемпературный прыжковый транспорт в системе Ge:As и точку перехода изолятор-металл. Будет исследовано влияние на указанный выше анизотропный эффект искажения решетки наличия компенсирующих примесей, уменьшающих спиновую плотность и создающих хаотическое электрическое поле.