| Название: | Полупроводниковые наногетероструктуры на основе вертикально-связанных InGaAs квантовых точек для поляризационно-стабильных быстродействующих вертикально-излучающих лазеров |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ |
| Научная дисциплина: | 09-02-00848-а, Теоретическое и экспериментальное исследование диссипативных солитонов в вертикально-излучающих полупроводниковых лазерах с насыщающимся поглотителем на квантовых точках FP7-ICT-2007-2-224211, Проект 7й рамочной программы Европейского сообще |
| Ключевые слова: | квантовые точки, наногетероструктуры, вертикально-излучающие лазеры, поляризация, усиление, частота модуляции |
| Время действия проекта: | 2009- 2010 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Устинов,ВМ |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 09-02-12411 |
| Финансирование 2009 г.: | 2000000 |
| Исполнители: |
Блохин,СА: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
Васильев,АП: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
Гладышев,АГ: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
Карачинский,ЛЯ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Кузьменков,АГ: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
Малеев,НА: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
Надточий,АМ: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
Неведомский,ВН : лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
|
Проект направлен на создание активной области нового типа на основе субмонослойных вертикально-связанных InGaAs квантовых точек, необходимой для реализации поляризационно-стабильных и быстродействующих вертикально-излучающих лазеров спектральных диапазонов 850/980 нм. Для достижения поставленной цели в рамках настоящего проекта предполагается решение двух взаимосвязанных задач: 1) Поиск путей увеличения оптической анизотропии и дифференциального усиления для активных областей на основе квантово-размерных InGaAs гетероструктур, излучающих в спектральных диапазонах 850/980 нм. Будут изучены механизмы формирования структурной анизотропии в наногетероструктурах в режиме вертикального связывания и/или при субмонослойного осаждении. Будет исследована модификации зонной структуры субмонослойных InGaAs наногетероструктур в случае вертикального электронного связывания. Будет проведен анализ материального усиления и поляризационных свойств оптического излучения синтезированных квантово-размерных InGaAs гетероструктур. 2) Поиск путей повышения быстродействия вертикально-излучающих лазеров (ВИЛ) спектрального диапазона 850/980 нм на основе массивов InGaAs квантовых точек. Будет разработана самосогласованная модель вертикально-излучающего лазера и проведено численное моделирование с целью комплексной оптимизации эпитаксиальной структуры ВИЛ с учетом особенностей разрабатываемой активной области. Будут исследованы статические и динамические характеристики, а также поляризационные свойства излучения экспериментальных образцов 850/980нм ВИЛ-диодов. По результатам проекта планируется, как существенно расширить понимание физических процессов формирования оптической анизотропии и механизмов генерации/усиления света в наногетероструктурах с вертикально-связанными квантовыми точками, так и заложить основы для разработки и создания уникальных инжекционных источников излучения в ближнем инфракрасном диапазоне на основе массивов самоорганизованных квантовых точек, перспективных для применения в оптических датчиках перемещения и цифровых оптоволоконных линиях связи нового поколения.
