Название:	Высокоэффекивные двухсторонние фотопреобразователи на основе наногетероструктур
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	08 - ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ОСНОВЫ ИНЖЕНЕРНЫХ НАУК
Научная дисциплина:	02-202 Полупроводники 02-205 Нано- и микроструктуры
Ключевые слова:	фотопреобразователь, МОС - гидридная эпитаксия, математическое моделирование, каскадный солнечный элемент
Время действия проекта:	2012-2014
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Лантратов,ВМ
Подразделения:	лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
Код проекта:	12-08-01034
Финансирование 2012 г.:	500000
Исполнители:	Гудовских,АС: лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ) Емельянов,ВМ: None Калюжный,НА: лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ) Минтаиров,СА: лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ) Минтаиров,МА: None Салий,РА: None Тимошина,НХ: лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ) Шварц,МЗ : лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)

Увеличение КПД фотоэлектрических преобразователей является важнейшей задачей, как при проектировании космических фотоэнергоустановок, так и наземных солнечных батарей. Наиболее эффективными на сегодняшний день являются многопереходные каскадные элементы на основе решеточно согласованных Ga0.5In0.5P/Ga0.99In0.01As/Ge. Однако при этом не достигается теоретически оптимальные дизайн, так так германий имеет достаточно малую ширину запрещенной зоны в сравнении с двумя другими субэлементами. Одним из возможных путей создания оптимальной структуры трехпереходного СЭ является рост на двух сторонах полупроводниковой подложки. При этом GaInP/GaInAs переходы выращиваются на одной стороны в решоточно согласованными с подложкой, а нижний переход на основе GaInAs с шириной запрещенной зоны большей Ge выращивается на другой стороне через буфер с переменным составом In.