3-й Симпозиум "Полупроводниковые лазеры: физика и технология" состоится в Федеральном государственном бюджетном учреждении науки Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук (г. Санкт-Петербург) и в Санкт-Петербургском академическом университете ? научно-образовательном центре нанотехнологий РАН с 13 по 16 ноября 2012 года. Организатором симпозиума является ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Симпозиум является научным форумом, в котором участвуют все ведущие научные учреждения РФ, занимающиеся фундаментальными исследованиями в области получения и исследования когерентного оптического излучения полупроводниковых соединений и структур. К рассматриваемым на Симпозиуме разделам относятся: исследование мощного когерентного излучения инжекционных лазеров, физические процессы в лазерных структурах, полупроводниковые лазеры с оптической и электронной накачкой, униполярные полупроводниковые лазеры, перспективные направления создания оптических когерентных источников, физика разрушения и деградации излучательных полупроводниковых структур и т.п. 1-й Симпозиум "Полупроводниковые лазеры: физика и технология" состоялся в Санкт - Петербурге в 2008 году; 2-й ? в Санкт - Петербурге в 2010 году. Участниками Симпозиума было принято решение проводить Симпозиум регулярно раз в два года. Участие ученых Санкт-Петербурга, а также участников из Москвы, Нижнего Новгорода, Воронежа, Саратова, Томска и др. в работе Симпозиума позволяет представить результаты на широкое научное обсуждение и поставить новые научные цели в области изучения фундаментальных основ когерентного оптического излучения полупроводниковых структур. 6.6.Председатель оргкомитета: Тарасов Илья Сергеевич
