| Название: | III-N гетероструктуры на основе нитевидных нанокристаллов на подложках кремния. Разработка технологии роста методами МОС-гидридной и молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств. |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ |
| Научная дисциплина: | 02-202 Полупроводники |
| Ключевые слова: | эпитаксия, нитрид галлия, нитевидные нанокристаллы, кремний, светодиод |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Лундин,ВВ |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 13-0242082 |
| Финансирование 2013 г.: | 3400000 |
| Исполнители: |
Бекман,ЮГ: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
Давыдов,ДВ: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
Дубровский,ВГ: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
Заварин,ЕЕ: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
Рожавская,ММ: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
Сахаров,АВ: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
Сибирев,НВ: None
Синицын,МА: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
Трошков,СИ : лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
|
Совмещение кремниевой электроники с опотоэлектроникой на основе прямозонных соединений является одним из самых привлекательных направлений развития технологии полупроводников, причем особый интерес в этом направлении представляют III-N соединения. Основными используемыми подложками для эпитаксии нитридов являются сапфир, карбид кремния и, в последние годы, кремний, что приводит к высокой плотности дислокаций в структурах. Ранее было показано [Н. Sekiguchi, Т. Nakazato, A. Kikuchi, and К. Kishino: J. Cryst. Growth 300 (2007) 259.], что при выращивании структур с субмикронными латеральными размерами возможно получение бездефектных наноструктур, а сами они могут быть выращены с высокой плотностью (более 108 см-2). В ходе выполнения предлагаемого проекта планируется решение следующего ряда связанных задач: - Изучение механизмов селективной эпитаксии нитевидных наноструктур на основе GaN - развитие технологии формирования бездефектных наноструктур на подложках кремния методом МОС-гидридной эпитаксии с использованием как безкаталитической самоорганизации, так и фотолитографии - развитие технологии формирования бездефектных наноструктур на подложках кремния методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) - развитие теоретических моделей роста нитевидных наноструктур, в том числе переработка ранее созданных моделей роста нитевидных наноструктур методом МПЭ для описания их роста методом МОС-гидридной эпитаксии - исследование свойств таких структур в зависимости от методов и режимов формирования. В результате проекта будет создан научный задел для разработки новых типов эпитаксиальных структур и приборов на основе полученных новых знаний.
