| Название: | Фундаментальные проблемы разработки вертикально-излучающих лазеров на основе AlInGaAs наногетероструктур для создания сверхминиатюрных квантовых стандартов частоты |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ |
| Научная дисциплина: | Фондов, имеющихся у коллектива и соответствующих выбранной теме 1) Программа фундаментальных исследований ОФН РАН Ш-7 "ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ АСПЕКТЫ ФИЗИКИ И ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЛАЗЕРОВ, КАК ОСНОВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ФОТОНИКИ И КВАНТОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ", проект |
| Ключевые слова: | наногетероструктуры, вертикально-излучающие лазеры, пространственно-одномодовый режим генерации, стабилизация поляризации, температурная стабильность, ширина спектра излучения, шумы лазера, квантовые стандарты частоты |
| Время действия проекта: | 2013-2015 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Устинов,ВМ |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 13-02-12142 |
| Финансирование 2013 г.: | 2000000 |
| Исполнители: |
Блохин,СА: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
Бобров,МА: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
Васильев,АП: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
Вашанова,КА: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
Задиранов,ЮМ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Кузьменков,АГ: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
Кулагина,ММ: лаб. полупроводниковой квантовой электроники (Гуревича,СА)
Малеев,НА: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
Павлов,ММ : лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
|
Проект направлен на решение фундаментальной проблемы исследований полупроводниковых наногетероструктур на основе напряженных квантовых ям (КЯ) и квантовых точек (КТ) в системе материалов AlInGaAs применительно к задаче создания на их основе пространственно-одномодовых температурно-стабильных вертикально-излучаюпщх лазеров (ВИЛ) спектральных диапазонов 780-795 и 850-895 нм с фиксированной поляризацией излучения, пригодных для практического использования в сверхминиатюрных квантовых стандартах частоты. В рамках настоящего проекта предполагается решение нескольких взаимосвязанных задач: 1) Исследования оптических и электрофизических характеристик полупроводниковых наногетероструктур на основе напряженных КЯ и КТ в системе материалов AlInGaAs, синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, потенциально пригодных для реализации лазерных излучателей спектральных диапазонов 780-795 и 850-895 нм. 2) Теоретическое и экспериментальное исследование способов обеспечения стабильной пространственно-одномодовой генерации с фиксированной поляризацией выходного излучения в структурах ВИЛ, пригодных для практической реализации потенциально надежных приборов, работающих в диапазоне температур 70-85С. 3) Теоретический анализ и экспериментальные исследования способов уменьшения ширины линии лазерного излучения и снижения уровня частотных пгумов пространственно-одномодовых ВИЛ спектральных диапазонов 780-795 и 850-895 нм. 4) Экспериментальная реализация пространственно-одномодовых температурно-стабильных ВИЛ спектральных диапазонов 780-795 и 850-895 нм с фиксированной поляризацией излучения, исследование их статических и динамических характеристик в широком диапазоне температур. 1) По результатам проекта планируется расширитъ понимание физических процессов, определяющих приборные характеристики пространственно-одномодовых поляризационно-стабильных вертикально-излучающих лазеров спектральных диапазонов 780-795 и 850-895 нм с активными областями на основе напряженных КЯ и квантовых точек КТ в системе материалов AlInGaAs, a также заложить основы для разработки и создания потенциально надежных источников лазерного излучения для сверхминиатюрных квантовых стандартов частоты.
