| Название: | Узкозонные наногетеросистемы на основе с оединений InSb с общим анионом кристаллической решетки матрицы |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 |
| Научная дисциплина: | 02-202 Полупроводники |
| Ключевые слова: | наногетероструктуры, квантовые точки, квантовые штрихи, спектроскопия, люминесценция, магнитотранспорт |
| Время действия проекта: | 2014-2016 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Санкин,ВИ |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 14-02-01102 |
| Финансирование 2013 г.: | 600000 |
| Исполнители: |
Абрамов,ПЛ: лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)
Андрианов,АВ: лаб. нелинейных оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниках (Белькова,ВВ)
Бобылев,АВ: лаб. нелинейных оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниках (Белькова,ВВ)
Захарьин,АО: лаб. нелинейных оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниках (Белькова,ВВ)
Лепнева,АА: лаб. электроники полупроводников с большой энергией связи (Мохова,ЕН)
Монахов,АМ: None
Нагалюк,СС: лаб. электроники полупроводников с большой энергией связи (Мохова,ЕН)
Петров,АГ: сектор теоретических основ микроэлектроники (Зегри,ГГ)
Шкребий,ПП : лаб. электроники полупроводников с большой энергией связи (Мохова,ЕН)
|
Проект посвящен разработке нанотехнологии создания гетероструктур на основе нанообъектов с пониженной размерностью (квантовых точек, квантовых штрихов и др.) в матрице соединений А3В5, обогащенных антимонидами, и изучению структурных, транспортных, люминесцентных и фотоэлектрических свойств гетеросистем с общим анионом в кристаллической решетке. Впервые наногетероструктуры на основе соединений антимонидов будут получены в едином эпитаксиальном процессе методом газофазной эпитаксии из металлоорга нических соединений (МОГФЭ), который позволяет наращивать данные твердые растворы при низких температурах роста (T<520°C), ниже температуры плавления InSb. Будут предложены новые подходы к синтезу эпитаксиальных слоев на основе многокомпонентных твер дых растворов предельного состава (In -Sb-P и Ga-As -Sb), Будут рассмотрены наносистемы, имеющие общий элемент (Sb) в кристаллической решетке матрицы и материале нанообъекта. Впервые будет изучена эволюция формирования квантовых точек InSb от системы с общим катионом (InSb/InAs ) к системе с общим анионом (InSb/GaAs Sb) и квазисогласованной системе (InSb/InSbP). Контроль состава твердой фазы матрицы дает дополнительную степень свободы в управлении зонной эн ергетической диаграммы всей гетероструктуры, что позволяет трансформировать гетеропереход II типа InSb/InAs (Sb,P) в гетеропереход I типа InSb/Ga(In)As Sb. Методами атомно -силовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии будут исследованы стру ктурные характеристики квантовых точек и квантовых штрихов InSb как полученных на открытой поверхности матрицы с общим анионом в кристаллической решетки, так и вставленных в матрицу (размеры, плотность распределения, однородность массивов и др.) в зависимости от условий выращивания и химич еской природы поверхности матрицы. В прикладном плане такие исследования позволят применить новые подходы к созданию оптоэлектронных приборов (лазеры, светодиоды и фотодетекторы) для среднего ИК-диапазона 2-5 мкм.
