Web of Science®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 23023
Цитируемость
суммарная 291193
на статью 12.6
Индекс Хирша 163
G-индекс 273
Scopus®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 25244
Цитируемость
суммарная 310152
на статью 12.3
Индекс Хирша 172
G-индекс 286
Основные достижения
Отчет ФТИ 2020
 

Основные достижения 2020 года

Перечень 

Метаморфные наногетероструктуры InSb/InAs/In(Ga,Al)As/GaAs для электроники и оптоэлектроники среднего ИК диапазона 2.6—4.5 мкм

Чернов,МЮ; Соловьев,ВА; Комков,ОС; Фирсов,ДД; Побат,ДВ; Андреев,АД; Ситникова,АА; Иванов,СВ
лаб. оптики кристаллов и гетероструктур с экстремальной двумерностью (Торопова,АА)
лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
лаб. физической и функциональной микроэлектроники (Сейсяна,РП)
лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)

Развит метаморфный подход, позволяющий создавать методом молекулярно-пучковой эпитаксии эффективные источники излучения среднего ИК диапазона (λ = 2.6—4.5 мкм) [1] и гетероструктуры с высокой подвижностью электронов в двумерном канале In0.75Ga0.25As (μ~ 1.7*105 см2/(В∙с) при T = 1.3 K) [2] на подложках GaAs, рассогласованных по параметру решётки с активной областью структур более, чем на 5%. Разработаны эффективные методы снижения плотности протяжённых дефектов в активной области гетероструктур InSb/InAs/In(Ga,Al)As/GaAs до значений ≤ 107 см-2, заключающиеся в использовании оригинального метаморфного буферного слоя (МБС) InxAl1-xAs с корневым профилем изменения состава, а также в обеспечении баланса упругих механических напряжений в волноводных и квантоворазмерных слоях [1]. Методами численного моделирования получены распределения дислокаций несоответствия и упругих напряжений вдоль направления роста МБС InAlAs с различными градиентами состава (ступенчатым, линейным, корневым), наблюдавшиеся ранее экспериментально [3]. На подложках GaAs реализованы первые прототипы метаморфных светодиодных гетероструктур InSb/InAs/In(Ga,Al)As, излучающие в диапазоне 3.1—3.8 мкм со значением внутренней квантовой эффективности 5% при 300К, а также лазерные гетероструктуры, демонстрирующие стимулированное излучение на длине волны 2.86 мкм при 60 К.

Иллюстрации

Рис. 1. Спектры ФЛ метаморфных гетероструктур InSb/InAs/In(Ga,Al)As при T= 300 и 12 K

Рис. 2. ПЭМ изображение метаморфной волноводной гетероструктуры InSb/InAs/In(Ga,Al)As

Яндекс.Метрика
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе