Впервые в рамках единой многопереходной полупроводниковой гетероструктуры интегрированы функции эффективного мощного лазерного излучателя и быстрого сильноточного ключа. Продемонстрированы пиковые мощности для многомодового одиночного импульсного излучателя — 50 Вт и микролинейки — 210Вт. Впервые с помощью приборов в интегральном исполнении реализована генерация управляемой последовательности лазерных импульсов с параметрами, сопоставимыми с лазерами с внешними драйверами (длительность 17 нс, пиковая мощность 3.2 Вт, частота до 8 МГц. для многомодовых излучателей; пиковая мощность 1.6 Вт, длительность 100пс, частота до 0.5 МГц.для одномодовых импульсных излучателей).

Источники будут использоваться для решения широкого спектра практических задач, связанных с мониторингом и дальнометрией, а также в специальных приложениях, требующих минимальные массогабариты и максимальную устойчивость к воздействию динамических перегрузок и специальных факторов.

Публикации

1. Soboleva O.S., Podoskin A.A., Golovin V.S., Gavrina P.S., Romanovich D.N., Vavilova L.S., Yuferev V.S., Pikhtin N.A., Slipchenko S.O., Spatial current dynamics of turn-on of high-power laser-thyristors based on AlGaAs/GaAs heterostructures, PROCEEDINGS - INTERNATIONAL CONFERENCE LASER OPTICS 2018, p. 8435422
2. Golovin V.S., Romanovich D.N., Soboleva O.S., Podoskin A.A., Gavrina P.S., Veselov D.A., Vo-ronkova N.V., Slipchenko S.O., Pikhtin N.A., Modelling subnanosecond pulse generation by a two-section laser-thyristor, PROCEEDINGS - INTERNATIONAL CONFERENCE LASER OPTICS 2018, p. 8435847.