Web of Science® | |
---|---|
ФТИ в 200022 гг. | |
Статей | 24970 |
Цитируемость | |
суммарная | 322232 |
на статью | 12,9 |
Индекс Хирша | 168 |
G-индекс | 284 |
Scopus® | |
---|---|
ФТИ в 200022 гг. | |
Статей | 27998 |
Цитируемость | |
суммарная | 345495 |
на статью | 12,3 |
Индекс Хирша | 177 |
G-индекс | 295 |
Проблема неоднородности внутренней структуры кристаллических материалов электронной техники не решена до сих пор. Реальные кристаллы содержат микронеоднородности с размерами от долей микрона до нескольких микрон: трещины, поры, включения и области, в которых наблюдается слабое изменение плотности по отношению к матрице. Полную картину с изображением этих дефектов можно получить неразрушающим методом фазово-контрастного изображения объектов на просвет в синхротронном излучении (СИ). Однако для определения их параметров, а именно: размеров, формы, плотности распределения, требуется развивать способы решения обратной задачи. Экспериментально исследованы монокристаллы карбида кремния (SiC) большого диаметра (6–8 дюймов) для промышленных применений. Разработана количественная фазово–контрастная технология для диагностики микропор в пространственно-неограниченном пучке СИ от источников с малым эмиттансом. Путем моделирования изображений микропор установлены закономерности их образования и эволюции при кристаллизации SiC.
Публикации