• Год:2022
    Авторы:Мохов,ЕН; Давыдов,ВЮ; Смирнов,АН; Нагалюк,СС
    Подразделения:

    Продемонстрирована возможность роста с использованием метода высоко -температурной сублимации из газовой фазы гексагонального нитрида бора (hBN) высокого структурного совершенства на подложках гексагонального карбида кремния (SiC). В данной работе линейный размер выращенных образцов был ограничен только размерами подложки (15мм) (Рис.1), однако этот метод позволяет выращивать монокристаллы SiC диаметром до 4 дюймов. Полученные результаты указывают на перспективность использования данного метода для формирования в ходе одного технологического процесса высоко качественных гетероструктур hBN/SiC большой площади, которые имеют высокий потенциал для приборных применений. Методом ФЛ было установлено, что в процессе высокотемпературного роста монокристаллы hBN оказываются легированными примесью углерода (Рис.2). Дефекты, связанные с примесью углерода в hBN представляют интерес с точки зрения создания на их основе источников одиночных фотонов. Люминесценция таких дефектов в hBN является спин зависимой, что открывает перспективы их использования для квантовых технологий.

    Иллюстрации

    Поверхность кристалла hBN после роста на подложке 6H-SiC.

    Спектр ФЛ образца hBN, выращенного на подложке SiC (красный спектр) и спектр ФЛ образца hBN HQ Graphene (синий спектр).

    Работа выполнена в рамках Государственного задания, темы № 0040-2019- 0016 и 0040-2019-0006

    Направление ПФНИ 1.3.2.4.

    Публикации

    1. Е.Н. Мохов, В.Ю. Давыдов, А.Н. Смирнов, С.С. Нагалюк. Рост гексагонального нитрида бора (hBN) на подложках карбида кремния методом сублимации. Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, вып.10, с.1011-1015