Предложены и экспериментально реализованы новые физические принципы подавления генерации мод высокого порядка в инжекционных лазерах, основанные на пространственной и спектральной селекции. В качестве пространственно-селектирующего элемента применялся эпитаксиальный фотонный кристалл и дифракционный фильтр, в качестве спектрально–селектирующего — массив штрихов микронного размера вдоль оси лазернойго резонатора. Продемонстрирован режим одномодовой лазерной генерации в сверхшироких волноводах толщиной 8 мкм и фазированное излучение в линейке одномодовых излучателей в диапазоне 980 нм, а также увеличение до 700 мВт оптической мощности одномодового лазера на квантовых точках InAs при непрерывной накачке в диапазоне длин волн 1–3 мкм.