| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 23785 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 308212 |
| на статью | 13,0 |
| Индекс Хирша | 167 |
| G-индекс | 279 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 27090 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 337129 |
| на статью | 12,4 |
| Индекс Хирша | 176 |
| G-индекс | 294 |
⇤ первая
« предыдущая
…
13
14
15
16
17
18
следующая »
последняя ⇥
Всего записей: 345
-
Название: Концентраторный солнечный элемент Патент РФ: #2407108 от 20 декабря 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Румянцев,ВД; Терра,АР; Гудовских,АС; Лантратов,ВМ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Терра,АР; Гудовских,АС Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Способ контроля содержания магнитных примесей в наноалмазах детонационного синтеза Патент РФ: #2388688 от 10 мая 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Алексенский,АЕ; Байдакова,МВ; Вейнгер,АИ;Вуль,АЯ; Вуль,СП; Яговкина,МА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Алексенский,АЕ; Байдакова,МВ; Вуль,АЯ; Вуль,СП; Яговкина,МА Подразделения: - лаб. физики кластерных структур (Дидейкина,АТ)
- лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
- лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН)
- лаб. физики аморфных полупроводников (Голубева,ВГ)
-
Название: Устройство для определения положения светового пятна Патент РФ: #2399023 от 10 сентября 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Подласкин,БГ; Гук,ЕГ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Подласкин,БГ; Гук,ЕГ Подразделения: - лаб. оптоэлектроники и голографии (Муратикова,КЛ)
-
Название: Координато-чувствительный датчик Мультискан Патент РФ: #2399117 от 10 сентября 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Подласкин,БГ; Гук,ЕГ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Подласкин,БГ; Гук,ЕГ Подразделения: - лаб. оптоэлектроники и голографии (Муратикова,КЛ)
-
Название: Устройство для определения положения светового пятна Патент РФ: #2399022 от 10 сентября 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Подласкин,БГ; Гук,ЕГ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Подласкин,БГ; Гук,ЕГ Подразделения: - лаб. оптоэлектроники и голографии (Муратикова,КЛ)
-
Название: Термоэлектрический элемент Патент РФ: #2376681 от 20 декабря 2009 г. Тип: Изобретение Авторы: Вуль,АЯ; Эйдельман,ЕД Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Вуль,АЯ; Эйдельман,ЕД Подразделения: - лаб. физики кластерных структур (Дидейкина,АТ)
-
Название: Способ определения фотоэлектрических параметров высокоомных полупроводников Патент РФ: #2383081 от 27 февраля 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Брюшинин,МА; Соколов,ИА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Брюшинин,МА; Соколов,ИА Подразделения: - лаб. физики анизотропных материалов (Кумзерова,ЮА)
-
Название: Двухсекционный лазер Патент РФ: #2383093 от 27 февраля 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Портной,ЕЛ; Гаджиев,ИМ; Соболев,ММ; Бакшаев,ИО Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Портной,ЕЛ; Гаджиев,ИМ; Соболев,ММ Подразделения: - лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
- лаб. интегральной оптики на гетероструктурах (Соколовского,ГС)
-
Название: Способ изготовления детектора короткопробежных частиц Патент РФ: #2378738 от 10 января 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Еремин,ВК; Вербицкая,ЕМ; Еремин,ИВ; Тубольцев,ЮВ; Егоров,НН; Голубков,СА; Коньков,КА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Еремин,ВК; Вербицкая,ЕМ; Еремин,ИВ; Тубольцев,ЮВ Подразделения: - лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН)
- лаб. масс-спектрометрии (Аруева,НН)
- лаб. физико-химических свойств полупроводников (Терукова,ЕИ)
-
Название: Фотоэлектрический модуль Патент РФ: #2395136 от 20 июля 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ; Ионова,ЕА; Нахимович,МВ; Румянцев,ВД; Садчиков,НА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ; Ионова,ЕА; Нахимович,МВ; Садчиков,НА Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Полупроводниковое переключающее устройство Патент РФ: #97006 от 20 августа 2010 г. Тип: Полезная модель Авторы: Грехов,ИВ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Грехов,ИВ Подразделения: - лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
-
Название: Высоковольтный полупроводниковый прибор Патент РФ: #2395869 от 27 июля 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Грехов,ИВ; Рожков,АВ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Грехов,ИВ; Рожков,АВ Подразделения: - лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА)
- лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
-
Название: Способ изготовления интегрированных Шоттки-pn диодов на основе карбида кремния Патент РФ: #2395868 от 27 июля 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Грехов,ИВ; Иванов,ПА; Потапов,АС; Самсонова,ТП; Коньков,ОИ; Ильинская,НД Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Грехов,ИВ; Самсонова,ТП; Коньков,ОИ; Ильинская,НД Подразделения: - лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
- лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
- лаб. физико-химических свойств полупроводников (Терукова,ЕИ)
-
Название: Способ определения координат заряженных частиц Патент РФ: #2379711 от 20 января 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Подласкин,БГ; Гук,ЕГ; Сотникова,ГЮ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Подласкин,БГ; Гук,ЕГ; Сотникова,ГЮ Подразделения: - лаб. оптоэлектроники и голографии (Муратикова,КЛ)
-
Название: Интерферометр для определения объемного распределения оптических свойств объекта Патент РФ: #89690 от 15 декабря 2009 г. Тип: Полезная модель Авторы: Бабенко,ВА; Малый,АФ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Бабенко,ВА; Малый,АФ Подразделения: - лаб. оптоэлектроники и голографии (Муратикова,КЛ)
-
Название: Способ получения нитридной пленки на поверхности гетероструктуры на основе GaSb Патент РФ: #2370854 от 20 октября 2009 г. Тип: Изобретение Авторы: Берковиц,ВЛ; Куницына,ЕВ; Львова,ТВ; Улин,ВП; Яковлев,ЮП; Андреев,ИА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Берковиц,ВЛ; Куницына,ЕВ; Львова,ТВ; Улин,ВП; Яковлев,ЮП; Андреев,ИА Подразделения: - лаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ)
- лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
- лаб. инфракрасной оптоэлектроники (Ременного,МА)
-
Название: Полупроводниковый генератор высоковольтных наносекундных импульсов Патент РФ : #84158 от 10 октября 2008 г. Тип: Полезная модель Авторы: Аристов,ЮВ; Коротков,СВ; Люблинский,АГ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Аристов,ЮВ; Коротков,СВ; Люблинский,АГ Подразделения: - лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
- лаб. прикладных проблем сильноточной электроники (Короткова,СВ)
-
Название: Способ формирования многослойного омического контактафотоэлектрического преобразователя (варианты) Патент РФ: #2391741 от 10 июня 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Солдатенков,ФЮ; Усикова,АА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Солдатенков,ФЮ; Усикова,АА Подразделения: - лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
- лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Способ изготовления каскадных солнечных элементов (варианты) Патент РФ: #2391745 от 10 июня 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Калюжный,НА; Лантратов,ВМ; Малевская,АВ; Минтаиров,СА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Калюжный,НА; Малевская,АВ; Минтаиров,СА Подразделения: - лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
- лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Способ изготовления чипов фотоэлектрических преобразователей Патент РФ: #2391744 от 10 июня 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Калюжный,НА; Лантратов,ВМ; Малевская,АВ; Минтаиров,СА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Калюжный,НА; Малевская,АВ; Минтаиров,СА Подразделения: - лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
- лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
⇤ первая
« предыдущая
…
13
14
15
16
17
18
следующая »
последняя ⇥