| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
Академик РАН
Р.А. Сурис
1936-2024
⇤ первая
« предыдущая
…
13
14
15
16
17
18
19
…
следующая »
последняя ⇥
Всего записей: 397
-
Название: Электростатический спектрограф для заряженных частиц Патент РФ: #140365 от 8 апреля 2014 г. Тип: Полезная модель Авторы: Фишкова,ТЯ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Подразделения: - лаб. процессов атомных столкновений (Афанасьева,ВИ)
-
Название: Концентраторный каскадный фотопреобразователь Патент РФ: #2515210 от 12 марта 2014 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Калюжный,НА; Лантратов,ВМ; Минтаиров,СА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Калюжный,НА; Минтаиров,СА Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Фотоэлектрический концентраторный субмодуль Патент РФ: #2496181 от 23 октября 2013 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ; Румянцев,ВД; Садчиков,НА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ; Садчиков,НА Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Инжекционный лазер Патент РФ: #2259620 от 27 августа 2005 г. Тип: Изобретение Авторы: Пихтин,НА; Слипченко,СО; Тарасов,ИС; Винокуров,ДА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Пихтин,НА; Слипченко,СО Подразделения: - лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА)
-
Название: Туннельно-связанная полупроводниковая гетероструктура Патент РФ: #2396655 от 10 августа 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Тарасов,ИС; Арсентьев,ИН; Винокуров,ДА; Пихтин,НА; Симаков,ВА; Коняев,ВП; Мармалюк,АА; Ладугин,МА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Арсентьев,ИН; Пихтин,НА Подразделения: - лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА)
-
Название: Инжекционный лазер Патент РФ: #2444101 от 27 февраля 2012 г. Тип: Изобретение Авторы: Слипченко,СО; Тарасов,ИС; Пихтин,НА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Слипченко,СО; Пихтин,НА Подразделения: - лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА)
-
Название: Инжекционный лазер Патент РФ: #2443044 от 20 февраля 2012 г. Тип: Изобретение Авторы: Слипченко,СО; Тарасов,ИС; Пихтин,НА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Слипченко,СО; Пихтин,НА Подразделения: - лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА)
-
Название: Топливный элемент и батарея топливных элементов Патент РФ: #2496186 от 20 октября 2013 г. Тип: Изобретение Авторы: Нечитайлов,АА; Глебова,НВ; Кошкина,ДВ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Нечитайлов,АА; Глебова,НВ Подразделения: - лаб. физико-химических свойств полупроводников (Терукова,ЕИ)
- лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
-
Название: Способ изготовления многострийного эмиссионного катода Патент РФ: #2413328 от 27 февраля 2011 г. Тип: Изобретение Авторы: Гусинский,ГМ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Подразделения: - лаб. циклотронная (Найденова,ВО)
-
Название: Активный элемент полупроводникового лазера с поперечной накачкой электронным пучком Патент РФ: #2387062 от 20 апреля 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Зверев,ММ; Иванов,СВ; Олихов,М Правообладатели: НИИ «Платан» с заводом при НИИ; ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН; МИРЭА Авторы - сотрудники ФТИ: Иванов,СВ Подразделения: - лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
-
Название: Полупроводниковый фотодиод для инфракрасного излучения Патент РФ: #2469438 от 10 декабря 2012 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ИА; Ильинская,НД; Серебренникова,ОЮ; Соколовский,ГС; Куницына,ЕВ; Дюделев,ВВ; Яковлев,ЮП Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ИА; Ильинская,НД; Соколовский,ГС; Куницына,ЕВ; Дюделев,ВВ; Яковлев,ЮП Подразделения: - лаб. инфракрасной оптоэлектроники (Ременного,МА)
- лаб. интегральной оптики на гетероструктурах (Соколовского,ГС)
- лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
-
Название: Способ получения алмазной структуры с азотно-вакансионными дефектами Патент РФ: #2448900 от 27 апреля 2012 г. Тип: Изобретение Авторы: Баранов,ПГ; Вуль,АЯ; Кидалов,СВ; Солтамова,АА; Шахов,ФМ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Баранов,ПГ; Вуль,АЯ; Кидалов,СВ; Шахов,ФМ Подразделения: - лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Бабунца,РА)
- лаб. физики кластерных структур (Дидейкина,АТ)
-
Название: Способ оптического детектирования магнитного резонанса и устройство для его осуществления Патент РФ: #2483316 от 27 мая 2013 г. Тип: Изобретение Авторы: Бабунц,РА; Солтамова,АА; Бадалян,АГ; Романов,НГ; Баранов,ПГ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Бабунц,РА; Бадалян,АГ; Романов,НГ; Баранов,ПГ Подразделения: - лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Бабунца,РА)
-
Название: Интерферометр Патент РФ: #135114 от 27 ноября 2013 г. Тип: Полезная модель Авторы: Абрамов,АС; Андроников, ДА; Бобыль,АВ; Караваев,ПМ; Косарев,АИ; Мальчукова,ЕВ; Теруков,ЕИ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Абрамов,АС; Бобыль,АВ; Мальчукова,ЕВ; Теруков,ЕИ Подразделения: - лаб. физико-химических свойств полупроводников (Терукова,ЕИ)
- лаб. физики аморфных полупроводников (Стовпяга,ЕЮ)
- лаб. квантовой электроники (Шамрая,АВ)
-
Название: Устройство мониторинга работы солнечной батареи Патент РФ : #132212 от 10 сентября 2013 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Румянцев,ВД; Ларионов,ВР; Покровский,ПВ; Малевский,ДА; Малевская,АВ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Ларионов,ВР; Покровский,ПВ; Малевский,ДА; Малевская,АВ Подразделения: - лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
- лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Способ изготовления чипов каскадных фотоэлементов Патент РФ: #2493634 от 20 сентября 2013 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Лантратов,ВМ; Малевская,АВ; Задиранов,ЮМ; Усикова,АА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Малевская,АВ; Задиранов,ЮМ; Усикова,АА Подразделения: - лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
- лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Способ изготовления чипов многослойных фотоэлементов Патент РФ: #2492555 от 10 сентября 2013 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Лантратов,ВМ; Малевская,АВ; Задиранов,ЮМ; Усикова,АА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Малевская,АВ; Задиранов,ЮМ; Усикова,АА Подразделения: - лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
- лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Способ изготовления чипов наногетероструктуры и травитель Патент РФ: #2485628 от 20 июня 2013 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Гребенщикова,ЕА; Задиранов,ЮМ; Ильинская,НД; Калиновский,ВС; Малевская,АВ; Усикова,АА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Гребенщикова,ЕА; Задиранов,ЮМ; Ильинская,НД; Калиновский,ВС; Малевская,АВ; Усикова,АА Подразделения: - лаб. инфракрасной оптоэлектроники (Ременного,МА)
- лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
- лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Способ изготовления фотовольтаического преобразователя Патент РФ: #2485627 от 20 июня 2013 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Хвостиков,ВП; Сорокина,СВ; Хвостикова,ОА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Хвостиков,ВП; Сорокина,СВ; Хвостикова,ОА Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Способ предэпитаксиальной обработки поверхности германиевой подложки Патент РФ: #2483387 от 27 мая 2013 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Кудряшов,ДА; Левин,РВ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Левин,РВ Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
⇤ первая
« предыдущая
…
13
14
15
16
17
18
19
…
следующая »
последняя ⇥