| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 24970 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 322232 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 168 |
| G-индекс | 284 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 27994 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 345341 |
| на статью | 12,3 |
| Индекс Хирша | 177 |
| G-индекс | 295 |
1
2
3
4
…
следующая »
последняя ⇥
Всего записей: 363
-
Название: Вертикально-излучающий лазер Патент РФ: #225254 от 16 апреля 2024 г. Тип: Полезная модель Авторы: Блохин,СА; Малеев,НА;, Бобров,МА; Блохин,АА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Блохин,СА; Малеев,НА; Блохин,АА Подразделения: - лаб. квантовой фотоники (Торопова,АА)
- лаб. лазерных излучателей для компактных атомных сенсоров (Блохина,СА)
-
Название: Полихроматор Патент РФ: #2816250 от 27 марта 2024 г. Тип: Изобретение Авторы: Курскиев,ГС; Коваль,АН; Мухин,ЕЕ; Толстяков,СЮ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Курскиев,ГС; Коваль,АН; Мухин,ЕЕ; Толстяков,СЮ Подразделения: - лаб. лазерной диагностики плазмы и взаимодействия плазмы с поверхностью (Мухина,ЕЕ)
- лаб. физики высокотемпературной плазмы (Гусакова,ЕЗ)
- лаб. методов нагрева и генерации тока плазмы (Гусакова,ЕЗ)
-
Название: Способ выращивания полупроводниковой пленки Патент РФ: #2814063 от 21 февраля 2024 г. Тип: Изобретение Авторы: Жмерик,ВН; Нечаев,ДВ; Семенов,АН Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Жмерик,ВН; Нечаев,ДВ; Семенов,АН Подразделения: - лаб. оптики кристаллов и гетероструктур с экстремальной двумерностью (Торопова,АА)
-
Название: Газоаналитический мультисенсорный чип на основе фосфорилированного графена и способ его изготовления Патент РФ: #2814054 от 21 февраля 2024 г. Тип: Изобретение Авторы: Рабчинский,МК; Сысоев,ВВ; Рыжков,СА; Стручков,НС; Соломатин,МА; Варежников,АС; Савельев,СД; Габрелян,ВС; Столярова,ДЮ; Кириленко,ДА; Саксонов,АА; Павлов,СИ; Брунков,ПН Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Рабчинский,МК; Рыжков,СА; Савельев,СД; Габрелян,ВС; Кириленко,ДА; Саксонов,АА; Павлов,СИ; Брунков,ПН Подразделения: - лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
- лаб. двумерных материалов для устройств микроэлектроники (Прасолова,НД)
-
Название: Газоаналитический мультисенсорный чип на основе графена, модифицированного наночастицами благородных металлов, и способ его изготовления Патент РФ: #2814586 от 1 марта 2024 г. Тип: Изобретение Авторы: Рабчинский,МК; Сысоев,ВВ; Рыжков,СА; Стручков,НС; Соломатин,МА; Варежников,АС; Червякова,ПД; Габрелян,ВС; Столярова,ДЮ; Полукеева,АВ; Кириленко,ДА; Байдакова,МВ; Петухов,ВА; Павлов,СИ; Брунков,ПН Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Рабчинский,МК; Рыжков,СА; Червякова,ПД; Габрелян,ВС; Полукеева,АВ; Кириленко,ДА; Байдакова,МВ; Павлов,СИ; Брунков,ПН Подразделения: - лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
- лаб. двумерных материалов для устройств микроэлектроники (Прасолова,НД)
-
Название: Газоаналитический мультисенсорный чип на основе аминированного графена, модифицированного наночастицами гидроксидов и оксидов никеля, и способ его изготовления Патент РФ: #2814613 от 1 марта 2024 г. Тип: Изобретение Авторы: Рабчинский,МК; Сысоев,ВВ; Рыжков,СА; Стручков,НС; Соломатин,МА; Варежников,АС; Червякова,ПД; Савельев,СД; Габрелян,ВС; Улин,НВ; Кириленко,ДА; Павлов,СИ; Брунков,ПН Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Рабчинский,МК; Рыжков,СА; Червякова,ПД; Савельев,СД; Габрелян,ВС; Улин,НВ; Кириленко,ДА; Павлов,СИ; Брунков,ПН Подразделения: - лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
- лаб. двумерных материалов для устройств микроэлектроники (Прасолова,НД)
-
Название: Single crystal diamond containing detonation diamond, polycrystalline diamond particles with single crystalline diamond containing detonation diamond, and method for producing polycrystalline diamond particles having single crystalline diamond containing Патент М: #7382692 от 9 ноября 2023 г. Тип: Изобретение Авторы: Шахов,ФМ; Вуль,АЯ; Oshima Ryuji; Iizuka Kanji Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН; DISCO CORPORATION Авторы - сотрудники ФТИ: Шахов,ФМ; Вуль,АЯ Подразделения: - лаб. физики кластерных структур (Дидейкина,АТ)
-
Название: Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя на основе GaInAsSb Патент РФ: #2813746 от 16 февраля 2024 г. Тип: Изобретение Авторы: Сорокина,СВ; Хвостиков,ВП; Васильев,ВИ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Сорокина,СВ; Хвостиков,ВП; Васильев,ВИ Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
- лаб. интегральной оптики на гетероструктурах (Соколовского,ГС)
-
Название: Способ изготовления нанопорошка никель-цинкового феррита Патент РФ: #2813525 от 12 февраля 2024 г. Тип: Изобретение Авторы: Мартинсон,КД; Сахно,ДД; Беляк,ВЕ; Попков,ВИ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Мартинсон,КД; Сахно,ДД; Попков,ВИ Подразделения: - лаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ)
- лаб. материалов и процессов водородной энергетики (Попкова,ВИ)
-
Название: Фотоэлектрический модуль с концентратором излучения Патент РФ: #2812093 от 22 января 2024 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Покровский,ПВ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Покровский,ПВ Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
- лаб. высокоэффективных солнечных фотоэнергосистем (Левиной,СА)
-
Название: Полупроводниковый фотодиод для инфракрасного излучения Патент РФ: #221645 от 15 ноября 2023 г. Тип: Полезная модель Авторы: Ильинская,НД; Пивоварова,АА; Куницына,ЕВ; Андреев,ИА; Яковлев,ЮП Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Ильинская,НД; Пивоварова,АА; Куницына,ЕВ; Андреев,ИА; Яковлев,ЮП Подразделения: - лаб. инфракрасной оптоэлектроники (Ременного,МА)
- лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
-
Название: Способ получения бромированного графена на основе модификации оксида графена Патент РФ: #2806752 от 7 ноября 2023 г. Тип: Изобретение Авторы: Рабчинский,МК; Рыжков,СА; Савельев,СД; Кириленко,ДА; Улин,НВ; Павлов,СИ; Брунков,ПН Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Рабчинский,МК; Рыжков,СА; Савельев,СД; Кириленко,ДА; Улин,НВ; Павлов,СИ; Брунков,ПН Подразделения: - лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
- лаб. двумерных материалов для устройств микроэлектроники (Прасолова,НД)
-
Название: Фотодетектор лазерного излучения Патент РФ: #2806342 от 31 октября 2023 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Калюжный,НА; Минтаиров,СА; Салий,РА; Малевская,АВ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Калюжный,НА; Минтаиров,СА; Салий,РА; Малевская,АВ Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
- лаб. наногетероструктурных излучателей и фотоприёмников (Калюжного,НА)
-
Название: Программа для моделирования неустойчивости обыкновенной волны в результате каскада вторичных распадов и истощения накачки Свидетельство РФ: #2023681084 от 10 октября 2023 г. Тип: Программы для ЭВМ Авторы: Попов,АЮ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Попов,АЮ Подразделения: - лаб. теоретического моделирования плазменных процессов (Попова,АЮ)
-
Название: Программа для полноволнового расчёта распространения зондирующего СВЧ пучка в плазме токамака от антенны до области отсечки Патент РФ: #2023680938 от 6 октября 2023 г. Тип: Программы для ЭВМ Авторы: Ирзак,МА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Ирзак,МА Подразделения: - лаб. теоретического моделирования плазменных процессов (Попова,АЮ)
-
Название: Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя на основе GaInAsSb Патент РФ: #2805140 от 11 октября 2023 г. Тип: Изобретение Авторы: Васильев,ВИ; Сорокина,СВ; Хвостиков,ВП Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Васильев,ВИ; Сорокина,СВ; Хвостиков,ВП Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
- лаб. интегральной оптики на гетероструктурах (Соколовского,ГС)
-
Название: Фотоэлектрический преобразователь Патент РФ: #2805290 от 13 октября 2023 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Калюжный,НА; Минтаиров,СА; Салий,РА; Малевская,АВ; Солдатенков,ФЮ; Блохин,АА; Левина,СА; Нахимович,МВ; Шварц,МЗ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Калюжный,НА; Минтаиров,СА; Салий,РА; Малевская,АВ; Солдатенков,ФЮ; Блохин,АА; Левина,СА; Нахимович,МВ; Шварц,МЗ Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
- лаб. лазерных излучателей для компактных атомных сенсоров (Блохина,СА)
- лаб. высокоэффективных солнечных фотоэнергосистем (Левиной,СА)
- лаб. наногетероструктурных излучателей и фотоприёмников (Калюжного,НА)
-
Название: Солнечная концентраторная батарея Патент РФ: #2805279 от 13 октября 2023 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Малевский,ДА; Малевская,АВ; Покровский,ПВ; Ларионов,ВР Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Малевский,ДА; Малевская,АВ; Покровский,ПВ; Ларионов,ВР Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
- лаб. высокоэффективных солнечных фотоэнергосистем (Левиной,СА)
- лаб. наногетероструктурных излучателей и фотоприёмников (Калюжного,НА)
-
Название: Фотоэлектрический преобразователь узкополосного излучения Патент РФ: #2802547 от 30 августа 2023 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Калюжный,НА; Минтаиров,СА; Малевская,АВ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Калюжный,НА; Минтаиров,СА; Малевская,АВ Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
- лаб. наногетероструктурных излучателей и фотоприёмников (Калюжного,НА)
-
Название: Способ получения порошка сложного оксида висмута, железа и вольфрама со структурой фазы пирохлора с использованием микрореактора с интенсивно закрученными потоками Патент РФ: #2802703 от 31 августа 2023 г. Тип: Изобретение Авторы: Абиев,РШ; Ломакин,МС; Проскурина,ОВ; Гусаров,ВВ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Ломакин,МС; Проскурина,ОВ; Гусаров,ВВ Подразделения: - лаб. новых неорганических материалов (Красилина,АА)
1
2
3
4
…
следующая »
последняя ⇥