⇤ первая
« предыдущая
…
15
16
17
18
19
следующая »
последняя ⇥
Всего записей: 368
-
Название: Способ формирования многослойного омического контактафотоэлектрического преобразователя (варианты) Патент РФ: #2391741 от 10 июня 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Солдатенков,ФЮ; Усикова,АА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Солдатенков,ФЮ; Усикова,АА Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
- лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
-
Название: Способ изготовления каскадных солнечных элементов (варианты) Патент РФ: #2391745 от 10 июня 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Калюжный,НА; Лантратов,ВМ; Малевская,АВ; Минтаиров,СА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Калюжный,НА; Малевская,АВ; Минтаиров,СА Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
- лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
-
Название: Способ изготовления чипов фотоэлектрических преобразователей Патент РФ: #2391744 от 10 июня 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Калюжный,НА; Лантратов,ВМ; Малевская,АВ; Минтаиров,СА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Калюжный,НА; Малевская,АВ; Минтаиров,СА Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
- лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
-
Название: Импульсный имитатор солнечного излучения Патент РФ: #2388104 от 27 апреля 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ; Ларионов,ВР; Малевский,ДА; Румянцев,ВД; Шварц,МЗ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ; Ларионов,ВР; Малевский,ДА; Шварц,МЗ Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Способ тестирования чипов каскадных фотопреобразователей на снове соединений Al-Ga-In-As-P и устройство для его осуществления Патент РФ: #2384838 от 20 марта 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Ащеулов,ЮВ; Малевский,ДА; Румянцев,ВД Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Малевский,ДА Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Имитатор солнечного излучения Патент РФ: #2380663 от 27 января 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ; Ларионов,ВР; Малевский,ДА; Румянцев,ВД; Шварц,МЗ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ; Ларионов,ВР; Малевский,ДА; Шварц,МЗ Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Способ определения качества фотовольтаического p-n перехода Патент РФ: #2375720 от 10 декабря 2009 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Евстропов,ВВ; Калиновский,ВС; Румянцев,ВД Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Евстропов,ВВ; Калиновский,ВС Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
- лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
-
Название: Солнечная энергетическая установка Патент РФ: #2377472 от 27 декабря 2009 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Румянцев,ВД; Ионова,ЕА; Покровский,ПВ; Ларионов,ВР; Малевский,ДА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Ионова,ЕА; Покровский,ПВ; Ларионов,ВР; Малевский,ДА Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Установка для ориентации фотоэлектрической батареи на Солнце Патент РФ: #2377474 от 27 декабря 2009 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Монастыренко,АО;Румянцев,ВД; Терра,АР Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Терра,АР Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя на основе германия Патент РФ: #2377697 от 27 декабря 2009 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Хвостиков,ВП; Хвостикова,ОА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Хвостиков,ВП; Хвостикова,ОА Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Способ изготовления фотоэлектрического элемента на основе германия Патент РФ: #2377698 от 27 декабря 2009 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Хвостиков,ВП; Хвостикова,ОА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Хвостиков,ВП; Хвостикова,ОА Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Прозрачная керамическая композиция Патент РФ: #2359832 от 27 июня 2009 г. Тип: Изобретение Авторы: Кожушко,АА; Синани,АБ; Зильбербранд,ЕЛ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Подразделения: - лаб. динамики материалов (Перцева,НА)
-
Название: Многослойный фотопреобразователь Патент РФ: #2364007 от 10 августа 2009 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Калюжный,НА; Лантратов,ВМ; Минтаиров,СА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Калюжный,НА; Минтаиров,СА Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Способ получения нитридной пленки на поверхности GaSb Патент РФ: #2368033 от 20 сентября 2009 г. Тип: Изобретение Авторы: Берковиц,ВЛ; Куницына,ЕВ; Львова,ТВ; Улин,ВП; Яковлев,ЮП Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Берковиц,ВЛ; Куницына,ЕВ; Львова,ТВ; Улин,ВП; Яковлев,ЮП Подразделения: - лаб. инфракрасной оптоэлектроники (Ременного,МА)
- лаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ)
- лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
-
Название: Способ изготовления фотоэлектрических преобразователей на основе многослойной структуры Патент РФ: #2354009 от 27 апреля 2009 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Калюжный,НА; Лантратов,ВМ; Малевская,АВ; Минтаиров,СА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Калюжный,НА; Малевская,АВ; Минтаиров,СА Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
- лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
-
Название: Способ получения структуры многослойного фотоэлектрического преобразователя Патент РФ: #2366035 от 27 августа 2009 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Калюжный,НА; Лантратов,ВМ; Минтаиров,СА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Калюжный,НА; Минтаиров,СА Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Способ изготовления чипов многослойных фотопреобразователей Патент РФ: #2368038 от 20 сентября 2009 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Калюжный,НА; Лантратов,ВМ; Малевская,АВ; Минтаиров,СА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Калюжный,НА; Малевская,АВ; Минтаиров,СА Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
- лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
-
Название: Фотонно-кристаллическая структура для управления потоком электромагнитного излучения с заданными длинами волн Патент РФ: #85688 от 30 октября 2008 г. Тип: Полезная модель Авторы: Барышев,АВ; Лимонов,МФ; Рыбин,МВ; Самусев,КБ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Лимонов,МФ; Рыбин,МВ; Самусев,КБ Подразделения: - лаб. спектроскопии твердого тела (Старухина,АН)
-
Название: Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя Патент РФ: #2354008 от 27 апреля 2009 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Сорокина,СВ; Хвостиков,ВП Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Сорокина,СВ; Хвостиков,ВП Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Способ подавления шума канала связи при передаче сигнала двумерного изображения Патент РФ: #2350021 от 20 марта 2009 г. Тип: Изобретение Авторы: Подласкин,БГ; Гук,ЕГ; Сухарев,АА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Подласкин,БГ; Гук,ЕГ; Сухарев,АА Подразделения: - лаб. оптоэлектроники и голографии (Муратикова,КЛ)
⇤ первая
« предыдущая
…
15
16
17
18
19
следующая »
последняя ⇥