Название: | Влияние электронной структуры широкозонных полупроводников на термическую ионизацию и электронно-стимулированную десорбцию атомов и молекул |
Грантодатель: | РФФИ |
Тип: | исследовательский |
Руководитель(и): | Лапушкин,МН |
Подразделения: | |
Код проекта: | 20-02-00370 |
Финансирование 2020-22 г.: | 3 590 000 |
Исполнители: |
Громов,ИА: лаб. физики адсорбционно-десорбционных процессов (Галля,НР) Кнатько,МВ: лаб. физики адсорбционно-десорбционных процессов (Галля,НР) Кузнецов,ЮА: лаб. физики адсорбционно-десорбционных процессов (Галля,НР) Кулешова,ТЭ: лаб. физики адсорбционно-десорбционных процессов (Галля,НР) Лапушкин,МН: лаб. физики адсорбционно-десорбционных процессов (Галля,НР) Самсонова,НС: лаб. физики адсорбционно-десорбционных процессов (Галля,НР) |
Проект посвящен изучению влияние электронной структуры подложки на термическую ионизацию атомов и молекул на полупроводниковых подложках, а также ее влияние на электронно-стимулированную десорбцию (ЭСД) атомов щелочных металлов с полупроводниковых подложек. Оксиды металлов в настоящее время являются одними из востребованных материалов. Окислы WO3 и MoO3 нашли широкое применение в электронике, при создании различных сенсоров и датчиков, в накопителях энергии, в электро- и фотохромных системах, солнечных элементах, катализаторах в окислительных и восстановительных реакций и т.д. Окислы WO3 и MoO3 широко используются в качестве эмиттеров при термической ионизации металлов и органических молекул, а также в детекторах органических азотосодержащих молекул, работающих на воздухе при нормальном давлении. Одним из наиболее простых способов получения окислов металлов (WO3 и MoO3) является термическое окисление металлов в атмосфере кислорода, электронная структура поверхностей, полученных термическим окислением металлов в атмосфере кислорода, до сих пор не изучена. Полученные результаты позволят объяснить наблюдаемых к настоящему времени экспериментов по термической ионизации частиц, которые невозможно объяснить в рамках классической теории поверхностной ионизации. и разработать модель термической ионизации атомов и молекул на поверхности широкозонных полупроводников, учитывающих электронную структуру поверхности и модель электронно-стимулированной десорбции атомов поверхности широкозонных полупроводников, учитывающих электронную структуру поверхности