| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
Copyright © 2021 - All Rights Reserved - ioffe.ru
Template by OS Templates
Малышев Андрей Викторович
Заселение уровней Er3+ в кристаллахLiY1-xErxF4(x=0,003-1) при непрерывной накачке излучением InGaAs-лазерных диодов. Оптич. ж., т.67, 9, 2000, с. 90 - 93
Population of the Er3+ levels in LiY1-xEr xF4 crystals (x=0.003-1) with continuous pumping with the radiation of InGaAas laser diodes. J. Opt. Technol., v.67, 9, 2000, p. 851 - 853
http://dx.doi.org/10.1364/JOT.67.000851