Разработаны физико-технические подходы для создания источников мощных суб-нс лазерных импульсов на основе полупроводниковых гетероструктур. На основе полученных результатов с использованием технологии МОС-гидридной эпитаксии была выращена серия лазерных гетероструктур с различными конструкциями активных областей для работы в спектральном диапазоне 850-1060нм. В изготовленных на ее основе лазерных диодах в режиме модуляции усиления при генерации одиночного пика впервые были продемонстрированы рекордные пиковые оптические мощности более 20Вт в спектральном диапазоне 850-1060 нм. Достигаемые длительности для мощных лазерных импульсов находились в диапазоне 50-200пс. Источники излучения такого рода будут использованы в дальномерах и лидарных комплексах.

Публикации

1. [1] А.А. Подоскин, И.В. Шушканов, В.В. Шамахов, А.Э. Ризаев, М.И. Кондратов, А.А. Климов, С.В. Зазулин, С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин, Лазерные диоды (850 нм) на основе асимметричной AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с объемной активной областью для генерации мощных субнаносекундных оптических импульсов, Квант. электрон., т.53, 1, 2023, с. 1-5
2. [2] С.О. Слипченко, О.С. Соболева, В.С. Головин, Н.А. Пихтин, Оптимизация параметров резонатора мощных полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ=1060 нм) для эффективной работы при сверхвысоких импульсных токах накачки. Квант. электрон., т.53, 1, 2023, с. 17-24