Общая информация

Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе является одним из крупнейших научных центров России, в котором широким фронтом ведутся как фундаментальные, так и прикладные исследования в важнейших областях современной физики и технологии.

Институт был основан в 1918 году Абрамом Федоровичем Иоффе, который затем возглавлял его в течение нескольких десятилетий. С 1960 года институт носит имя этого выдающегося ученого и организатора науки.

До конца декабря 2013 года институт являлся учреждением Российской академии наук и входил в состав Отделения физических наук. 30 декабря 2013 в соответствии с распоряжением Правительства РФ № 2591-р институт был передан в ведение Федерального агентства научных организаций России.

27 июня 2018 г. распоряжением Правительства РФ № 1293-р Институт был передан в ведение Министерства науки и высшего образования РФ.

 

Из событий последних месяцев

  • О XII Всероссийском съезде советов молодых ученых и студенческих научных обществ

    С 15 по 17 июля 2024 г. во Владивостоке прошёл XII Всероссийский съезд советов молодых ученых и студенческих научных обществ. Это крупнейшее мероприятие такого рода, объединившее более 1000 молодых представителей науки из более чем 80 регионов России. В работе съезде от ФТИ им. А.Ф. Иоффе приняла участие Котова Любовь Викторовна - председатель Совета молодых учёных и специалистов.

    На пленарных заседаниях и панельных дискуссиях обсуждались самые разные задачи: как привлечь в науку талантливую молодежь, как молодые исследователи могут участвовать в решении проблем бизнеса, развития регионов, реализации инициатив Десятилетия науки и технологии. Выступающие особое внимание обратили на приоритеты научных исследований, обозначенных в Указах Президента Российской Федерации "О Стратегии научно-технологического развития Российской Федерации" и "О национальных целях развития Российской Федерации на период до 2030 года и на перспективу до 2036 года".

  • Выездное заседание Президиума РАН в Санкт-Петербургском отделении РАН, посвященное 300-летию РАН

    Работу Санкт-Петербургского отделения РАН и объединённых научных советов РАН обсудили участники выездного заседания Президиума РАН, которое прошло 5 июля 2024 г., в историческом здании Российской академии наук в Санкт-Петербурге на Университетской набережной.

    Торжественное заседание открыл докладом президент РАН академик Г.Я. Красников. О работе Санкт-Петербургского отделения Академии рассказал председатель СПбО РАН академик А.И. Рудской. С докладами выступили председатели объединённых научных советов СПбО РАН: прикладные науки и технологическое развитие промышленности — академик В.Г. Пешехонов, гуманитарные науки — академик М.Б. Пиотровский, науки о жизни — академик С.Ф. Багненко, агробиотехнологии и продовольственная безопасность — академик В.И. Долженко.

    Объединенный научный совет по естественным наукам (ОНС ЕН), включающий секции физики, химии, науки о Земле и математическую секцию, представил председатель совета, директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе, член-корреспондент РАН С.В. Иванов. Он привел яркие примеры успешного проведения фундаментальных и прикладных разработок, выполняемых в рамках взаимодействия петербургских научных организаций всех секций ОНС ЕН с крупными российскими инновационно-промышленными предприятиями и корпорациями.

    С.В. Иванов также обратил особое внимание участников заседания на злободневную проблему существенного недостатка молодежи - высококвалифицированных исследователей, возникшую в Санкт-Петербурге как следствие снижения уровня естественно-научного образования, падения интереса молодежи к таким наукам как физика и химия, а также вследствие оттока талантливой молодежи в более престижные московские ВУЗы и за рубеж. Были предложены пути решения этой проблемы.

    Подробнее

    С.В. Иванов: «В состав ОНС ЕН входят 13 академиков, 26 чл.-корр. РАН, 16 профессоров РАН – представители прежде всего научных институтов, играющих основную роль в формировании научного и научно-технологического потенциала нашего города: ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербургского отделения Математического института им. В.А. Стеклова РАН, ИХС РАН и ИВС РАН, вошедшие недавно в состав ПИЯФ – НИЦ «Курчатовский Институт», Институт геологии и геохронологии докембрия РАН, филиал Института океанологии им. Ширшова РАН и другие.

    Научные институты призваны осуществлять связь между университетами Санкт-Петербурга, среди которых ряд ведущих университетов страны: СПбГУ, Политехнический университет Петра Великого, НИУ ИТМО, СПбГЭТУ «ЛЭТИ», БГТУ, Алферовский университет, СПбТИ (ТУ) и др., из которых они черпают кадры естественно-научных специальностей, вовлекая их в научные исследования и разработки, обычно прямо со студенческой скамьи. С другой стороны, институты передают свои разработки, прошедшие стадии от фундаментальных исследований до НИОКР, часто вместе с подготовленными кадрами, в промышленные предприятия и компании города и страны, занятые производством наукоемкой продукции. Таким образом создается научно-образовательный и инновационно-промышленный скелет города, в организации эффективного функционирования которого наш ОНС ЕН и видит свое основное предназначение, как для развития конкретно региона Санкт-Петербурга и Ленинградской области, так и для решения задач и вызовов всей страны.»

    Решение проблемы недостатка молодежи в сфере высококвалифицированных физико-химических исследований должно стать главной задачей работы ОНС ЕН. Конкретно, С.В. Иванов предложил создание сети региональных научно-образовательных центров по определенным областям естественных наук, которые обеспечили бы подготовку кадров начиная со спецшкол, последующим высшим образованием в специализированных «академических» университетах с привлечением ведущих исследователей, а также с максимально ранним вовлечением молодежи в научно-исследовательский процесс. В качестве примера, С.В. Иванов привел систему непрерывной подготовки молодых ученых: Лицей «Физико-техническая школа» – базовый научно-образовательный кластер ФТИ им. А.Ф. Иоффе в Алферовском Университете – ФТИ им. А.Ф. Иоффе, реанимируемую в настоящее время.

    https://vk.com/video830350191_456239032

  • Международная конференция «Наноуглерод и Алмаз»

    С 1 по 5 июля 2024 года состоялась, организованная ФТИ им. А.Ф. Иоффе, ИГиЛ СО РАН, Академическим университетом и СПбГТИ(ТУ), Международная конференция «Наноуглерод и Алмаз» (НиА’2024), на которой обсуждались последние достижения в области создания, исследования и применения углеродных наноструктур и алмазов.

    В рамках конференции НиА’2024 также прошла Школа-конференция молодых учёных «Наноуглерод и Алмаз. Получение, свойства, применения и методы диагностики».

  • Выборы директора Института

    6 июня, с 8:00 до 18:00, прошли выборы директора нашего Института.

    7 июня Ученый совет Института на своем заседании единогласно утвердил Протокол Избирательной комиссии по результатам выборов.

    Ниже приведены выдержки из Протокола Избирательной комиссии:

    Общее число работников в списке для голосования 1977 чел.

    Приняли участие в голосовании - 1330 чел. (67%).

    Результаты голосования:

    Из общего числа действительных бюллетеней (1308) подано голосов "ЗА":

    Брунков Павел Николаевич – 195 (14,9 %)
    Иванов Сергей Викторович – 836 (63,9 %)
    Соколов Игорь Александрович – 277 (21,2 %)

    Таким образом, по результатам голосования, на должность директора ФТИ им. А.Ф. Иоффе коллективом Института избран Сергей Викторович ИВАНОВ.

  • Лауреаты конкурсов лучших работ Института и лучших работ молодых учёных Института 2023 года

    07 июня 2024 года на заседании Ученого совета Института состоялось поздравление лауреатов завершившихся недавно конкурсов лучших работ ФТИ им. А.Ф. Иоффе и лучших работ молодых учёных ФТИ им. А.Ф. Иоффе 2023 года. Директор Института С.В. Иванов и ученый секретарь М.И. Патров вручили дипломы лауреатам.

    Результаты конкурса лучших работ ФТИ

    Результаты конкурса лучших работ молодых ученых ФТИ

Основные научные достижения

  • Подобие механизмов формирования областей фазового расслоения в Y3Fe5O12, EuFeO3, YCrO3, Eu2CuO4 и в мультиферроиках RMn2O5
  • Метаморфные наногетероструктуры InSb/InAs/In(Ga,Al)As/GaAs для электроники и оптоэлектроники среднего ИК диапазона 2.6—4.5 мкм
  • Певатрон в компактном скоплении звезд Вестерлунд-2
  • Определение типа и концентрации ловушек в нанослоях HfO2
  • Кремниевый лавинный фотодиод с эффективностью регистрации фотонов 0.65 электронов на фотон в спектральном диапазоне 114-170 нм
  • Долгоживущие квантовые состояния ансамбля кубитов в волноводе
  • Керамические материалы на основе многокомпонентных СВЧ ферритов как функциональная основа современных радиолокационных систем
  • Инжекционные источники мощных суб-нс лазерных импульсов на основе полупроводниковых гетероструктур
  • Сверхбыстрое лазерно-индуцированное изменение магнитной анизотропии и динамика намагниченности в синтетическом мультиферроике CoFeB/BaTiO3
  • Транзисторные структуры на основе композитов полимер-неорганические наночастицы и свойства таких материалов в ТГц области частот
  • Оптические решетки экситонов в системах квантовых ям InGaN
  • Фурье-спектроскопия для газовых полупроводниковых сенсоров и алгоритм селекции микропримесей углеводородов атмосферного воздуха