Общая информация

Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе является одним из крупнейших научных центров России, в котором широким фронтом ведутся как фундаментальные, так и прикладные исследования в важнейших областях современной физики и технологии.

Институт был основан в 1918 году Абрамом Федоровичем Иоффе, который затем возглавлял его в течение нескольких десятилетий. С 1960 года институт носит имя этого выдающегося ученого и организатора науки.

До конца декабря 2013 года институт являлся учреждением Российской академии наук и входил в состав Отделения физических наук. 30 декабря 2013 в соответствии с распоряжением Правительства РФ № 2591-р институт был передан в ведение Федерального агентства научных организаций России.

27 июня 2018 г. распоряжением Правительства РФ № 1293-р Институт был передан в ведение Министерства науки и высшего образования РФ.

 

Из событий последних месяцев

  • XVI Российская конференция по физике полупроводников начала свою работу

    С 7 октября 2024 года на базе ФТИ им. А.Ф. Иоффе и Академического университета им. Ж.И. Алферова начала свою работу крупнейшая в России конференция, посвященная фундаментальным и прикладным проблемам современной физики и технологии полупроводников — XVI Российская конференция по физике полупроводников (РКФП-XVI)

    Подробнее

    Как отметил на открытии конференции председатель организационного комитета конференции, директор ФТИ имени А.Ф. Иоффе Сергей Иванов, в конференции 2024 года принимают участие свыше 360 учёных и специалистов из 18 городов России и других стран, в том числе Великобритании, Азербайджана, Китая. Всего в программе конференции будут представлены 30 приглашенных, 110 устных докладов и более 250 стендовых докладов. Основные разделы программы конференции посвящены наиболее актуальным и активно осуждаемым проблемам физики полупроводников. Сергей Иванов подчеркнул, что из 360 участников конференции 135 — молодые ученые. По его словам, конференция молодеет и все больше ее участников получают бесценный опыт, который в будущем применят для развития науки.

    «Важно, что конференция в наших стенах осталась не просто местом, где мы представляем рез своих исследований и общаемся с коллегами. Хочется, чтобы это событие помогло вам сделать шаг вперед в вашей научной работе. Наш университет - это слияние ученых, аспирантов, школьников и в этом наша уникальная миссия. И хочется, что конференция в стенах нашего университета стала местом где мечтают, созидают и смотрят в будущее», — сказал на открытии ректор СПбАУ Александр Наумов.

    Также в открытии конференции приняли участие Первый заместитель председателя Комитета Государственной Думы по экономической политике Денис Кравченко.

    «Сегодня мы живем в стремительно меняющейся стране, заявлен технологический суверенитет, который невозможен без фундаментальных исследований. Но не менее важно, чтобы исследования имели практические характеристики и могли внедряться. Важно, что и дело Жореса Ивановича продолжается, что и университете и лицей работают над этими проблемами в тесной связке. Ключевое в технологическом суверенитете — кадры, особенно в технических специальностях. Поэтому то, что вы делаете - нужно и важно для страны», — сказал Денис Кравченко.

    Во время работы конференции пройдёт выставка, которая предоставит возможность ознакомиться с последними тенденциями и инновациями в области полупроводниковых технологий и экспериментального оборудования. Отдельно состоится круглый стол, посвященный российско-белорусскому научному сотрудничеству в области проектирования, синтеза и исследования полупроводниковых гетероструктур. Следует отметить, что глава Минобрнауки России Валерий Фальков в июне отмечал курс на всестороннюю интеграцию в области науки, высшего образования и молодежной политики двух стран.

    «Отрадно, что конференция проходит в стенах Санкт-Петербургского государственного академического университета. Жизнь в университете течет и развивается, и я признателен всем российским и иностранным участникам, которые изъявили желание поучаствовать в конференции. Губернатор оказывает большое внимание науке и научному развитию Петербурга. И в год 300-летия Академии наук, нам особенно приятно присутствовать на этом событии. В свою очередь город выдает молодым ученым премии, названные именами великих российских ученых, в том числе Жореса Ивановича Алферова», — сказал на открытии глава комитета по науке и вышей школе СПб Андрей Максимов.

  • Фундаментальная наука российскому бизнесу

    Под таким заголовком в очередном выпуске журнала «Региональная энергетика и энергосбережение» опубликовано интервью с директором ФТИ им. А.Ф. Иоффе член-корреспондентом РАН Сергеем Викторовичем Ивановым о текущих прикладных разработках Института в области физики и химии. Полная версия выпуска журнала доступна здесь.

  • Экспертная встреча «ТехПро»: настоящее с большим будущим

    13 августа 2024 года в Конгрессно-выставочном центре «Патриот» в рамках проводимого там Международного военно-технического форума «Армия-2024» прошла экспертная встреча «ТехПро: передовые отечественные проекты и технологии для СВО». На этом мероприятии ФТИ им. А.Ф. Иоффе представлял директор нашего Института С.В. Иванов. Участники экспертной встречи обсудили актуальные вопросы, связанные с применением высокотехнологичных разработок отечественных производителей в сфере топливно-энергетического комплекса, энергетического машиностроения, электроэнергетики, металлургии, двигателестроения, транспорта и связи, в других отраслях отечественной экономики; с представлением достижений российских учёных; с объединением науки, производства и бизнеса с целью скорейшего достижения нашей страной технологического суверенитета. Подробнее - в статье журнала «Региональная энергетика и энергосбережение»

  • Новый выпуск дайджеста «Открывай с РНФ»

    В свежем выпуске дайджеста опубликовано интервью руководителя Центра физики наногетероструктур ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Н.А. Пихтина, в котором он рассказывает о работе руководимой им лаборатории полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей в рамках проектов Российского научного фонда, посвященных разработке и исследованиям мощных полупроводниковых лазеров широкого спектрального диапазона совместно с АО «НИИ «Полюс» имени М. Ф. Стельмаха» и АО «ЗНТЦ».

  • О XII Всероссийском съезде советов молодых ученых и студенческих научных обществ

    С 15 по 17 июля 2024 г. во Владивостоке прошёл XII Всероссийский съезд советов молодых ученых и студенческих научных обществ. Это крупнейшее мероприятие такого рода, объединившее более 1000 молодых представителей науки из более чем 80 регионов России. В работе съезде от ФТИ им. А.Ф. Иоффе приняла участие Котова Любовь Викторовна - председатель Совета молодых учёных и специалистов.

    На пленарных заседаниях и панельных дискуссиях обсуждались самые разные задачи: как привлечь в науку талантливую молодежь, как молодые исследователи могут участвовать в решении проблем бизнеса, развития регионов, реализации инициатив Десятилетия науки и технологии. Выступающие особое внимание обратили на приоритеты научных исследований, обозначенных в Указах Президента Российской Федерации "О Стратегии научно-технологического развития Российской Федерации" и "О национальных целях развития Российской Федерации на период до 2030 года и на перспективу до 2036 года".

Основные научные достижения

  • Комплексные методики характеризации фотоэлектрических преобразователей солнечного и лазерного излучений
  • Высокоточный позиционно-чувствительный датчик с подвижной апертурой (Мультискан)
  • Системы слежения за Солнцем и мониторинга параметров концентраторных солнечных батарей
  • Быстродействующие p-i-n и лавинные фотодиоды на основе узкозонных гетероструктур полупроводников А3В5 для среднего ИК-диапазона
  • Переход металл-полупроводник в нанопленках иттербия, индуцированный адсорбированными молекулами кислорода
  • Новый контрастный агент для магниторезонансной томографии на основе наноалмазов
  • Термоизоляция плазмы сферического токамака Глобус-М2 в условиях сильного магнитного поля
  • Оптическое управление состояниями нано-областей в мультиферроиках
  • Разработка технологии изготовления светодиодов для кремниевой оптоэлектроники
  • Оптическая ориентация ионов марганца в GaAs:Mn
  • Тороидальная невзаимность генерации второй оптической гармоники
  • Фемтосекундная оптическая ориентация как механизм запуска прецессии намагниченности в эпитаксиальных плёнках EuO