| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 25164 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 324227 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 285 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 28407 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 348891 |
| на статью | 12,3 |
| Индекс Хирша | 177 |
| G-индекс | 296 |
Академик РАН
Р.А. Сурис
1936-2024
Федеральные целевые программы
Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014–2020 годы
Поддержка и развитие федерального центра коллективного пользования научным оборудованием «Материаловедение и диагностика в передовых технологиях» для обеспечения реализации приоритетов научно-технологического развития
Соглашение о предоставлении субсидии: № 05.621.21.0021 от 19.11.2019
Приоритетное направление: Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Период выполнения: 19.11.2019–30.11.2020
Программное мероприятие: 3.1.2 Поддержка и развитие центров коллективного пользования научным оборудованием
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 160 млн. руб.
Внебюджетные средства — 17,9 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Руководитель проекта: П.Н. Брунков, д.ф.-м.н., главный научный сотрудник - заведующий лабораторией диагностики материалов и структур твердотельной электроники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Исследования внутризонной динамики носителей заряда для создания мощных квантовых каскадных лазеров
Соглашение о предоставлении субсидии: № 05.616.21.0111 от 17.10.2019
Приоритетное направление: Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Критическая технология: Нано-, био-, информационные, когнитивные технологии
Период выполнения:17.10.2019–30.09.2020
Программное мероприятие: 2.2 Поддержка исследований в рамках сотрудничества с государствами — членами Европейского союза
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 10 млн. руб.
Внебюджетные средства — 10 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Соисполнители: ООО «Коннектор-Оптикс»
Индустриальный партнер:Открытое акционерное общество «ОКБ-Планета»
Иностранный партнер: Институт электроники и систем
Руководитель проекта: В.В. Дюделев, к.ф.-м.н., старший научный сотрудник лаборатории интегральной оптики на гетероструктурах ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Новые наногетероструктурные материалы для мощных квантовых каскадных лазеров спектрального диапазона 4-9 мкм
Соглашение о предоставлении субсидии: № 05.607.21.0318 от 04.12.2019
Приоритетное направление: Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Критическая технология: Индустрия наносистем
Период выполнения:04.12.2019–30.09.2020
Программное мероприятие: 1.3 Проведение прикладных научных исследований и разработок, направленных на создание продукции и технологий
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 60 млн. руб.
Внебюджетные средства — 40 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Соисполнители: ООО «Коннектор-Оптикс»
Индустриальный партнер: Акционерное общество НИИ Полюс им. М.Ф. Стельмаха
Руководитель проекта: Г.С. Соколовский, д.ф.-м.н., главный научный сотрудник - заведующий лабораторией интегральной оптики на гетероструктурах ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ключевые слова: наноструктурные матриалы, квантово-каскадные лазер, молекулярно-пучковая эпитаксия, внутризонный переход, мощны лазер
Разработка и создание одночастотных квантово-каскадных лазеров для среднего инфракрасного диапазона
Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.616.21.0074 от 20.12.2016
Приоритетное направление: Индустрия наносистем
Критическая технология: Нано-, био-, информационные, когнитивные технологии
Период выполнения:01.01.2017–31.12.2019
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 15 млн. руб.
Внебюджетные средства — 15 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Соисполнители:
Индустриальный партнер:Открытое акционерное общество «ОКБ-Планета»
Иностранный партнер: Центр нанонауки и нанотехнологий
Руководитель проекта: Г.С. Соколовский, д.ф.-м.н., главный научный сотрудник - заведующий лабораторией интегральной оптики на гетероструктурах ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ключевые слова: квантово-каскадные лазеры, излучение среднего инфракрасного диапазона, спектроскопия, газоанализ
Исполнители
Сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- А.В. Бабичев, н.с., к.ф.-м.н., лаб. интегральной оптики на гетероструктурах
- В.В. Дюделев, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. интегральной оптики на гетероструктурах
- Ю.М. Задиранов, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. лаб. квантоворазмерных гетероструктур
- Л.Я. Карачинский, с.н.с, к.ф.-м.н., лаб. квантоворазмерных гетероструктур
- А.С. Паюсов, н.с, к.ф.-м.н., лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- Е.А. Когновицкая, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. интегральной оптики на гетероструктурах
- Е.Д. Колыхалова, н.с., к.ф.-м.н., лаб. интегральной оптики на гетероструктурах
- С.Н. Лосев, н.с, к.ф.-м.н., лаб. интегральной оптики на гетероструктурах
- В.Ю. Мыльников, лаборант лаб. интегральной оптики на гетероструктурах
- В.Н. Неведомский, н.с.
- К.К. Соболева, лаборант лаб. интегральной оптики на гетероструктурах
Развитие Федерального центра коллективного пользования научным оборудованием «Материаловедение и диагностика в передовых технологиях» для проведения комплексных исследований в целях обеспечения реализации приоритетов научно-технологического развития Российской Федерации в области создания экологически чистой, ресурсосберегающей, безопасной гибридной ядерной энергетики
Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.621.21.0013 от 28.08.2017
Приоритетное направление: Энергоэффективность и энергосбережение
Критическая технология: Технологии атомной энергетики, ядерного топливного цикла, безопасного обращения с радиоактивными отходами и отработавшим ядерным топливом
Период выполнения:28.08.2017–30.06.2019
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 140 млн. руб.
Внебюджетные средства — 36 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Руководитель проекта: П.Н. Брунков, д.ф.-м.н., главный научный сотрудник - заведующий лабораторией ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ключевые слова: Сферический токамак, физика высокотемпературной плазмы, диагностика плазмы, управляемый термоядерный синтез, термоядерный источник нейтронов, безындукционный старт и поддержание тока, дополнительный нагрев плазмы, центр коллективного пользования
Разработка инновационного радиоспектроскопического приборного комплекса и его применение для исследования и неразрушающего контроля конденсированных материалов, включая наноструктурные и биологические объекты
Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.604.21.0200 от 26.09.2017
Приоритетное направление: Индустрия наносистем
Критическая технология: Нано-, био-, информационные, когнитивные технологии
Период выполнения: 26.09.2017–30.06.2020
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 27,9 млн. руб.
Внебюджетные средства — 27,9 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Индустриальный партнер:Общество с ограниченной ответственностью «НТ-МДТ»
Руководитель проекта: П.Г. Баранов, д.ф.-м.н., зав. лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ключевые слова: электронный парамагнитный резонанс (ЭПР), оптически детектируемый магнитный резонанс (ОДМР), электронное спиновое эхо (ЭСЭ), двойной электронно-ядерный резонанс (ДЭЯР), оптически детектируемый циклотронный резонанс (ОДЦР), спин, спектрометр магнитного резонанса, атомно-силовой микроскоп, конфокальный микроскоп, магнито-оптический криостат, полупроводник, диэлектрик, наноструктура, одиночный квантовый объект, наноразмерный сенсор
Исполнители
Сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- А.Н. Анисимов, и.о.м.н.с., лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- Г.Р. Асатрян, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- Р.А. Бабунц, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- А.Г. Бадалян, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- А.П. Бундакова, инж., лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- А.С. Гурин, и.о.н.с., к.ф.-м.н., лаб. спиноптроники
- Е.В. Единач, и.о.м.н.с., лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- И.В. Ильин, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- Д.Д. Крамущенко, и.о.н.с., к.ф.-м.н., лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- М.В. Музафарова, н.с., к.ф.-м.н., лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- А.В. Пошакинский, и.о.м.н.с., к.ф.-м.н., сектор теории квантовых когерентных явлений в твердом теле
- Н.Г. Романов, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- В.А. Солтамов, н.с., к.ф.-м.н., лаб. спиноптроники
- Ю.А. Успенская, и.о.м.н.с., лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
Разработка и создание одночастотных вертикально-излучающих лазеров диапазона 1250-1300нм
Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.616.21.0051 от 11.11.2015
Приоритетное направление: Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика; Транспортные и космические системы; Науки о жизни; Индустрия наносистем; Информационно-телекоммуникационные системы
Критическая технология: Нано-, био-, информационные, когнитивные технологии; Технологии диагностики наноматериалов и наноустройств
Период выполнения: 11.11.2015–31.12.2016
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 13 млн. руб.
Внебюджетные средства — 13 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Соисполнитель: Общество с ограниченной ответственностью «Коннектор Оптикс»
Иностранный партнер:Центр нанофотоники Технического университета Берлина (Center of NanoPhotonics Institut fuer Festkoerperphysik)
Руководитель проекта: В.М. Устинов, чл.-корр. РАН, д.ф.-м.н., зав. лаб. физики полупроводниковых гетероструктур, зам. директора ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ключевые слова: полупроводниковый вертикально-излучающий лазер, одночастоное излучение, молекулярно-пучковая эпитаксия, оптические линии связи, радиофотоника
Исполнители
Сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- Н.А. Малеев, с.н.с., к.т.н, лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- С.А. Блохин, с.н.с., к.ф.-м.н, лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- А.П. Васильев, ст.инж, лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- А.Г. Кузьменков, ст.инж., к.ф.-м.н, лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- А.С. Паюсов, н.с., к.ф.-м.н, лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- М.А. Бобров, инж., лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- А.А. Блохин, инж., лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- Ю.А. Гусева, м.н.с., лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- С.Н. Малеев, лаб., лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- А.Ф. Цацульников, с.н.с., к.ф.-м.н, лаб. квантоворазмерных гетероструктур
- А.В. Бабичев, и.о.н.с., к.ф.-м.н, лаб. квантоворазмерных гетероструктур
- Е.В. Никитина, и.о.н.с., к.ф.-м.н, лаб. квантоворазмерных гетероструктур
- А.А. Серин, лаб., лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- Н.Д. Прасолов, лаб., лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники
- В.Н. Неведомский, н.с., лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники
Комплекс мероприятий по модернизации и развитию инфраструктуры уникальной научной установки «Сферический токамак Глобус-М» с целью доведения параметров до мирового уровня и увеличения числа пользователей уникальным научным оборудованием
Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.621.21.0001 от 15.08.2014
Приоритетное направление: Энергоэффективность и энергосбережение
Критическая технология: Технологии атомной энергетики, ядерного топливного цикла, безопасного обращения с радиоактивными отходами и отработавшим ядерным топливом
Период выполнения:15.08.2014–31.12.2015
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 123.33 млн. руб.
Внебюджетные средства — 0.0 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Соисполнитель:
Индустриальный партнер:
Руководитель проекта: В.К. Гусев, д.ф.-м.н., главный научный сотрудник ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ключевые слова: Сферический токамак, модернизация электромагнитной системы, реверсивный источник питания, системы дополнительного нагрева плазмы, диагностический комплекс, защитные материалы
Исполнители
Сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- Т.Ю. Акатова, вед. инженер, лаб. физики высокотемпературной плазмы
- Н.Н. Бахарев, ст. лаборант, лаб. физики высокотемпературной плазмы
- А.В. Воронин, ст. научн. сотр., к.т.н ., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- В.К. Гусев, гл. научн. сотр, д.ф-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- А.Д. Ибляминова, ст. лаборант, лаб. физики высокотемпературной плазмы
- Г.С. Курскиев, научн. сотр., к.ф.-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- С.А. Лепихов, ст. лаборант, лаб. физики высокотемпературной плазмы
- В.Б. Минаев, вед. научн. сотр., к.ф-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- А.Н. Новохацкий, вед. инженер, лаб. физики высокотемпературной плазмы
- М.И. Патров, научн. сотр., к.ф-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- Ю.В. Петров, ст. научн. сотр., к.ф-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- Н.В. Сахаров, ст. научн. сотр., к.ф.-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- И.Ю. Сениченков, вед. инженер, к.ф-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- А.Ю. Тельнова, лаборант-исследователь, лаб. физики высокотемпературной плазмы
- С.Ю. Толстяков, ст. научн. сотр., к.ф-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- Н.А. Хромов, ст. научн. сотр., к.ф-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- П.Б. Щеголев, ст. лаборант, лаб. физики высокотемпературной плазмы
- А.Ю. Яшин, вед. инженер, лаб. физики высокотемпературной плазмы
Развитие Северо-Западного центра коллективного пользования научным оборудованием «Материаловедение и диагностика в передовых технологиях» для проведения комплексных исследований в области приоритетной научной задачи «Исследования и разработка физических принципов и технических решений эффективной и безопасной гибридной ядерной энергетики»
Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.621.21.0007 от 04.12.2014
Приоритетное направление: Энергоэффективность и энергосбережение
Критическая технология: Технологии атомной энергетики, ядерного топливного цикла, безопасного обращения с радиоактивными отходами и отработавшим ядерным топливом
Период выполнения: 04.12.2014–31.12.2015
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 189.278 млн. руб.
Внебюджетные средства — 11.2 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Соисполнитель:
Индустриальный партнер:
Руководитель проекта: В.К. Гусев, д.ф.-м.н., главный научный сотрудник ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ключевые слова: Сферический токамак, физика высокотемпературной плазмы, диагностика плазмы, управляемый термоядерный синтез, термоядерный источник нейтронов, безындукционный старт и поддержание тока, дополнительный нагрев плазмы, центр коллективного пользования
Исполнители
Сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- Т.Ю. Акатова, вед. инженер, лаб. физики высокотемпературной плазмы
- Л.Г. Аскинази, ст. научн. сотр., д.ф-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- М.В. Байдакова, ст. научн. сотр., к.ф-.м.н., лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники
- Б.И. Бер, ст. научн. сотр., лаб. квантоворазмерных гетероструктур
- Т.Н. Березовская, инженер-метролог, метрологическая служба
- П.Н. Брунков, вед. научн. сотр., д.ф.-м.н., лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники
- В.К. Гусев, гл. научн. сотр, д.ф-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- Е.В. Иванова, ст. научн. сотр., к.ф.-м.н., лаб. диффузии и дефектообразования в полупроводниках
- Д.Ю. Казанцев, научн. сотр., лаб. квантоворазмерных гетероструктур
- А.Е. Калмыков, ст. научн. сотр., к.ф.-м.н., лаб. диффракционных методов исследования структуры кристаллов
- Д.А. Кириленко, научн. сотр., к.ф.-м.н., лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники
- С.Г. Конников, зав. лаб., чл.-корр. РАН, лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники
- Г.С. Курскиев, научн. сотр., к.ф.-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- С.В. Лебедев, гл. научн. сотр, д.ф-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- В.Б. Минаев, вед. научн. сотр., к.ф-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- А.В. Нащекин, ст. научн. сотр., к.ф.-м.н., лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники
- С.И. Павлов, мл. научн. сотр., лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники
- М.И. Патров, научн. сотр., к.ф-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- М.Э. Рудинский, мл. научн. сотр., лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники
- А.Н, Савельев,. научн. сотр., д.ф-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- Н.В. Сахаров, ст. научн. сотр., к.ф.-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- А.В. Сидоров, мл. научн. сотр., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- Р.В. Соколов, научн. сотр., лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники
- Д.Б. Шустов, научн. сотр., лаб. диффузии и дефектообразования в полупроводниках одниках
Интегрально-оптический модулятор для широкополосных систем телекоммуникаций и радиофотоники
Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.604.21.0055 от 30.06.2014
Приоритетное направление: Информационно-телекоммуникационные системы
Критическая технология: Технологии создания электронной компонентной базы и энергоэффективных световых устройств
Период выполнения: 30.06.2014–31.12.
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 26 млн. руб.
Внебюджетные средства — 5.2 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Соисполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего профессионального образования Пермский государственный национальный исследовательский университет
Индустриальный партнер: Открытое акционерное общество «Пермская научно-производственная приборостроительная компания»
Руководитель проекта: А.В. Шамрай, д.ф.-м.н., зав. лаб. квантовой электроники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ключевые слова: Интегрально-оптический модулятор, ниобат лития, волоконные линии связи, радиофотоника, оптические датчики
Исполнители
Сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- П.М. Агрузов, мнс, лаб. квантовой электроники
- Д.А. Долбик, лаборант, лаб. квантовой электроники
- И.В. Ильичев, к.х.н., снс, лаб. квантовой электроники
- П.М. Караваев, нс, лаб. квантовой электроники
- В.С. Каретко, лаборант, лаб. квантовой электроники
- В.В. Лебедев, мнс, лаб. квантовой электроники
- А.Н. Петров, лаборант, лаб. квантовой электроники
- А.В. Тронев, лаборант, лаб. квантовой электроники
- А.А. Усикова, к.ф.-м.н., нс, лаб. квантоворазмерных гетероструктур
- А.В. Храбрая, лаборант, лаб. квантовой электроники
Сотрудники соисполнителя (ПГНИУ) и индустриального партнера (ОАО ПНППК)
- И.С. Азанова, к.ф.-м.н., доцент кафедры физики твердого тела ПГНИУ
- В.И. Кичигин, к.х.н., зав. лабораторией электрохимии кафедры физической химии ПГНИУ
- А.М. Минкин, инженер НИЧ ПГНИУ
- С.С. Мушинский, начальник лаборатории ОАО ПНППК
- И.В. Петухов, к.х.н., доцент кафедры физической химии ПГНИУ
- Т.Д. Ратманов, ведущий технолог ОАО ПНППК
- Д.И. Сидоров, аспирант ПНИПУ
- Д.И. Шевцов, к.ф.-м.н., доцент кафедры физики твердого тела ПГНИУ
Разработка концепции и технологии создания полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей на основе гетеровалентных наноструктур соединений групп А3В5 и А2В6
Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.604.21.0008 от 17.06.2014
Приоритетное направление: Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Критическая технология: Технологии новых и возобновляемых источников энергии, включая водородную энергетику
Период выполнения: 17.06.2014–31.12.2015
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 10 млн. руб.
Внебюджетные средства — 1.765 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Индустриальный партнер:Закрытое акционерное общество «Светлана-Рост»
Руководитель проекта: С.В. Иванов, д.ф.-м.н., зав. лаб. квантоворазмерных гетероструктур ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ключевые слова: Многопереходные солнечные элементы, КПД, полупроводниковые соединения группы А3В5, полупроводниковые соединения группы А2В6
Мощные фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения с КПД более 60% для систем лучевой энергетики
Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.604.21.0089 от 27.06.2014
Приоритетное направление: Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Критическая технология: Технологии создания энергосберегающих систем транспортировки, распределения и использования энергии
Период выполнения: 27.06.2014–31.12.2016
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 26 млн. руб.
Внебюджетные средства — 6.5 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Индустриальный партнер:Открытое акционерное общество «Ракетно-космическая Корпорация «Энергия»
Руководитель проекта: В.П. Хвостиков, д.ф.-м.н., в.н.с. лаб. фотоэлектрических преобразователей ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ключевые слова: Эпитаксиальное выращивание, фотоэлектрическое преобразование энергии, КПД, гетероструктуры, технология, лазерное излучение
Исполнители
Сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- А.В. Андреева, лаборант, лаб. наноструктурных солнечных элементов
- Ю.М. Задиранов, к.ф.-м.н., с.н.с. лаб. квантоворазмерных гетероструктур
- М.А. Зарин, лаборант, лаб. наноструктурных солнечных элементов
- Н.Д. Ильинская, к.ф.-м.н., с.н.с., лаб. квантоворазмерных гетероструктур
- Е.А. Ионова, н.с., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- Р.В. Лёвин, н.с., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- А.В. Малевская, м.н.с., лаб. квантоворазмерных гетероструктур
- А.Е. Маричев, лаборант-исследователь, лаб. наноструктурных солнечных элементов
- Н.С. Потапович, к.ф.-м.н., н.с., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- Б.В. Пушный, к.ф.-м.н., с.н.с., лаб. квантоворазмерных гетероструктур
- С.В. Сорокина, к.ф.-м.н., с.н.с., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- Н.Х. Тимошина, вед. технолог, лаб. фотоэлектрических преобразователей
- В.П. Хвостиков, д.ф.-м.н., в.н.с., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- О.А. Хвостикова, к.ф.-м.н., с.н.с., лаб. фотоэлектрических преобразователей
Развитие методов теоретического и экспериментального моделирования поведения металлических систем под воздействием мощных потоков плазмы
Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.613.21.0014 от 09.09.2014
Приоритетное направление: Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Критическая технология: Технологии получения и обработки конструкционных наноматериалов
Период выполнения: 09.09.2014–31.12.2017
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 29.6 млн. руб.
Внебюджетные средства — 29.6 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Иностранный партнер:Инженерная ядерная школа Университета Пердью (Вест-Лафайет, США)
Руководитель проекта: В.М. Кожевин, к.ф.-м.н., с.н.с. лаб. полупроводниковой квантовой электроники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ключевые слова: аморфные металлические наноструктуры, взаимодействие плазмы со стенкой, зарядка пылевых частиц в плазме.
Повышение энергоэффективности концентраторных фотоэлектрических модулей для солнечных батарей
Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.604.21.0088 от 27.06.2014
Приоритетное направление: Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Критическая технология: Технологии новых и возобновляемых источников энергии, включая водородную
Период выполнения: 27.06.2014–31.12.2016
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 26 млн. руб.
Внебюджетные средства — 8,9 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Индустриальный партнер:Открытое акционерное общество «Информационные спутниковые системы имени академика М.Ф. Решетнева»
Руководитель проекта: В.М. Андреев, д.т.н., зав. лаб. фотоэлектрических преобразователей ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ключевые слова: преобразование солнечной энергии, полупроводниковый солнечный элемент, концентрирование солнечного излучения, солнечный фотоэлектрический модуль, система слежения за солнцем, солнечная энергоустановка.
Исполнители
Сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- В.М. Андреев, д.т.н., зав. лаб. фотоэлектрических преобразователей
- Ю.В. Ащеулов, вед. инж.,к.т.н.,лаб. фотоэлектрических преобразователей
- А.В. Гукасьян, вед. инж., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- Н.Ю. Давидюк, вед. инж., к.ф.-м.н., лаб. наноструктурных солнечных элементов
- В.В. Евстропов, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. квантоворазмерных гетероструктур
- Г.А. Елецкая, техник, лаб. фотоэлектрических преобразователей
- Е.А. Елецкая, инженер, лаб. фотоэлектрических преобразователей
- В.М. Емельянов, и.о.н.с., к.ф.-м.н., лаб. наноструктурных солнечных элементов
- Г.В. Ильменков, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- В.С. Калиновский, с.н.с., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- Н.А. Калюжный, н.с., к.ф.-м.н., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- С.О. Когновицкий, к.ф.-м.н., нач. ПТК
- С.А. Кожуховская, лаборант, лаб. фотоэлектрических преобразователей
- Е.В. Контрош, ст. лаб. с ВПО, лаб. фотоэлектрических преобразователей
- В.Р. Ларионов, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- Н.М. Лебедева, ст. лаб. с ВПО, лаб. фотоэлектрических преобразователей
- Т.Г. Лешенкова, вед. инж., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- В.А. Линнас, вед. инж., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- А.И. Луке, Dr., зав. лаб. наноструктурных солнечных элементов
- Д.А. Малевский, н.с., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- М.А. Минтаиров, ст. инж., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- С.А. Минтаиров, н.с., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- А.Н. Паньчак, ст. лаб. с ВПО, лаб. фотоэлектрических преобразователей
- П.В. Покровский, м.н.с., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- В.Д. Румянцев, г.н.с., д.ф.-м.н., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- Н.А. Садчиков, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- Р.А. Салий, м.н.с., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- Ф.Ю. Солдатенков, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- Г.В. Сторожева, лаборант, лаб. фотоэлектрических преобразователей
- Е.Д. Филимонов, лаборант, лаб. фотоэлектрических преобразователей
- А.В. Чекалин, ст. лаб. с ВПО, лаб. фотоэлектрических преобразователей
- М.З. Шварц, с.н.с.,к.ф.-м.н., лаб. фотоэлектрических преобразователей
Квантоворазмерные полупроводниковые наногетероструктуры со сверхшироким спектром усиления и лазеры ближнего ИК-диапазона с расширенным волноводом на их основе для создания перестраиваемого источника лазерного излучения в диапазоне от красного до синего цвета
Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.607.21.0101 от 28.11.2014
Приоритетное направление: Индустрия наносистем
Критическая технология: Нано-, био-, информационные, когнитивные технологии; Технологии диагностики наноматериалов и наноустройств
Период выполнения: 28.11.2014–31.12.2016
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 15 млн. руб.
Внебюджетные средства — 12.3 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Соисполнитель:
Индустриальный партнер:Общество с ограниченной ответственностью «Химприбор-СПб»
Руководитель проекта: Г.С. Соколовский, д.ф.-м.н., в.н.с. лаб. интегральной оптики на гетероструктурах
Ключевые слова: квантовые точки, полупроводниковые лазеры, широкие спектры генерации, широкие спектры усиления, оптический волновод, нелинейный кристалл, генерация второй гармоники
Исполнители
Сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- М.В. Максимов, в.н.с., д.ф.-м.н., физики полупроводниковых гетероструктур
- В.В. Дюделев, с.н.с, к.ф.-м.н., лаб. интегральной оптики на гетероструктурах
- С.Н. Лосев, н.с, к.ф.-м.н., лаб. интегральной оптики на гетероструктурах
- Л.Я. Карачинский, с.н.с, к.ф.-м.н., лаб. квантоворазмерных гетероструктур
- Н.В. Крыжановская, с.н.с, к.ф.-м.н., лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- И.И. Новиков, с.н.с, к.ф.-м.н., квантоворазмерных гетероструктур
- К.К. Соболева, лаборант-исследователь лаб. интегральной оптики на гетероструктурах
- А.С. Паюсов, н.с, к.ф.-м.н.
- В.И. Белов, руководитель патентно-лицензионной службы ФТИ им. А.Ф. Иоффе, патентный поверенный, к. т. н, с.н.с. патентная служба ФТИ им. А.Ф, Иоффе
- Е.Д. Колыхалова, лаборант-исследователь лаб. интегральной оптики на гетероструктурах
- Д.В. Чистяков, лаборант-исследователь лаб. интегральной оптики на гетероструктурах
Полупроводниковые наногетероструктуры А3В5 для вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона
Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.607.21.0001 от 03.06.2014
Приоритетное направление: Индустрия наносистем
Критическая технология: Нано-, био-, информационные, когнитивные технологии; Технологии диагностики наноматериалов и наноустройств
Период выполнения: 03.06.2014–31.12.2016
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 43.5 млн. руб.
Внебюджетные средства — 45 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Соисполнитель: Общество с ограниченной ответственностью «Коннектор Оптикс»
Индустриальный партнер:Открытое акционерное общество «ОКБ-Планета»
Руководитель проекта: В.М. Устинов, чл.-корр. РАН, д.ф.-м.н., зав. лаб. физики полупроводниковых гетероструктур, зам. директора ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ключевые слова: наногетероструктура, оптический микрорезонатор, распределенный брэгговский отражатель, вертикально-излучающий лазер, молекулярно-пучковая эпитаксия
Исполнители
Сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- Н.А. Малеев, с.н.с., к.т.н, лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- С.А. Блохин, с.н.с., к.ф.-м.н, лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- А.П. Васильев, ст.инж, лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- А.Г. Кузьменков, ст.инж., к.ф.-м.н, лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- М.А. Бобров, инж., лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- А.А. Блохин, инж., лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- Ю.А. Гусева, м.н.с., лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- С.Н. Малеев, лаб., лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- А.А. Серин, лаб., лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- Н.Д. Прасолов, лаб., лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники
- В.Н. Неведомский, н.с., лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники
- С.И. Павлов, м.н.с., лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники
Разработка МОС-гидридной технологии наногетероструктур и мощных непрерывных и импульсных полупроводниковых лазеров на их основе, излучающих в диапазоне длин волн 1400-1600 нм
Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.607.21.0048 от 25.08.2014
Приоритетное направление: Индустрия наносистем
Критическая технология: Нано-, био-, информационные, когнитивные технологии
Период выполнения: 25.08.2014–31.12.2016
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 60 млн. руб.
Внебюджетные средства — 25,8 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Индустриальный партнер: ОАО НИИ «Полюс им. М.Ф. Стельмаха»
Руководитель проекта: И.С. Тарасов, д.ф.-м.н., зав. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ключевые слова: наногетероструктура, МОС-гидридная эпитаксия, полупроводниковый лазер, внутренние оптические потери, расширенный волновод, оже рекомбинация, многомодовый лазер, твердые растворы изопериодические с InP
Исполнители
Сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- И.Н. Арсентьев, в.н.с., д.т.н., лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- К.Р. Аюшева, лаборант, лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- К.В. Бахвалов, м.н.с., лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- А.Д. Бондарев, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- Л.С. Вавилова, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- В.В. Васильева, ст. инженер., лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- Д.А. Веселов, ст. лаборант с ВПО, лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- Н.В. Воронкова, м.н.с., лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- А.В. Жаботинский, ст. лаборант с ВПО, лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- В.В. Золотарев, ст. лаборант с ВПО, лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- В.А. Капитонов, н.с., лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- А.Ю. Лешко, н.с., к.ф.-м.н., лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- Я.В. Лубянский, лаборант, лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- А.В. Лютецкий, к.ф.-м.н., с.н.с лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- Д.Н. Николаев, н.с., лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- А.Н. Петрунов, ст. инженер, лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- Н.А. Пихтин, с.н.с., к.ф.-м.н.,. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- А.А. Подоскин, н.с., к.ф.-м.н., лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- М.Г. Растегаева, н.с., к.т.н., лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- А.В. Рожков, с.н.с. к.ф.-м.н., лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- С.О. Слипченко, с.н.с., к.ф.-м.н.,. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- З.Н. Соколова, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- Ф.Ю. Солдатенков, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- В.А. Стрелец, лаборант, лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- В.В. Шамахов, н.с., лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- И.С. Шашкин, н.с., к.ф.-м.н., лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
Сотрудники других организаций
- Курносов К.В., инженер ОАО «НИИ «Полюс»
- Курнявко Ю.В., инженер ОАО «НИИ «Полюс»
- Иванов А.В., инженер ОАО «НИИ «Полюс»
- Исаева И.В., инженер ОАО «НИИ «Полюс»
- Лобинцов А.В., инженер ОАО «НИИ «Полюс»
- Шарненко Т.Ф., инженер ОАО «НИИ «Полюс»
- Егорова М.В., инженер ОАО «НИИ «Полюс»
Разработка квантовых сенсоров на основе карбида кремния и создание диагностического приборного комплекса для сканирующей магнитометрии и термометрии
Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.604.21.0083 от 30.06.2014
Приоритетное направление: Индустрия наносистем
Критическая технология: Технологии диагностики наноматериалов и наноустройств
Период выполнения: 30.06.2014–31.12.2016
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 26 млн. руб.
Внебюджетные средства — 6.5 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Индустриальный партнер: Открытое акционерное общество «Нанотехнология МДТ»
Руководитель проекта: П.Г. Баранов, д.ф.-м.н., зав. лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ключевые слова: Микроскопия, конфокальная микроскопия, электронный парамагнитный резонанс, оптически-детектируемый магнитный резонанс, карбид кремния, сенсорика, магнитометрия, термометрия
Исполнители
Сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- В.А. Солтамов, ответственный исполнитель темы, к.ф.-м.н., нс, лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- А.Г. Бадалян, к.ф.-м.н., снс, лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- Г.Р. Асатрян, к.ф.-м.н., снс, лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- И.В. Ильин, к.ф.-м.н., снс, лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- Н.Г. Романов, к.ф.-м.н., снс, лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- В.А. Храмцов, к.ф.-м.н., снс, лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- Р.А. Бабунц, к.ф.-м.н., нс, лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- В.Л. Преображенский, к.ф.-м.н., лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- Д.О. Толмачев, к.ф.-м.н., нс, лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- С.И. Голощапов, к.ф.-м.н., нс, лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- М.В. Музафарова, к.ф.-м.н., нс, лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- Д.Ф. Корнован, к.ф.-м.н., нс, лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- Е.Н. Мохов, зав. лаб. электроники полупроводников с большой энергией связи
- С.С. Нагалюк, к.ф.-м.н., нс, лаб. электроники полупроводников с большой энергией связи
- В.И. Белов, к.ф.-м.н., нс, группа патентно-лицензионная
- Э.Ю. Даниловский, к.ф.-м.н., нс, лаб. атомной радиоспектроскопии
- Д.С. Гец, к.ф.-м.н., нс, лаб. атомной радиоспектроскопии
- А.П. Бундакова, инженер, лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- Д.Д. Крамущенко, к.ф.-м.н., и.о. нс, лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- А.С. Гурин, мнс, лаб. оптики полупроводников
- Ю.А. Успенская, ст. лаборант с ВПО, лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- А.Н. Анисимов, ст. лаборант с ВПО, лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- Р.Р. Измайлов, лаборант, лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
Разработка фотоэлектрических гетероструктурных преобразователей на основе кристаллического и аморфного кремния с конкурентными на мировом рынке энергетическими и экономическими показателями
Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.607.21.0075 от 20.10.2014
Приоритетное направление: Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Критическая технология: Технологии новых и возобновляемых источников энергии, включая водородную
Период выполнения: 20.10.2014–31.12.2016
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 47,5 млн. руб.
Внебюджетные средства — 32 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Индустриальный партнер: ООО «Хевел»
Руководитель проекта: Е.И. Теруков, д.т.н., зав. лаб. физико-химических свойств полупроводников ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ключевые слова: фотоэлектрический преобразователь, эффективность преобразователей, сто-имость преобразователей, кристаллический кремний, а морфный кремний, фотоэлектрический модуль, текстурирование поверхности, плазмохимическая технология
Исполнители
Сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- А.В. Бобыль, д.ф.-м.н., внс, лаб. физико-химических свойств полупроводников
- А.С. Гудовских, вед. инженер, лаб. фотоэлектрических преобразователей
- Д.А. Малевский, нс, НОЦ физика и технология п/п лазеров на основе наногетероструктур
- И.Е. Панайотти, к.ф.-м.н., нс, лаб. физической и функциональной микроэлектроники
- Г.М. Аблаев, инженер-исследователь, лаб. физико-химических свойств полупроводников
- Д.А. Богданов, инженер-исследователь, лаб. физико-химических свойств полупроводников
- В.Н. Вербицкий, ст. лаборант с ВПО, лаб. физико-химических свойств полупроводников
- Г.А. Горбатовский, лаборант, лаб. физико-химических свойств полупроводников
- Е.М. Ершенко, мнс, лаб. физико-химических свойств полупроводников
- Г.А. Иванов, инженер, лаб. физико-химических свойств полупроводников
- С.А. Кудряшов, инженер-исследователь, лаб. физико-химических свойств полупроводников
- Е.В. Мальчукова, к.ф.-м.н., снс, лаб. физико-химических свойств полупроводников <lie>С.Е. Никитин, снс, лаб. физико-химических свойств полупроводников </lie>
- И.Н. Трапезникова, нс, лаб. физико-химических свойств полупроводников
Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007–2013 годы
Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований
в области создания энергоэффективных компактных источников тока мощностью не менее 50 Вт на основе твердополимерных топливных элементов
Контракт: № 16.516.11.6135 от 22.09.2011
Приоритетное направление: Энергоэффективность
Критическая технология: Технологии водородной энергетики
Период выполнения: 22.09.11-16.08.12
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико- технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Руководитель проекта: А.Г. Забродский, чл.-корр. РАН, директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе,
Ключевые слова: компактные источники тока, высокая удельная энергоемкость, высокоэффективные катализаторы, топливные элементы, мембранно-электродные блоки, методы формирования каталитических слоев, электрические характеристики МЭБ и КИТ, каталитические слои, углеродные нанотрубки, функционализация, каталитические чернила, эффективность катализа, водородная энергетика
Исполнители
Сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- А.А. Нечитайлов, н.с., к.т.н, лаб. мощных полупроводниковых приборов
- Н.В. Глебова, инженер, м.н.с., лаб. мощных полупроводниковых приборов
- Д.В. Кошкина, инженер, аспирантка, лаб. мощных полупроводниковых приборов
- Е.А. Мирошниченко, лаборант, студентка, лаб. мощных полупроводниковых приборов
- Е.Е. Терукова, лаборант-исследователь, к.т.н., лаб. фотоэлектрических явлений в полупроводниках
- А.А. Томасов, с.н.с, к.ф-м.н., лаб. неравновесных процессов в полупроводниках
- Н.К. Зеленина, н.с., лаб. неравновесных процессов в полупроводниках
- А.И. Терентьев,с.н.с, к.ф-м.н., лаб. неравновесных процессов в полупроводниках
- С.А. Гуревич, г.н.с., д. ф-м.н., проф., лаб. полупроводниковой квантовой электроники
- В.М. Кожевин, с.н.с, к.ф-м.н., лаб. полупроводниковой квантовой электроники
- М.В. Горохов, н.с., к.ф-м.н., лаб. полупроводниковой квантовой электроники
- Д.А. Андроников, инженер, лаб. полупроводниковой квантовой электроники
- Д.С. Ильющенков, н.с., к.ф-м.н., лаб. полупроводниковой квантовой электроники
- Д.А. Явсин, с.н.с, к.ф-м.н., лаб. полупроводниковой квантовой электроники
- Ю.В. Алексеева, м.н.с., лаб. полупроводниковой квантовой электроники
- И.П. Смирнова, н.с., к.ф.-м.н, лаб. полупроводниковой квантовой электроники
- И.Н. Дубинкин, лаборант, лаб. полупроводниковой квантовой электроники
- М.Д. Иофе, лаборант, студент, лаб. полупроводниковой квантовой электроники
- А.А. Трилис, лаборант, студент, лаб. полупроводниковой квантовой электроники
- М.В. Томкович, лаб. новых неорганических материалов
- Ю.С. Кукушкина, лаб. новых неорганических материалов
- В.В. Соколов, лаб. новых неорганических материалов
- В.Г. Малышкин, лаб. неравновесных процессов в полупроводниках
- А.А. Ситникова, н.с., лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники
- В.И. Белов, с.н.с, к.т.н., патентно-лицензионная служба
Сотрудники других организаций
- Д.В. Каменьков, аспирант, СПбГЭТУ (ЛЭТИ)
- Д.А. Чигирев, аспирант, СПбГЭТУ (ЛЭТИ)
Научные и научно-педагогические кадры инновационной России на 2009–2013 годы
Исследование селекции продольных мод в мощных многомодовых полупроводниковых лазерах с внутренней дифракционной решеткой
Контракт: № 14.740.11.0807 от 30.11.2010 г.
Приоритетное направление: индустрия наносистем и материалов
Критическая технология: Технологии создания электронной компонентной базы
Период выполнения: 30.11.10 - 15.11.12
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико- технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Руководитель проекта: И.С. Тарасов, д.ф.-м.н., зав. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
Ключевые слова: полупроводниковые лазеры, гетероструктура, оптическая мощность излучения, дифракционная решетка, узкий спектр излучения
Исполнители
Сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- П.С. Копьев, д.ф-м.н., чл.-корр. РАН, руководитель НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- И.Н. Арсентьев, д.т.н., в.н.с. НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- В.В. Мамутин, д.ф.-м.н., в.н.с. НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- З.Н. Соколова, к.ф.-м.н., с.н.с НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- Н.А. Пихтин, к.ф.-м.н., с.н.с. НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- С.О. Слипченко, к.ф.-м.н., н.с. НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- А.В. Лютецкий, к.ф.-м.н, н.с. НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- М.Г. Растегаева, к.т.н, н.с. НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- А.Ю. Лешко, к.ф.-м.н, н.с НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- Д.А. Винокуров, н.с. НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- К.С. Ладутенко, м.н.с. НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- Д.Н. Николаев, м.н.с. НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- В.В. Шамахов, м.н.с. НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- Т.А Комисарова, к.ф.-м.н, н.с. НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- А.Н. Семенов, к.ф.-м.н., н.с. НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- Е.Р. Сеель, к.ф.-м.н., вед.технолог НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- В.В. Васильева, инженер НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- А.Н. Перунов, инженер НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- А.В. Атращенко, аспирант, лаборант-исследователь НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- А.А. Подоскин, аспирант, лаборант-исследователь НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- И.С. Шашкин, аспирант, лаборант-исследователь НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- Д.В. Авдошина, студент, лаборант НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- К.В. Бахвалов, и.о.м.н.с НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- Д.А. Веселов, студент, лаборант НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- А.В. Журавлев, студент, лаборант НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- Г.О. Корнышов, студент, лаборант НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Исследование фундаментальных и технологических причин, ограничивающих максимальную выходную оптическую мощность полупроводниковых лазеров, излучающих в спектральном диапазоне 900–1200 нм
Контракт: № ГК П2319 от 16.11.2009 г.
Приоритетное направление: Индустрия наносистем и материалов
Критическая технология: Технологии создания электронной компонентной базы
Период выполнения: 16.11.09 - 10.08.11
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико- технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Руководитель проекта: И.С. Тарасов, д.ф.-м.н., профессор зав. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
Ключевые слова: лазерные гетероструктуры, температурная стабильность лазерных характеристик, делокализация носителей заряда, МОС-гидридная эпитаксия, внутренние оптические потери
Исполнители
Сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- З.Н. Соколова, к.ф.-м.н., с.н.с. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- Н.А. Пихтин, к.ф.-м.н., с.н.с. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- С.О. Слипченко, к.ф.-м.н., н.с. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- А.Л. Станкевич, н.с. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- Д.А. Винокуров, н.с. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- Н.В. Фетисова, м.н.с. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- В.В. Шамахов, м.н.с. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- А.А. Подоскин, ст. лаборант, аспирант лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- И.С. Шашкин, ст. лаборант, аспирант лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- А.В. Атращенко, студент, лаборант лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
Разработка и создание полупроводниковых лазеров на основе гетероструктур с квантовыми ямами на подложках GaAs, излучающих в диапазоне длин волн 1200–1600 нм
Контракт: № ГК П2508 от 16.11.2009 г.
Приоритетное направление: индустрия наносистем и материалов
Критическая технология: технологии создания электронной компонентной базы
Период выполнения: 20.11.09 - 31.07.11
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико- технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Руководитель проекта: Н.А. Пихтин, к.ф.-м.н., с.н.с. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
Ключевые слова: лазерные гетероструктуры; компенсирующие слои; сильнонапряженные квантовые ямы; буферные слои; искусственные подложки; МОС-гидридная эпитаксия
Исполнители
Сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- З.Н. Соколова, к.ф.-м.н., с.н.с. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- С.О. Слипченко, к.ф.-м.н., н.с. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- А.Л. Станкевич, н.с. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- Д.А. Винокуров, н.с. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- Н.В. Фетисова, м.н.с. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- В.В. Шамахов, м.н.с. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- А.А. Подоскин, ст. лаборант, аспирант лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- И.С. Шашкин, ст. лаборант, аспирант лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- А.В. Атращенко, студент, лаборант лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей