| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
Академик РАН
И.В. Грехов
1934-2026
1
2
3
4
…
следующая »
последняя ⇥
Всего записей: 436
-
Название: Гетероструктура для гибридного лазера Патент РФ: #2870572 от 22 сентября 2026 г. Тип: Изобретение Авторы: Слипченко,СО; Пихтин,НА; Шашкин,ИС; Подоскин,АА; Светиков,ВВ; Певчих,КЭ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Слипченко,СО; Пихтин,НА; Шашкин,ИС; Подоскин,АА Подразделения: - лаб. полупроводниковых лазерных диодов (Слипченко,СО)
- лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА)
-
Название: Method for producing single crystal diamond and single crystal diamond Патент М: #US12686939B2 от 21 июля 2026 г. Тип: Изобретение Авторы: Шахов,ФМ; Вуль,АЯ; Oshima Ryuji; Iizuka Kanji Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН; DISCO CORPORATION Авторы - сотрудники ФТИ: Шахов,ФМ; Вуль,АЯ Подразделения: - лаб. физики кластерных структур (Дидейкина,АТ)
-
Название: Источник ионов с электронной ионизацией Патент РФ: #244976 от 23 июля 2026 г. Тип: Полезная модель Авторы: Блашенков,НМ; Павлова,ЕС; Громов,ИА; Галль,НР Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Блашенков,НМ; Павлова,ЕС; Громов,ИА; Галль,НР Подразделения: - лаб. физики элементарных структур на поверхности (Кузьмина,МВ)
- лаб. физики адсорбционно-десорбционных процессов (Галля,НР)
-
Название: Программа для расчета положения линий кросс-резонансов спиновых парамагнитных центров Свидетельство РФ: #2026682378 от 21 июля 2026 г. Тип: Программы для ЭВМ Авторы: Скоморохов,АМ; Гурин,АС; Крамущенко,ДД; Вейшторт,ИП; Бабунц,РА; Успенская,ЮА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Скоморохов,АМ; Гурин,АС; Крамущенко,ДД; Вейшторт,ИП; Бабунц,РА; Успенская,ЮА Подразделения: - лаб. спин-фотонных полупроводниковых систем для квантовых технологий (Успенской,ЮА)
- лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Бабунца,РА)
-
Название: Датчик химического состава вещества Патент РФ: #2866740 от 21 июля 2026 г. Тип: Изобретение Авторы: Матвеев,БА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Матвеев,БА Подразделения: - лаб. инфракрасной оптоэлектроники (Ременного,МА)
-
Название: ПрограммаZ-BEAMS для моделирования распыления, отражения, пробегов и образования дефектов при бомбардировке пучками ионов и атомов различных многокомпонентных мишеней Свидетельство РФ: #2026669120 от 9 июля 2026 г. Тип: Программы для ЭВМ Авторы: Зиновьев,АН; Бабенко,ПЮ; Михайлов,ВС; Смаев,АВ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Зиновьев,АН; Бабенко,ПЮ; Михайлов,ВС; Смаев,АВ Подразделения: - лаб. атомных столкновений в твердых телах (Зиновьева,АН)
-
Название: Электрокатализатор восстановления кислорода на основе нанокомпозитов "аминированный графен - наночастицы смешанного оксида кобальта" и способ его получения Патент РФ: #2864664 от 25 июня 2026 г. Тип: Изобретение Авторы: Рабчинский,МК; Положенцева,ЮА; Рыжков,СА; Червякова,ПД; Савельев,СД; Иншаков,ЕА; Столярова,ДЮ; Нгуен,ДЗ; Антонов,ГА; Кириленко,ДА; Байдакова,МВ; Павлов,СИ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Положенцева,ЮА; Рыжков,СА; Червякова,ПД; Савельев,СД; Иншаков,ЕА; Нгуен,ДЗ; Антонов,ГА; Кириленко,ДА; Байдакова,МВ; Павлов,СИ Подразделения: - лаб. новых неорганических материалов (Красилина,АА)
- лаб. двумерных материалов для устройств микроэлектроники (Прасолова,НД)
-
Название: Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя лазерного излучения Патент РФ: #2864450 от 26 июня 2026 г. Тип: Изобретение Авторы: Малевская,АВ; Калюжный,НА; Ильинская,НД; Солдатенков,ФЮ; Пивоварова,АА; Салий,РА; Лебедева,НМ; Эполетов,ВС; Покровский,ПВ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Малевская,АВ; Калюжный,НА; Ильинская,НД; Солдатенков,ФЮ; Пивоварова,АА; Салий,РА; Лебедева,НМ; Эполетов,ВС; Покровский,ПВ Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
- лаб. инфракрасной оптоэлектроники (Ременного,МА)
- лаб. наногетероструктурных излучателей и фотоприёмников (Шарова,ВА)
- лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усиковой,АА)
- лаб. высокоэффективных солнечных фотоэнергосистем (Маричева,АЕ)
-
Название: Газовый детектор на основе аминированного графена, модифицированного газочувствительными пептидами, и способ его изготовления Патент РФ: #2864679 от 25 июня 2026 г. Тип: Изобретение Авторы: Рабчинский,МК; Рыжков,СА; Червякова,ПД; Халтурин,БГ; Савельев,СД; Иншаков,ЕА; Сысоев,ВВ; Варежников,АС; Соломатин,МА; Кириленко,ДА; Антонов,ГА; Байдакова,МВ; Павлов,СИ; Швидченко,АВ; Прасолов,НД Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Рыжков,СА; Червякова,ПД; Халтурин,БГ; Савельев,СД; Иншаков,ЕА; Кириленко,ДА; Антонов,ГА; Байдакова,МВ; Павлов,СИ; Швидченко,АВ; Прасолов,НД Подразделения: - лаб. физики коллоидов (Швидченко,АВ)
- лаб. двумерных материалов для устройств микроэлектроники (Прасолова,НД)
-
Название: Радиофотонный фотоэлектрический преобразователь Патент РФ: #2864678 от 25 июня 2026 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Калиновский,ВС; Контрош,ЕВ; Малевская,АВ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Калиновский,ВС; Контрош,ЕВ; Малевская,АВ Подразделения: - лаб. наногетероструктурных излучателей и фотоприёмников (Шарова,ВА)
- лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Устройство для коллимации выходного излучения широкоапертурного полупроводникового лазера Патент РФ: #2864558 от 23 июня 2026 г. Тип: Изобретение Авторы: Дерягин,НГ; Дюделев,ВВ; Соколовский,ГС Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Дерягин,НГ; Дюделев,ВВ; Соколовский,ГС Подразделения: - лаб. интегральной оптики на гетероструктурах (Соколовского,ГС)
-
Название: Одномодовый малошумящий вертикально-излучающий лазер Патент РФ: #244137 от 18 июня 2026 г. Тип: Полезная модель Авторы: Блохин,СА; Малеев,НА; Бобров,МА; Блохин,АА; Ковач,ЯН; Марчий,МН Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Подразделения: -
Название: Термоядерная мишень непрямого инициирования с алмазным аблятором, обогащенным углеродом-13 (варианты) Патент РФ: #2862484 от 21 мая 2026 г. Тип: Изобретение Авторы: Шматов,МЛ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Шматов,МЛ Подразделения: - сектор теории твердого тела (Романова,АЕ)
-
Название: Анод на основе нанокомпозита аминированыйграфен-наночастицы кремния и способ его получения Патент РФ: #2859578 от 7 апреля 2026 г. Тип: Изобретение Авторы: Рабчинский,МК; Новожилова,МВ; Рыжков,СА; Нгуен,ДЗ; Халтурин,БГ; Савельев,СД; Иншаков,ЕА; Червякова,ПД; Кириленко,ДА; Антонов,ГА; Байдакова,МВ; Павлов,СИ; Прасолов,НД; Швидченко,АВ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Новожилова,МВ; Рыжков,СА; Нгуен,ДЗ; Халтурин,БГ; Савельев,СД; Иншаков,ЕА; Червякова,ПД; Кириленко,ДА; Антонов,ГА; Байдакова,МВ; Павлов,СИ; Прасолов,НД; Швидченко,АВ Подразделения: - лаб. физики коллоидов (Швидченко,АВ)
- лаб. двумерных материалов для устройств микроэлектроники (Прасолова,НД)
- лаб. новых функциональных материалов для химических источников тока (Апраксина,РВ)
-
Название: Солнечный фотоэлектрический субмодуль для космического аппарата Патент РФ: #2858474 от 17 марта 2026 г. Тип: Изобретение Авторы: Калиновский,ВС; Теруков,ЕИ; Контрош,ЕВ; Прудченко,КК; Аболмасов,СН; Толкачев,ИА; Андреев,ВМ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Калиновский,ВС; Теруков,ЕИ; Контрош,ЕВ; Прудченко,КК; Толкачев,ИА; Андреев,ВМ Подразделения: - лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
- лаб. физико-химических свойств полупроводников (Терукова,ЕИ)
- лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Способ тестирования чипов наоснове полупроводниковых структур Al-Ga-In-As-P и устройство для его осуществления Патент РФ: #2856789 от 24 февраля 2026 г. Тип: Изобретение Авторы: Давидюк,НЮ; Минтаиров,МА; Малевский,ДА; Покровский,ПВ; Малевская,АВ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Давидюк,НЮ; Минтаиров,МА; Малевский,ДА; Покровский,ПВ; Малевская,АВ Подразделения: - лаб. наногетероструктурных излучателей и фотоприёмников (Шарова,ВА)
- лаб. высокоэффективных солнечных фотоэнергосистем (Маричева,АЕ)
- лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Имитатор солнечного излучения Патент РФ: #2855878 от 4 февраля 2026 г. Тип: Изобретение Авторы: Шварц,МЗ; Малевский,ДА; Покровский,ПВ; Ловыгин,ИВ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Шварц,МЗ; Малевский,ДА; Покровский,ПВ Подразделения: - лаб. высокоэффективных солнечных фотоэнергосистем (Маричева,АЕ)
- лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Программа обработки и анализа данных диагностики диверторного томсоновского рассеяния токамака Глобус-М2 Свидетельство РФ: #2026610561 от 14 января 2026 г. Тип: Программы для ЭВМ Авторы: Ермаков,НВ; Мухин,ЕЕ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Ермаков,НВ; Мухин,ЕЕ Подразделения: - лаб. лазерной диагностики плазмы и взаимодействия плазмы с поверхностью (Мухина,ЕЕ)
-
Название: Автономный источник электрической энергии на основе монокристаллического алмаза,активированного углеродом-14 Патент РФ: #2854307 от 29 декабря 2025 г. Тип: Изобретение Авторы: Бочаров,СН; Бураков,БЕ; Гусев,ГА; Дементьева,ЕВ; Заморянская,МВ; Калиновский,ВС; Контрош,ЕВ; Кравец,ВА; Орехова,КН; Прудченко,КК; Толкачев,ИА; Трофимов,АН; Андреев,ВМ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Бураков,БЕ; Гусев,ГА; Дементьева,ЕВ; Заморянская,МВ; Калиновский,ВС; Контрош,ЕВ; Кравец,ВА; Орехова,КН; Прудченко,КК; Толкачев,ИА; Трофимов,АН; Андреев,ВМ Подразделения: - лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
- лаб. диффузии и дефектообразования в полупроводниках (Заморянской,МВ)
- лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Устройство для коллимации выходного излучения полупроводникового лазера Патент РФ: #2854286 от 29 декабря 2025 г. Тип: Изобретение Авторы: Дерягин,НГ; Дюделев,ВВ; Соколовский,ГС Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Дерягин,НГ; Дюделев,ВВ; Соколовский,ГС Подразделения: - лаб. интегральной оптики на гетероструктурах (Соколовского,ГС)
1
2
3
4
…
следующая »
последняя ⇥