Области исследования

• физика и технология (MBE, MOCVD) кремния и полупроводниковых гетероструктур групп A³B⁵, А²В⁶ и A^3-N, в особенности низкоразмерных наноструктур (квантовых ям, квантовых нитей и квантовых точек)
• электронное материаловедение и диагностика (просвечивающая и сканирующая электронная микроскопия, электронный микроанализ проб, рентгеновская дифракция и топография, электронная Оже-спектроскопия, вторичная ионная масс-спектрометрия, спектроскопия переходо
• оптоэлектроника, наноэлектроника, спинтроника на основе низкоразмерных гетероструктур
• фотовольтаические преобразователи и солнечные элементы
• теория электрических, оптических и квантовых когерентных явлений в полупроводниках
• сверхбыстрые процессы и нелинейные оптические явления
• полупроводниковые лазерные диоды (CW, DFB и пикосекундные гетероструктурные лазеры, лазеры с электронно-лучевой накачкой), фотодетекторы и фотоэлементы для среднего ИК, ИК, видимого и УФ спектральных диапазонов
• импульсные мощные приборы на основе полупроводниковых соединений группы A³B⁵
• металл-оксидные функциональные материалы, в том числе наноматериалы, для применения в энергетике

Руководство

• Руководитель: Пихтин Никита Александрович, кандидат физ.-мат. наук
• Зам. руководителя: Берт Николай Алексеевич, кандидат физ.-мат. наук
• Ученый секретарь: Павлов Сергей Игоревич, кандидат физ.-мат. наук

Кадровый состав

Научные работники: 322
В том числе:

• докторов наук — 43
• кандидатов наук — 149

Средний возраст научных работников (лет): 48,2

Подразделения

• лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
• лаб. наногетероструктурных излучателей и фотоприёмников (Калюжного,НА)
• лаб. высокоэффективных солнечных фотоэнергосистем (Левиной,СА)
• лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА)
• лаб. полупроводниковых лазерных диодов (Слипченко,СО)
• лаб. полупроводниковой радиофотоники (Казаковой,АЕ)
• лаб. полупроводниковой квантовой электроники (Гуревича,СА)
• лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
• лаб. двумерных материалов для устройств микроэлектроники (Прасолова,НД)
• лаб. оптики кристаллов и гетероструктур с экстремальной двумерностью (Торопова,АА)
• лаб. инфракрасной оптоэлектроники (Ременного,МА)
• сектор теории квантовых когерентных явлений в твердом теле (Тарасенко,СА)
• сектор теории оптических и электрических явлений в полупроводниках (Аверкиева,НС)
• лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Забродского,ВВ)
• лаб. квантовой фотоники (Торопова,АА)
• лаб. интегральной оптики на гетероструктурах (Соколовского,ГС)
• лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
• лаб. лазерных излучателей для компактных атомных сенсоров (Блохина,СА)
• лаб. целевая "ЛаВР-1" (Малеева,НА)
• лаб. новых неорганических материалов (Красилина,АА)
• лаб. материалов и процессов водородной энергетики (Попкова,ВИ)