Общая информация

Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе является одним из крупнейших научных центров России, в котором широким фронтом ведутся как фундаментальные, так и прикладные исследования в важнейших областях современной физики и технологии.

Институт был основан в 1918 году Абрамом Федоровичем Иоффе, который затем возглавлял его в течение нескольких десятилетий. С 1960 года институт носит имя этого выдающегося ученого и организатора науки.

До конца декабря 2013 года институт являлся учреждением Российской академии наук и входил в состав Отделения физических наук. 30 декабря 2013 в соответствии с распоряжением Правительства РФ № 2591-р институт был передан в ведение Федерального агентства научных организаций России.

27 июня 2018 г. распоряжением Правительства РФ № 1293-р Институт был передан в ведение Министерства науки и высшего образования РФ.

 

 


Из событий последних месяцев

  • Избрание почетных членов ФТИ

    31 октября 2025 года состоялось заседание ученого совета ФТИ, на котором тайным голосованием из числа представленных номинаторами выдающихся ученых почетными членами института были избраны академик РАН, научный руководитель Государственного астрономического института им. П.К. Штернберга Анатолий Михайлович Черепащук (Россия) и профессор Университета Монпелье Алексей Николаевич Баранов (Франция).

  • 145 лет со дня рождения академика А.Ф. Иоффе

    Сегодня, 29 октября 2025 года, исполняется 145 лет со дня рождения выдающегося российского и советского учёного, организатора науки, обыкновенно именуемого «отцом советской физики», академика, вице-президента АН СССР, Героя Социалистического Труда, Лауреата Сталинской и Ленинской премий, одного из создателей отечественной школы физиков, пионера исследований полупроводников и инициатора исследований атомного ядра, основателя нашего Института — академика Абрама Фёдоровича Иоффе!

    Подробнее...

  • Выставка Иосифа Зисмана «Форма цвета»

    Приглашаем Вас на открытие выставки работ художника Иосифа Зисмана «Форма цвета», которое состоится завтра, во вторник, 28 октября, в 17:30 в читальном зале Библиотеки.

  • Первый отечественный матричный фотоприемник на основе коллоидных квантовых точек

    В ГНЦ РФ «НПО «Орион» совместно с лабораторией фотоприемников на квантовых точках ФТИ им. А.Ф. Иоффе (рук. К.В. Рейх) и МФТИ, при поддержке Фонда перспективных исследований, создана первая в России фотоприемная матрица на коллоидных квантовых точках формата 640×512 с шагом пикселей 15 мкм, позволяющая регистрировать излучение в расширенном спектральном диапазоне от видимого до коротковолнового инфракрасного 0.4–2.0 мкм.

    Подробнее...

  • Визит Министра науки и высшего образования РФ В.Н. Фалькова

    26 сентября 2025 г. ФТИ им. А.Ф. Иоффе посетил Глава Минобрнауки России, Валерий Николаевич Фальков. В ходе визита, Министр ознакомился с результатами работы молодежных лабораторий нашего Института — в лаборатории лазерных излучателей для компактных атомных сенсоров В.Н. Фалькову были представлены разработки уникальных вертикально-излучающих лазеров для создания квантовых стандартов частоты, компактных оптических гироскопов и магнетометров и высокоскоростной передачи данных. В лаборатории материалов и процессов водородной энергетики – технологии получения многокомпонентных ферритов и создания керамических изделий на их основе для решения задач импортозамещения и опережающего развития в области СВЧ-радиоэлектроники.

    Также Глава Минобрнауки посетил лабораторию квантовой фотоники, которая является лидером в России по молекулярно-пучковой эпитаксии и квантовой фотонике и успешно выполняет проекты Дорожной карты ГК «Росатом» по квантовым вычислениям и ОАО «РЖД» по квантовым коммуникациям 2025-2030 гг.

    Директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе С.В. Иванов также рассказал о планах по развитию нашего Института, о реализации проекта по созданию Центра современной импортозамещающей гетероструктурной электронной компонентной базы, основная задача которого – проведение научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ, направленных на создание отечественных аналогов импортной электроники и разработка новых полупроводниковых приборов.

    «Институт достаточно динамично развивается. Мы как учредители готовы вас поддержать, в том числе по вопросам, связанным с инфраструктурным развитием. Но помимо этого, первое и самое главное – это идеи, люди, то видение, куда развивается Физтех», – сказал В.Н. Фальков.

    Подробнее...

Основные научные достижения

  • Первое отождествление быстрого радиовсплеска со вспышкой магнетара
  • Люминесцентная связь в многопереходных гетероструктурах: её природа, механизмы и потенциальные возможности для повышения эффективности (кпд) солнечных элементов
  • Перенос быстрых ионов в токамаке Глобус-М2, инициированный тороидальными альфвеновскими модами
  • Рост гексагонального нитрида бора (hBN) на подложках карбида кремния методом сублимации
  • Микроразмерный твердотельный магнитометрический сенсор с оптической накачкой
  • Сверхбыстрая спиновая динамика и фазовые переходы в магнитных материалах с взаимодействующими подсистемами
  • Переход металл-полупроводник в нанопленках иттербия, индуцированный адсорбированными молекулами кислорода
  • Метод токовых инвариантов для фотопреобразователей различного назначения: зависимости фундаментальных параметров p-n переходов от ширины запрещённой зоны материалов и температуры
  • Теория частично когерентной конической рефракции
  • Квантование экситон-поляритонного конденсата в микрорезонаторе
  • Радиометрический метод среднего ИК диапазона определения пироэлектрических и электрокалорических характеристик материалов
  • Сверхбыстрое лазерно-индуцированное изменение магнитной анизотропии и динамика намагниченности в синтетическом мультиферроике CoFeB/BaTiO3