02 марта 2026 года на заседании Ученого совета директором Института С.В. Ивановым были торжественно вручены ведомственные награды Минобрнауки России сотрудникам нашего Института.

За значительные заслуги в сфере научной деятельности, успехи в работе и добросовестный труд:

• Почетное звание «Почетный работник науки и высоких технологий Российской Федерации» присвоено зам. директора по научной работе П.Н. Брункову, в.н.с. В.К. Еремину, зав.лаб. А.А. Красилину, г.н.с. С.В. Лебедеву, с.н.с. Д.А. Пшенай-Северину,  зав.лаб. А.Н. Старухину;
• Медалью «За безупречный труд и отличие» награждены специалист аппарата ученого секретаря Р.Ф. Витман, бухгалтер I категории Н.Б. Скарук, и начальник иностранного отдела Е.А. Скиба.

C 25 февраля по 1 марта 2026 года прошла традиционная Молодежная конференция по физике полупроводников «Зимняя школа 2026».

Победителями конкурса докладов молодых учёных стали:

В устной сессии:

I место Соловова Надежда Юрьевна «Электронная структура поверхности Na₂KSb(111) до и после активации слоями (Cs, Sb)»;

II место Башегурова Елена Александровна «Изучение экситонных комплексов в NFDE квантовых точках GaAs/AlGaAs методами оптической спектроскопии»;

II место Зибинский Алексей Леонидович «Эффекты квантового обратного действия в ансамбле спинов прыгающих электронов»;

III место Райков Игорь Олегович «Микроскопические упругие свойства аморфных нанокомпозитов»;

III место Карузин Даниил Константинович «Плазмоны и их затухание в грязных сверхпроводящих пленках»;

III место Вейшторт Глеб Павлович «Избирательность оптического возбуждения квантовых точек InAs/InGaAs»;

III место Русских Кирилл Игоревич «Экситонный энергетический спектр и оптические переходы в сферических нанокристаллах InP/ZnSe».

В стендовой сессии:

I место Зедоми Тамара Эстер «Фото- и термоиндуцированные сдвиги в оптических свойствах нанокомпозитов с частицами As₂S₃ и Au»;

II место Тиманкова Юлия Александровна «Исследование направленного рассеяния на димере из лабиринтных акустических метаатомов»;

III место Родиончикова Анастасия Дмитриевна «Исследование ван-дер-ваальсовых гетероструктур на основе графена, MoTe₂ и WSe₂ методами сканирующей зондовой микроскопии».

С 29 января по 7 февраля 2026 г. состоялся официальный визит представителей ФТИ им. А.Ф. Иоффе – директора Иванова С.В. и руководителя ЦФН Пихтина Н.А. в Китай по приглашению Президента Пекинского Университета профессора Гун Цихуан и вице-президента Китайской Академии Наук (КАН) профессора У Чжаохуэй. В ходе визита представители Института приняли участие с приглашенным докладом в первом Китайско-Российском форуме выдающихся ученых в Санье (Sanya Conference of Sino-Russian Leading Scientists) 29.01-01.02.2026 г., организованном Китайско-Российским институтом фундаментальных исследований, основанном при участии Пекинского Университета (Peking University) и МГУ им. М.В. Ломоносова. В период 02-06.02.2026 г. они посетили пять ведущих физических институтов КАН в г. Пекин: Института полупроводников КАН (IOS CAS), Института физики КАН (IOP CAS), включая Синергетическую установку для исследования объектов в экстремальных физических условиях (Synergetic Extreme Condition User Facility (SECUF), Институт теоретической физики КАН (ITP CAS), Институт электронной техники КАН (IEE CAS), Национальный центр космических исследований КАН (NSSC CAS), а также Школу физики Пекинского университета. В каждом из исследовательских центров проводились встречи и дискуссии с представителями руководства и руководителями крупных дивизионов и ключевых лабораторий, близких по направлению исследований к направлениям, развиваемым в лабораториях ФТИ им. А.Ф. Иоффе, включая экскурсии по нескольким (3-5) лабораториям с кратким представлением их завлабами и профессорами целей работ, оборудования и основных результатов исследований и разработок.

Дорогие коллеги, глубокоуважаемые физтеховцы!

Самые искренние поздравления с Днем Российской Науки от всей дирекции Института!

Этот праздник всегда ощущается по-особому. Мы с вами живем в то время, когда научная мысль перестала быть просто «сферой знаний» и снова все более и более становится главным двигателем национального развития во всех сферах. Сегодня именно интеллект, смелость исследователя, инициатива его научного и технологического поиска определяют не только наше место в мире, но и качество жизни миллионов наших сограждан и саму ее возможность.

Отечественная наука сегодня, одним из флагманов которого был, есть и будет наш славный Физтех Иоффе, — это основа технологического суверенитета нашей страны. Мы видим, как наши научные результаты, результаты труда наших коллег — от фундаментальных открытий до прикладных решений — находят отклик в промышленности, энергетике, медицине, безопасности и экологии. Мы знаем и ценим то, что за каждым этим достижением стоит самоотверженный труд конкретных людей — от опытного ученого до молодого специалиста, от инженера до лаборанта, от сотрудников лабораторий до работников вспомогательных подразделений. Именно эта связь поколений, наша сплоченность и верность призванию являются залогом того, что у России есть великое будущее!

В наш праздничный день я хочу пожелать каждому из вас никогда не останавливаться на достигнутом, ведь научное развитие не терпит статики! Пусть ваша инициатива и решимость в освоении новых фундаментальных и прикладных горизонтов науки только крепнут, а творческое вдохновение помогает находить ответы на самые сложные вызовы современности! Желаю вам крепкого здоровья, неиссякаемой энергии для новых открытий, успехов и терпения в реализации самых невероятных и амбициозных проектов!

С.В. Иванов
Директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе

04 февраля прошла пресс-конференция РИА Новости, приуроченная ко Дню российской науки и посвященная успешно реализуемым при поддержке РНФ прикладным научно-исследовательским проектам. О перспективах применения квантово-каскадных лазеров для технологий атмосферонезависимой передачи данных, дистанционного спектрального анализа веществ и обнаружения опасных газов на расстоянии, которые разрабатывает ФТИ им. А.Ф. Иоффе совместно с АО «НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха», рассказал зав. лаб., док. физ.-мат. наук, Г.С. Соколовский.

Подробнее...