| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
Copyright © 2021 - All Rights Reserved - ioffe.ru
Template by OS Templates
Компан Михаил Евгеньевич
Polarization memory in band edge luminescence from free standing gallium nitride. Mater. Sci. Forum, v.338,
В книге (сборнике): SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS - 1999 PTS, 1&2, 2000, p. 1587 - 1590
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Research Triangle Park, North Carolina, USA, Oct. 10-15, 1999
Аномальное двулучепреломление света в свободных образцах пористого кремния. ЖЭТФ, т.117, 2, 2000, с. 368 - 374
Anomalous birefringence of light in free-standing samples of porous silicon. J. Exp. Theor. Phys., v.90, 2, 2000, p. 324 - 329
http://dx.doi.org/10.1134/1.559107
Нанорельеф поверхности GaN: влияние сульфидной обработки. ФТП, т.34, 11, 2000, с. 1353 - 1356
Nanorelief of a GaN surface: The effect of sulfide treatment. Semiconductors, v.34, 11, 2000, p. 1301 - 1304
http://dx.doi.org/10.1134/1.1325427