| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
Copyright © 2021 - All Rights Reserved - ioffe.ru
Template by OS Templates
Компан Михаил Евгеньевич
N-образная нелинейность зарядных характеристик ионисторных структур на основе RbAg4I5. Электрохимия, т.43, 5, 2007, с. 602 - 605
N-shaped nonlinearity of charge characteristics of ionistor structures based on RbAg 4I5. Russ. J. Electrochem., v.43, 5, 2007, p. 576 - 579
http://dx.doi.org/10.1134/S1023193507050114
Повышение эффективности металловоздушного источника тока при работе в импульсно-периодическом режиме. Письма ЖТФ, т.33, 14, 2007, с. 26 - 33
Increasing the efficiency of metal-air current sources operating in a pulse-train mode. Tech. Phys. Lett., v.33, 7, 2007, p. 597 - 599
http://dx.doi.org/10.1134/S1063785007070176
Люминесценция полумагнитного полупроводника CdMnTe в области длин волн 370--400 nm при высоких уровняx возбуждения. ФТТ, т.49, 4, 2007, с. 657 - 661
Luminescence of the semimagnetic semiconductor CdMnTe in the wavelength range 370-400 nm at high excitation levels. Phys. Solid State, v.49, 4, 2007, p. 691 - 695
http://dx.doi.org/10.1134/S1063783407040154
Полианилин на углеродной основе как анодный катализатор - путь к созданию бесплатиновых топливных элементов. Письма ЖТФ, т.32, 17, 2006, с. 50 - 59
Carbon supported polyaniline as anode catalyst: Pathway to platinum-free fuel cells. Tech. Phys. Lett., v.32, 9, 2006, p. 758 - 761
http://dx.doi.org/10.1134/S1063785006090070
О возможности преодоления кризиса низкой размерности в активной зоне топливного элемента. Письма ЖТФ, т.32, 5, 2006, с. 56 - 64
Overcoming the low-dimension crisis in the active zone of fuel cells. Tech. Phys. Lett., v.32, 3, 2006, p. 213 - 216
http://dx.doi.org/10.1134/S1063785006030114
Объемные слои GaN, выращенные на оксидированном кремнии эпитаксией из газовой фазы в хлоридной системе. Письма ЖТФ, т.31, 9, 2005, с. 20 - 25
Bulk GaN layers grown on oxidized silicon by vapor-phase epitaxy in a hydride-chloride system. Tech. Phys. Lett., v.31, 5, 2005, p. 367 - 369
http://dx.doi.org/10.1134/1.1931770
Гистерезисный гальвано-механический эффект при процессах заряда-разряда ионисторных структур. ФТТ, т.46, 6, 2004, с. 1078 - 1080
Hysteretic galvano-mechanical effect on charging and discharging ionistor structures. Phys. Solid State, v.46, 6, 2004, p. 1110 - 1112
http://dx.doi.org/10.1134/1.1767254
Влияние супрамолекулярного упорядочения на фотофизические свойства полиамидинов. ФТП, т.38, 9, 2004, с. 1110 - 1114
Influence of supramolecular ordering on photophysical properties of polyamidines. Semiconductors, v.38, 9, 2004, p. 1074 - 1077
http://dx.doi.org/10.1134/1.1797487
Self formation of porous silicon structure: Primary microscopic mechanism of pore separation. Solid State Phenom., v.97-98,
В книге (сборнике): SELF FORMATION THEORY AND APPLICATIONS, 2004, p. 181 - 184
6th International Conference on Self-Formation Theory and Applications, Vilnius, Lithuania, November 26-28, 2003
http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.97-98.181
Механизм первичной самоорганизации регулярной структуры пористого кремния. ФТТ, т.45, 5, 2003, с. 902 - 906
Mechanism of primary self-organization in porous silicon with a regular structure. Phys. Solid State, v.45, 5, 2003, p. 948 - 952
http://dx.doi.org/10.1134/1.1575342
Оптические и электрические свойства полиамидокислоты и металл-полимерного комплекса с Tb2 на ее основе. ФТП, т.37, 7, 2003, с. 844 - 845
Optical and electrical properties of polyamide acid and metal-polymer complex based on terbium. Semiconductors, v.37, 7, 2003, p. 816 - 817
http://dx.doi.org/10.1134/1.1592856
Well-known perovskites (cerates, cuprates, manganates): Problems and facts; A review of nontraditional approaches. Ionics, v.9, 5-6, 2003, p. 395 - 403
http://dx.doi.org/10.1007/bf02376592
Radiationless recombination mechanisms in GaN surface layers determined from photoluminescence. Phys. Status Solidi A-Appl. Res., v.195, 1 Spec., 2003, p. 106 - 111
http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200306279
Spectroscopic evidence of a mixed valence charge compensation in the process of proton intercalation into BaCeO3. Solid State Ion., v.162-163, 2003, p. 1 - 5
The Eleventh International Conference on Solid State Protonic Conductors, Guildford, UK, August 27-30, 2002
http://dx.doi.org/10.1016/S0167-2738(03)00244-3
Спектры люминесцении номинально чистых кристаллов перовскитов BaCe3. ФТТ, т.44, 7, 2002, с. 1211 - 1214
Luminescence spectra of nominally pure BaCeO3 perovskite crystals. Phys. Solid State, v.44, 7, 2002, p. 1263 - 1267
http://dx.doi.org/10.1134/1.1494620
Фотолюминесценция GaN: зависимость от интенсивности возбуждения. ФТП, т.36, 10, 2002, с. 1207 - 1210
Dependence of GaN photoluminescence on the excitation intensity. Semiconductors, v.36, 10, 2002, p. 1128 - 1131
http://dx.doi.org/10.1134/1.1513856
Высокотемпературный отжиг объемных GaN слоев. Письма ЖТФ, т.28, 23, 2002, с. 44 - 49
High-temperature annealing of bulk GaN layers. Tech. Phys. Lett., v.28, 12, 2002, p. 994 - 996
http://dx.doi.org/10.1134/1.1535513
Спектры рамановского рассеяния второго порядка в пористом кремнии. ЖЭТФ, т.121, 4, 2002, с. 860 - 866
Spectra of second-order Raman scattering in porous silicon. J. Exp. Theor. Phys., v.94, 4, 2002, p. 739 - 744
http://dx.doi.org/10.1134/1.1477898
Поляризационно-зависимое неоднородное уширение полосы краевой люминесценции гексагонального нитрида галлия. ФТТ, т.42, 6, 2000, с. 1009 - 1012
Polarization-dependent inhomogeneous broadening of the edge luminescence band of hexagonal gallium nitride. Phys. Solid State, v.42, 6, 2000, p. 1041 - 1044
http://dx.doi.org/10.1134/1.1131344
Raman light scattering in system of oriented wires in porous silicon. J. Porous Mat., v.7, 1-3, 2000, p. 275 - 278
http://dx.doi.org/10.1023/a:1009632114501